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Wide bandgap semiconductor materials and devices 17
Wide bandgap semiconductor materials and devices 17
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1.
Electrothermal Performance Optimization of Ⅲ-Nitride HEMTs Capped with Nanocrystalline Diamond
机译:
纳米晶金刚石包覆的Ⅲ族氮化物HEMT的电热性能优化
作者:
M.J. Tadjer
;
T.J. Anderson
;
T.I. Feygelson
;
K.D. Hobart
;
M. Ancona
;
A.D. Koehler
;
J.K.Hite
;
V.D. Wheeler
;
B.B. Pate
;
F.J. Kub
;
C.R. Eddy Jr
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
2.
Improved GaN based Hydrogen Sensors
机译:
改进的GaN基氢传感器
作者:
Kwang Hyeon Baik
;
Jimin Kim
;
Soohwan Jang
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
3.
Growth of GaN/InGaN Films and Heterostructures Via Super-Atmospheric MOCVD
机译:
通过超大气压MOCVD生长GaN / InGaN薄膜和异质结构
作者:
J. R. Krause
;
E. B. Stokes
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
4.
Channel scaling behavior of amorphous In-Zn-O thin film transistors with high mobility over 35 cm~2/Vsec
机译:
在35 cm〜2 / Vsec范围内具有高迁移率的非晶In-Zn-O薄膜晶体管的沟道缩放行为
作者:
Sunghwan Lee
;
David C. Paine
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
5.
Ultra-Small ZnO Nanoparticles for Charge Storage in MOS-Memory Devices
机译:
超小ZnO纳米颗粒,用于MOS存储设备中的电荷存储
作者:
N. El-Atab
;
A. Nayfeh
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
6.
Mechanical Analysis of Stretchable AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
机译:
可拉伸AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的力学分析
作者:
R. P. Tompkins
;
I. Mahaboob
;
F. Shahedipour-Sandvik
;
N. Lazarus
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
7.
Effect of Ba co-doping on Sr_5(PO_4)_3Cl:Ce3+ Blue Emitting Phosphor Application for White Light Emitting Diodes
机译:
Ba共掺杂对Sr_5(PO_4)_3Cl:Ce3 +蓝色荧光粉在白光发光二极管中的应用
作者:
G. Deressa
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
关键词:
Blue apatite phosphor;
Spectral broadening;
white-LED;
8.
Investigation of Nucleation and Intermixing at Hetero-interface in Ⅲ-Nitride-4H-SiC Structures
机译:
Ⅲ-氮化物-4H-SiC结构异质界面成核和混合的研究
作者:
R. W. Enck
;
A.V. Sampath
;
R.B. Chung
;
D. Knorr
;
G. A. Garrett
;
M. L. Reed
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
9.
GaN MIS-HEMT with Low Dynamic ON-resistance Using SiON Passivation
机译:
使用SiON钝化的低动态导通电阻的GaN MIS-HEMT
作者:
S. C. Liu
;
C. K. Huang
;
E. Y. Chang
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
10.
On the origin of the 4.7 eV absorption and 2.8 eV emission bands in bulk AlN substrates
机译:
在块状AlN衬底中4.7 eV吸收带和2.8 eV发射带的起源
作者:
D. Alden
;
Z. Bryan
;
B. E. Gaddy
;
I. Bryan
;
G. Callsen
;
A. Koukitu
;
Y. Kumagai
;
A.Hoffmann
;
D. L. Irving
;
Z. Sitar
;
R. Collazo
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
11.
New Directions in GaN Photonics enabled by Electrochemical Processes
机译:
电化学工艺在GaN光子学中的新方向
作者:
C. Zhang
;
G. Yuan
;
K. Xiong
;
S. H. Park
;
J. Han
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
12.
Investigation on Alumina Passivation for Improved IGZO TFT Performance
机译:
氧化铝钝化提高IGZO TFT性能的研究
作者:
T. Mudga
;
N. Edwards
;
P. Ganesh
;
A. Bharadwaj
;
R. G. Manley
;
K. D. Hirschman
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
13.
Thermal-structural Optimization of Light with LED Packaging
机译:
采用LED封装的光的热结构优化
作者:
L. Q. Zhang
;
L.Y. Li
;
D. H. Ge
;
X.D. Zhu
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
14.
Preface
机译:
前言
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 17》
|
2016年
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