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Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems
Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems
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1.
A very low phase noise SiGe VCO at X-band frequencies
机译:
X波段频率的非常低的相位噪声SiGe VCO
作者:
L. Dussopt
;
G. M. Rebeiz
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Phase noise;
Oscillator;
VCO;
Varactor;
2.
Coplanar SiGe VCO MMICs beyond 20 GHz
机译:
Coplanar SiGe VCO MMIC超过20 GHz
作者:
Holger Kuhnert
;
Wolfgang Heinrich
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
3.
Low voltage high isolation MEMS switches
机译:
低压高隔离MEMS开关
作者:
P. Blondy
;
D. Cros
;
P. Guillon
;
P. Rey
;
P. Charvet
;
B. Diem
;
C. Zanchi
;
J. B. Quoirin
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
4.
SiGe-Si-based optoelectronic devices for high-speed communication applications
机译:
基于SiGe-SI的光电器件,用于高速通信应用
作者:
Bhattacharya P.
;
Qasaimeh O.
;
Jae-Sung Rieh
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
5.
SiGe/Si-based optoelectronic devices for high-speed communication applications
机译:
用于高速通信应用的SiGe / Si基光电器件
作者:
Pallab Bhattacharya
;
Omar Qasaimeh
;
Jae-Sung Rieh
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
6.
Design procedure for fully integrated 900 MHz medium power amplifiers in 0.6 μm CMOS technology on latchup resistant EPI-substrate
机译:
在0.6μmCMOS技术上的闩锁耐血管基板上的0.6μmCMOS技术中完全集成的900 MHz中功率放大器的设计步骤
作者:
Peter Baureis
;
Matthias Peter
;
Heiko Hein
;
Frank Oehler
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
MMIC;
MOSFET power amplifier;
Mutual coupling;
Yield optimization;
7.
Power performance of X-band Si/Si{sub}0.75Ge{sub}0.25/Si HBTs
机译:
X波段SI / SI {SUB}的功率性能0.75ge {SUB} 0.25 / SI HBT
作者:
Zhenqiang Ma
;
Saeed Mohammadi
;
Pallab Bhattacharya
;
Linda P. B. Katehi
;
Samuel A. Alterovitz
;
George E. Ponchak
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
8.
High Q inductors and capacitors on Si substrate
机译:
Si衬底上的高Q电感器和电容器
作者:
Snezana Jenei
;
Stefaan Decoutere
;
Stefaan Van Huylenbroeck
;
Guido Vanhorebeek
;
Bart Nauwelaers
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
9.
Resonance phase transistor - concepts and perspectives
机译:
共振阶段晶体管 - 概念和观点
作者:
H. Jorke
;
M. Schafer
;
J. -F. Luy
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
10.
Resonance phase transistor-concepts and perspectives
机译:
共振阶段晶体管 - 概念和观点
作者:
Jorke H.
;
Schafer M.
;
Luy J.-F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
11.
Mechanical stability and handling-induced failure of micromachined wafers for RF applications
机译:
用于RF应用的机械稳定性和处理诱导的微机械晶片失效
作者:
A. Polyakov
;
M. Bartek
;
J. N. Burghartz
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Micromachined wafer;
Bending;
Fracture;
Stress concentration;
Vias;
12.
Thermal issues in a backwafer contacted silicon-on-glass integrated bipolar process
机译:
反向驱器中的热问题接触硅玻璃集成双极工艺
作者:
N. Nenadovic
;
L. K. Nanver
;
H. Schellevis
;
H. W. van Zeijl
;
J. W. Slotboom
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Bipolar transistor;
Silicon-on-insulator;
Silicon-on-glass;
Self-heating;
Thermal resistance;
Thermal runaway;
Heat spreader;
Heat sink;
13.
New analytic expressions for mutual inductance and resistance of coupled interconnects on lossy silicon substrate
机译:
用于互感和耦合硅衬底耦合互连的新分析表达式
作者:
Hasan Ymeri
;
Bart Nauwelaers
;
Karen Maex
;
Servaas Vandenberghe
;
David De Roest
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Interconnects;
Silicon substrate;
On-chip interconnects;
Skin effect;
Mutual impedance;
14.
