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Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges
Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges
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1.
Tribological experiments applied to tungsten chemcial mechanical polishing
机译:
摩擦学实验应用于钨化学机械抛光
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
2.
CMP fundamentals and challenges
机译:
CMP基础和挑战
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
3.
XPS and electrochemical studies on tungsten-oxidizer interaction in chemical mechanicla polishing
机译:
XPS与钨 - 氧化剂相互作用在化学机械抛光中的电化学研究
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
4.
The study of oxide planarization using a grindstone
机译:
使用磨石研究氧化物平坦化
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
5.
Surfactant based alumina slurries for copper CMP
机译:
基于表面活性剂的氧化铝浆料用于CMP
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
6.
Mechanism of a new post CMP cleaning for trench isolation process
机译:
用于沟槽隔离过程的新型CMP清洗机制
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
7.
Interfacial pressure measurements at chemical mechanical polishing interfaces
机译:
化学机械抛光界面的界面压力测量
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
8.
STI pattern density characterization for the system on a chip
机译:
芯片上系统的STI模式密度表征
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
9.
Directions in the chemicla mechanical planarization research
机译:
化学机械平面化研究中的方向
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
10.
A study of the planarity by STI CMP erosion modeling
机译:
STI CMP侵蚀建模的平面研究
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
11.
A novel retaining ring in advanced polishing head design for significantly improved CMP performance
机译:
高级抛光头设计中的一种新型挡环,可显着提高CMP性能
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
12.
Film thickness monitor for CMP processing
机译:
CMP处理的膜厚度监测器
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
13.
Structured abrasive CMP: length scales, subpads, and planarization
机译:
结构化磨料CMP:长度尺度,子垫和平面化
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
14.
Pattern dependent modeling for CMP optimization and control
机译:
CMP优化和控制模式依赖性建模
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
15.
Process control challenges and solutions: teos,W and Cu CMP
机译:
过程控制挑战和解决方案:TEOS,W和CU CMP
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
16.
Abrasive effects in oxide chemical mechanical polishing
机译:
氧化物化学机械抛光中的磨料作用
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
17.
PCA characterization of residual subsurface damage after silicon wafer mirror polishing and its removal
机译:
硅晶片镜抛光后残留地下损坏的PCA表征及去除
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
18.
Scanning force microscope studieds of detachment of nanometer adhering particulates
机译:
扫描力显微镜研究了纳米粘附颗粒的分离
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
19.
Impact of low-temperature anneals of electroplated copper films on copper CMP removal rates
机译:
电镀铜膜低温退火对CMP去除率的影响
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
20.
Electrical characterization of slurry particles and their interactions with waffer surfaces
机译:
浆料颗粒的电学特性及其与Waffer表面的相互作用
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
21.
An exploration of the copper CMP removal mechanism
机译:
铜CMP去除机制的探索
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
22.
Tungsten chemcial mechanical polishing endpoint detection
机译:
钨化学机械抛光终点检测
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
23.
Development of a robust KIO3 tungsten CMP process
机译:
开发强大的KIO3钨CMP工艺
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
24.
Mechanism of Cu removal during CMP in H_2O_2-glycine based slurries
机译:
CMP在基于H_2O_2-甘氨酸浆中CU去除的机制
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
25.
Modelling the influence of pad bending on the planarization performance during CMP
机译:
模拟垫弯曲在CMP期间平坦化性能的影响
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
26.
Use of dilute HF with controlled oxygen for post Cu CMP cleans
机译:
用稀释的HF与控制氧的用作后CU CMP清洁
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
27.
On the pattern dependency and substrate effects during chemical-mechanical planarization for ULSI manufacturing
机译:
关于ULSI制造业化学机械平面化的图案依赖性与基板效应
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
28.
Hydrodynamics of a chemical-mechanical planarization process
机译:
化学机械平面化过程的流体动力学
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
29.
Post-CMP megasonic cleaning using dilute SC1 solution
机译:
使用稀释SC1溶液的CMP巨型清洗
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
30.
Modified preston equation- revisited
机译:
改进的普雷斯顿方程 - 重新审视
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
31.
Role of film hardness on the polish rates of metal thin films
机译:
胶片硬度对金属薄膜波兰速率的作用
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
32.
Electrochemical behavior of copper in tetramethyl ammonium hydroxide based solutions
机译:
四甲基氢氧化铵溶液中铜的电化学行为
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
33.
The influence of pH and temperature on polish rates and selectivity of silicon dioxide an nitride films
机译:
pH与温度对抛光率的影响及二氧化硅氮化硅膜的选择性
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
34.
Determination of the planarization distance for copper CMP process
机译:
铜CMP工艺的平坦化距离测定
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
35.
Effect of particle size during tungsten chemical mechanical polishing
机译:
钨化学机械抛光过程中粒径的影响
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
36.
Characterization of slurry system and suppression of oxide erosion in aluminum CMP (chemical-mechanical planarization)
机译:
铝CMP浆料系统抑制浆料系统及氧化物腐蚀的特征(化学 - 机械平面化)
会议名称:
《Symposium on chemical-mechanical polishing-fundametals and challenges》
|
1999年
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