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Processes at the semiconductor solution interface 6
Processes at the semiconductor solution interface 6
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1.
Electroless Ni Layer: Influence of Growth Steps and Annealing Temperature on NiSi Formation
机译:
化学镍层:生长步骤和退火温度对镍硅形成的影响
作者:
E. Delbos
;
H. El Belghiti
;
D. Aureau
;
J. Vigneron
;
M. Bouttemy
;
A. Etcheberry
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
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2015年
2.
Impact of Surface Texturization on Overall Performance of Mono-Crystalline Silicon Solar Cells
机译:
表面纹理化对单晶硅太阳能电池整体性能的影响
作者:
S. Sankarasubramanian
;
G.K. Saud
;
M.Shashikala
;
P. Suratkar
;
S. Saravanan
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
3.
Chemical Stability and Electronic Behavior of Atomic Layer Deposited Metal Oxide Thin Films
机译:
原子层沉积金属氧化物薄膜的化学稳定性和电子行为
作者:
N.C.Strandwitz
;
B. Bao
;
G.C. Correa
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
4.
Fabrication and Characterization of Silicon Microwire Anodes by Electrochemical Etching Techniques
机译:
硅微线阳极的电化学刻蚀技术制备与表征
作者:
Sandra Noehren
;
Enrique Quiroga-Gonzalez
;
Juergen Carstensen
;
Helmut Foell
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
5.
An Attractive Wet Route for Nitriding Ⅲ-Vs
机译:
有吸引力的湿法氮化Ⅲ-Vs
作者:
C.Njel
;
D.Aureau
;
A-M Goncalves
;
A.Etcheberry
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
6.
Measurement of the Energy-Band Relations of Stabilized Si Photoanodes Using Operando Ambient Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy
机译:
使用Operando环境压力X射线光电子能谱法测量稳定的Si光阳极的能带关系
作者:
M. H. Richter
;
M. F. Lichterman
;
S. Hu
;
E. J. Crumlin
;
T. Mayer
;
S. Axnanda
;
M. Favaro
;
W. Drisdell
;
Z. Hussain
;
B. S. Brunschwig
;
N. S. Lewis
;
Z. Liu
;
H.-J. Lewerenz
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
7.
P-Type Transparent Conducting Oxide Protection Layers for Sustainable Photoelectrochemical Water Oxidation
机译:
用于可持续光电化学水氧化的P型透明导电氧化物保护层
作者:
Le Chen
;
Jinhui Yang
;
Lyman J. Lee
;
Shannon Klaus
;
Rachel Woods-Robinson
;
Yanwei Lum
;
Jason K. Cooper
;
Ian D. Sharp
;
Alexis T. Bell
;
Joel W. Ager
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
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2015年
8.
Investigations into the Formation of Germanene using Electrochemical Atomic Layer Deposition (E-ALD)
机译:
使用电化学原子层沉积(E-ALD)研究锗烯的形成
作者:
M. A. Ledina
;
X. Liang
;
Y.-G. Kim
;
J. Jung
;
B. Perdue
;
C. Tsang
;
M.P. Soriaga
;
J. L. Stickney
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
9.
Investigation of Photoelectrochemical Deposition of Zn(S,O) via Nitrate Ion Reduction in the Presence of Thiourea
机译:
硫脲存在下硝酸盐离子还原光电化学沉积Zn(S,O)的研究
作者:
S. Gallanti
;
E. Chassaing
;
M. Bouttemy
;
E. Etcheberry
;
D. Lincot
;
N. Naghavi
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
10.
Cleaning Solution Effect on Electrical and Reliability Properties of Dense and Porous Low Dielectric Constant Materials
机译:
清洗液对致密,多孔低介电常数材料电学和可靠性的影响
作者:
Yi-Lung Cheng
;
Chi-Jia Huang
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
11.