Long-term reliability of Si-Si/sub 0.7/Ge/sub 0.3/-Si HBTs from accelerated lifetime testing
机译:
SI-SI / SUB 0.7 / GE / SUB 0.3 / -SI HBT的长期可靠性来自加速寿命测试
作者:
Zhengqiang Ma
;
Jae-Sung Rieh
;
Bhattacharya P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
15.
Self-assembled III-V quantum dots: potential for silicon optoelectronics
机译:
自组装III-V量子点:硅光电子的电位
作者:
R. Leon
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Nanotechnology;
Stranski-Krastanow quantum dots;
Photoluminescence;
III-V compounds;
16.
Long-term reliability of Si/Si{sub}0.7Ge{sub}0.3/Si HBTs from accelerated lifetime testing
机译:
SI / SI {sub}的长期可靠性0.7ge {sub} 0.3 / si Hbts来自加速寿命测试
作者:
Zhenqiang Ma
;
Jae-Sung Rieh
;
Pallab Bhattacharya
;
Samuel A. Alterovitz
;
George E. Ponchak
;
Edward T. Croke
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
17.
Parasitic barrier effects in SiGe HBTs due to p-n junction displacement
机译:
由于P-n结位移,SiGe HBT中的寄生阻隔效应
作者:
N. Mathur
;
D. Todorova
;
K. P. Roenker
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
18.
Admittance matrix calculations of on-chip interconnects on lossy silicon substrate using multilayer green's function
机译:
使用多层绿色函数的芯片硅衬底上的片上互连的进料矩阵计算
作者:
Hasan Ymeri
;
Bart Nauwelaers
;
Karen Maex
;
David De Roest
;
Servaas Vandenberghe
;
Michele Stucchi
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Interconnects;
Multilayer substrate;
On-chip interconnects;
Green's function;
Line admittance matrix;
19.
Transceiver front-end architectures using vibrating micromechanical signal processors
机译:
使用振动微机械信号处理器的收发器前端架构
作者:
Clark T. -C. Nguyen
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
20.
2001 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems. Digest of Papers (IEEE Cat. No.01EX496)
机译:
2001年RF系统中的硅片集成电路局部会议。摘要论文(IEEE CAT。No.01ex496)
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
21.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
22.
Integration of thin film resonator devices onto SiGe substrates
机译:
将薄膜谐振器装置集成到SiGe基板上
作者:
K. Lakin
;
J. Belsick
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Microwave;
Resonators;
Filters;
SiGe;
Bulk acoustic wave;
23.
Planar antennas on silicon for millimeterwave emitters
机译:
硅灰岩上的平面天线用于毫米波发射器
作者:
Klaus P. Heppenheimer
;
Larissa Vietzorreck
;
Peter Russer
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
24.
Design guidelines of vertical surrounding gate (VSG) MOSFETs for future ULSI circuit applications
机译:
用于未来ULSI电路应用的垂直周围栅极(VSG)MOSFET的设计指南
作者:
Abhinav Kranti
;
Rashmi
;
S. Haldar
;
R. S. Gupta
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Vertical surrounding gate (VSG) MOSFET;
Semiconductor device modeling;
Silicon;
Short channel effects;
25.
High frequency methods for characterization of oxidized porous silicon
机译:
氧化多孔硅表征的高频方法
作者:
R. L. Peterson
;
I. Itotia
;
R. F. Drayton
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
26.
Noise-gain tradeoff in RF SiGe HBTs
机译:
RF SiGe HBT中的噪声增益折衷
作者:
Guofu Niu
;
John D. Cressler
;
Shiming Zhang
;
Alvin Joseph
;
David Harame
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
SiGe HBT;
RF noise;
Associated gain;
Bipolar technology;
RF circuits;
27.
RF-MEMS switching concepts for high power applications
机译:
RF-MEMS用于高功率应用的开关概念
作者:
Karl M. Strohm
;
Bernd Schauwecker
;
Dietmar Pilz
;
Winfried Simon
;
Johann-Friedrich Luy
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
28.
