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Processing materials of 3D interconnects, damascene, and electronics packaging 7
Processing materials of 3D interconnects, damascene, and electronics packaging 7
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1.
Miniaturization and Biocompatible Encapsulation for Implantable Biomedical Silicon Devices
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《Processing materials of 3D interconnects, damascene, and electronics packaging 7》
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2.
Optimizing TSV Fill Phases for Improved Fill Rate, Process Stability and Void Performance
机译:
优化TSV填充阶段以提高填充率,工艺稳定性和空隙性能
作者:
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会议名称:
《Processing materials of 3D interconnects, damascene, and electronics packaging 7》
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2015年
3.
Dielectric Spectroscopic Detection of Early Failures in 3-D Integrated Circuits
机译:
介电谱检测3-D集成电路中的早期故障
作者:
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C. A. Okoro
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会议名称:
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2015年
4.
Combined Surface-Activated Bonding Technique for Low-Temperature Cu/SiO_2 Hybrid Bonding
机译:
低温表面Cu / SiO_2杂化结合的表面活化结合技术
作者:
Ran He
;
Masahisa Fujino
;
Akira Yamauchi
;
Tadatomo Suga
会议名称:
《Processing materials of 3D interconnects, damascene, and electronics packaging 7》
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2015年
5.
Thermal Decomposition of Tungsten Nitrido Precursors for Low Temperature MOCVD of WN_xC_y
机译:
WN_xC_y低温MOCVD的钨氮化物前驱体的热分解。
作者:
Seo Young Kim
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Arijit Koley
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会议名称:
《Processing materials of 3D interconnects, damascene, and electronics packaging 7》
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2015年
6.
Plasma Dicing: Current State Future Trends
机译:
等离子切割:现状与未来趋势
作者:
R. J. Westerman
;
G. M. Grivna
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K. D. Mackenzie
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T. Lazerand
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J. M. Doub
会议名称:
《Processing materials of 3D interconnects, damascene, and electronics packaging 7》
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2015年
7.
Kinetic on copper damascene and cuprous concentration computation in with Cl- and SPS
机译:
Cl-和SPS在铜大马士革动力学和铜浓度计算
作者:
V. H. Hoang
;
Kazuo Kondo
会议名称:
《Processing materials of 3D interconnects, damascene, and electronics packaging 7》
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2015年
8.
Towards quantification of contaminants in electrodeposited Cu films
机译:
量化电沉积铜膜中的污染物
作者:
N. T. M. Hai
;
V. Grimaudo
;
P. Moreno
;
P. Broekmann
会议名称:
《Processing materials of 3D interconnects, damascene, and electronics packaging 7》
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2015年
9.
Electrografted P4VP as Dielectric in High Aspect Ratio TSV: Surface Preparation and Thermomechanical Consideration
机译:
电接枝的P4VP作为高纵横比TSV中的电介质:表面制备和热机械考虑
作者:
T. Dequivre
;
E. Al Alam
;
J. Plathier
;
A. Ruediger
;
G. Brisard
;
S. A. Charlebois
会议名称:
《Processing materials of 3D interconnects, damascene, and electronics packaging 7》
|
2015年
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