Synthesis of Metal Oxides/Graphene Nanocomposites for Applications in Lithium-Ion Battery
机译:
金属氧化物/石墨烯纳米复合材料的合成及其在锂离子电池中的应用
作者:
Jiaqi Nan
;
Hongzhou Dong
;
Guicun Li
;
Liyan Yu
;
Yong Qin
;
Lifeng Dong
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
12.
The comprehension of the interfacial chemistry during etching process onto SC: A way to understand the mechanism
机译:
对SC蚀刻过程中界面化学的理解:一种了解机理的方法
作者:
T. Vayron
;
A.Causier
;
M. Bouttemy
;
I. Gerard
;
D. Aureau
;
J. Vigneron
;
A. Etcheberry
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
13.
Chemical Nature and Control of High-k Dielectric/Ⅲ-Ⅴ Interfaces
机译:
高k电介质/Ⅲ-Ⅴ界面的化学性质和控制
作者:
W. Cabrera
;
M. D. Halls
;
Y. J. Chabal
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
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2015年
14.
Prediction of Photovoltaic Cu(In,Ga)Se_2 p-n Device Performance by Forward Bias Electrochemical Analysis of Only the p-Type Cu(In,Ga)Se_2 Films
机译:
仅通过p型Cu(In,Ga)Se_2薄膜的正向偏置电化学分析预测光伏Cu(In,Ga)Se_2 p-n器件的性能
作者:
D. Colombara
;
T. Bertram
;
V. Depredurand
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T. Fouquet
;
J. Bour
;
C. Broussillou
;
P.P. Grand
;
P. J. Dale
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
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2015年
15.
Photoelectrochemical Studies and Capacitance Measurements during the Nitride Passivation of InP in Liquid Ammonia (-55℃)
机译:
液氨(-55℃)中InP的氮化钝化过程中的光电化学研究和电容测量
作者:
C. Njel
;
I. Bakas
;
D. Aureau
;
A-M. Goncalves
;
A. Etcheberry
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
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2015年
16.
Investigation of the Si/TiO_2/Electrolyte Interface using Operando Tender X-ray Photoelectron Spectroscopy
机译:
使用Operando招标X射线光电子能谱研究Si / TiO_2 /电解质界面
作者:
M. F. Lichterman
;
M. H. Richter
;
S. Hu
;
E. J. Crumlin
;
S. Axnanda
;
M. Favaro
;
W. Drisdell
;
Z. Hussain
;
T. Mayer
;
B. S. Brunschwig
;
N. S. Lewis
;
Z. Liu
;
H.-J. Lewerenz
会议名称:
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|
2015年
17.
Atomic Layer Deposition of i-Sb_2S_3/p-NiO Thin Layers into Anodic Alumina Membranes for Photoelectrochemical Water Splitting
机译:
i-Sb_2S_3 / p-NiO薄层的原子层沉积成阳极氧化铝膜用于光电化学水分解
作者:
M. K. S. Barr
;
L. Assaud
;
Y. Wu
;
J. Bachmann
;
L. Santinacci
会议名称:
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2015年
18.
ZnO Electrodeposition on Boron-Doped Diamond: Effects of zinc precursor concentration
机译:
掺硼金刚石上的ZnO电沉积:锌前体浓度的影响
作者:
P. Gautier
;
A. Vallee
;
A. Etcheberry
;
N. Simon
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
19.
Pseudocapacitive charge storage at nanoscale silicon electrodes
机译:
纳米级硅电极上的伪电容电荷存储
作者:
W. McSweeney
;
H. Geaney
;
C. Glynn
;
D. McNulty
;
C. ODwyer
会议名称:
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|
2015年
20.
PREFACE
机译:
前言
作者:
C. ODwyer
;
D. N. Buckley
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A. Etcheberry
;
A. C. Hillier
;
R. P. Lynch
;
P. Vereecken
;
H. Wang
会议名称:
《Processes at the semiconductor solution interface 6》
|
2015年
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