Design and implementation of driver IC for miniature VC-TCXO module
机译:
微型VC-TCXO模块的驱动IC的设计与实现
作者:
Won-Hyun Kwon
;
Byung-Ryul Ryum
;
Terri S. Fiez
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
TCXO;
VC-TCXO;
SiGe integrated circuits;
Heterojunction bipolar transistor (HBT);
Phase noise;
CDMA;
Cellular phone;
29.
A CMOS low noise amplifier at 2.4 GHz with active inductor load
机译:
具有2.4 GHz的CMOS低噪声放大器,有源电感负载
作者:
A. Pascht
;
J. Fischer
;
M. Berroth
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Low noise amplifier;
Active inductor;
CMOS;
30.
CMOS low-noise/driver MMIC amplifiers for 2.4-GHz and 5.2-GHz wireless applications
机译:
CMOS低噪声/驱动器MMIC放大器,适用于2.4-GHz和5.2-GHz无线应用
作者:
Kazuya Yamamoto
;
Tetsuya Heima
;
Akihiko Furukawa
;
Masayoshi Ono
;
Yasushi Hashizume
;
Hiroshi Komurasaki
;
Hisayasu Sato
;
Naoyuki Kato
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
31.
Tantalum nitride thin film resistors for integration into copper metallization based RF-CMOS and BiCMOS technology platforms
机译:
钽氮化物薄膜电阻,用于集成铜金属化的RF-CMOS和BICMOS技术平台
作者:
Rashaunda Henderson
;
Peter Zurcher
;
Alain Duvallet
;
Chris Happ
;
Michael Petras
;
Mark Raymond
;
Tom Remmel
;
Doug Roberts
;
Bob Steimle
;
Sherry Straub
;
Terry Sparks
;
Marc Tarabbia
;
Mel Miller
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
32.
20 mW SiGe-MMIC-VCO at 5 GHz with integrated 4:1 divider for use in a PLL
机译:
20 MW SiGe-MMIC-VCO,5 GHz,集成4:1分频器,用于PLL
作者:
Abele P.
;
Vogelmann H.
;
Sonmez E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
33.
20mW SiGe-MMIC-VCO at 5GHz with integrated 4:1 divider for use in a PLL
机译:
20MW SiGe-MMIC-VCO,5GHz,集成4:1分频器,用于PLL
作者:
P. Abele
;
H. Vogelmann
;
E. Sonmez
;
K. -B. Schad
;
H. Schumacher
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
34.
Progress in Si-based AlGaN HEMTs for RF power amplifiers
机译:
用于RF功率放大器的SI基Algan HEMT的进展
作者:
James R. Shealy
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Heteroepitaxy on silicon;
Wide bandgap semiconductors;
High electron mobility transistor;
RF power amplifier;
35.
A folded-slot antenna on low resistivity Si substrate with a polyimide interface layer for wireless circuits
机译:
低电阻率Si衬底上的折叠槽天线,具有用于无线电路的聚酰亚胺接口层
作者:
John Papapolymerou
;
Coreen Schwartzlow
;
George Ponchak
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Folded slot antennas;
Low resistivity silicon;
Polyimide;
Finite ground coplanar lines;
36.
Novel low loss wide-band multi-port integrated circuit technology for RF/microwave applications
机译:
用于RF /微波应用的新型低损耗宽带多端口集成电路技术
作者:
Rainee N. Simons
;
Kavita Goverdhanam
;
Linda P. B. Katehi
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
37.
Silicon micromachined interconnects for on-wafer packaging of MEMS devices
机译:
用于MEMS器件的晶片上的硅片微机械互连
作者:
Alexandros Margomenos
;
Dimitrios Peroulis
;
James P. Becker
;
Linda P. B. Katehi
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Micromachining;
Packaging;
RF MEMS switch;
38.
Ground pattern for improved characteristics of spiral RF transformers on silicon
机译:
硅螺旋RF变压器改进特性的地面图案
作者:
Kiat T. Ng
;
Behzad Rejaei
;
Joachim N. Burghartz
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
Integrated transformers;
Ground pattern;
Maximum available gain;
Quality factor;
Mutual coupling factor;
39.
Novel vertical interconnects with 180 degree phase shift for amplifiers, filters, and integrated antennas
机译:
具有180度相移的新型垂直互连,用于放大器,滤波器和集成天线
作者:
Kavita Goverdhanam
;
Rainee N. Simons
;
Linda P. B. Katehi
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
40.
SSOI technology for integrated Schottky barrier diode
机译:
集成肖特基势垒二极管的SSOI技术
作者:
H. S. Gamble
;
P. Baine
;
M. Bain
;
B. M. Armstrong
;
S. J. N. Mitchell
;
V. F. Fusco
;
J. A. C. Stewart
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
41.
38 GHz coplanar harmonic mixer on silicon
机译:
38 GHz COPLANAR谐波搅拌机硅
作者:
Weiwei Zhao
;
Schollhorn C.
;
Kasper E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
42.
High-frequency characteristics of PMOS transistors with raised SiGe source/drain
机译:
具有凸起SiGe源/排水的PMOS晶体管的高频特性
作者:
Kun-Ming Chen
;
Hsiang-Jen Huang
;
Guo-Wei Huang
;
Tien-Sheng Chao
;
Yun-Hao Pai
;
Chun-Yen Chang
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
SiGe;
Parasitic resistance;
Raised source/drain;
PMOS;
43.
Measurement and modeling of thermal resistance of high speed SiGe heterojunction bipolar transistors
机译:
高速SiGe异质结双极晶体管热阻的测量和建模
作者:
J. -S. Rieh
;
D. Greenberg
;
B. Jagannathan
;
G. Freeman
;
S. Subbanna
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
44.
Reliability investigation in SiGe HBT's
机译:
SiGe HBT的可靠性调查
作者:
J. Kuchenbecker
;
M. Borgarino
;
L. Bary
;
G. Cibiel
;
O. Llopis
;
J. G. Tartarin
;
J. Graffeuil
;
S. Kovacic
;
J. L. Roux
;
R. Plana
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
|
2001年
关键词:
DC life tests;
Hot carrier;
Low frequency noise;
Surface recombination;
45.
Structure dependence of the characteristics of SiGe varactor fabricated by RPCVD
机译:
rpcvd制造的SiGe变容级特性的结构依赖性
作者:
Bongki Mheen
;
Dongwoo Suh
;
Jin-Yeoung Kang
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
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2001年
关键词:
Varactor;
SiGe HBT;
Q factor;
RPCVD;
46.
38GHz coplanar harmonic mixer on silicon
机译:
38GHz Coplanar谐波搅拌机在硅上
作者:
Weiwei Zhao
;
Claus Schollhorn
;
Erich Kasper
;
Clemens Rheinfelder
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
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2001年
关键词:
Mixer;
Coplanar waveguides (CPW);
Harmonic wave;
Schottky diodes;
Silicon;
Aluminum;
47.
Advanced design of high linearity, low noise amplifier for WLAN using a SiGe BiCMOS technology
机译:
使用SiGE BICMOS技术的高线性度,低噪声放大器的先进设计
作者:
J. Sadowy
;
J. Graffeuil
;
E. Tournier
;
L. Escotte
;
R. Plana
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
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2001年
关键词:
LNA;
SiGe HBT;
High Q inductor;
Non linear behavior;
48.
Design of LNA at 2.4 GHz using 0.25 μm technology
机译:
使用0.25μm技术设计2.4 GHz的LNA设计
作者:
Xiaomin Yang
;
Thomas Wu
;
John McMacken
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
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2001年
49.
Monte Carlo simulations of submicron SOI-LBJTs
机译:
Monte Carlo模拟亚微米SOI-LBJTS
作者:
A. Yangthaisong
;
G. C. Crow
;
R. A. Abram
会议名称:
《Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuite in RF Systems》
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2001年
关键词:
SOI;
LBJT;
Monte Carlo simulations;
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