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Symposium on advanced interconnects and contacts
Symposium on advanced interconnects and contacts
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1.
Effects on selective CVD of titanium disilicide by substrate doping and selective silicon deposition
机译:
基底掺杂和选择性硅沉积对二硅酸钠选择性CVD的影响
作者:
Jer-shen Maa
;
David J. Howard
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
2.
Comparison of copper CVD using Cu(FOD){sub}2 and Cu(HFAC){sub}2 reduction
机译:
使用Cu(FOD){Sub} 2和Cu(HFAC){Sub} 2的铜CVD比较
作者:
J. S. Boey
;
G. L. Griffin
;
A. W. Maverick
;
H. Fan
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
3.
Nucleation and growth of CVD Cu films
机译:
CVD Cu膜的成核和生长
作者:
R. Kroger
;
M. Eizenberg
;
D. Cong
;
N. Yoshida
;
L. Y. Chen
;
L. Chen
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
4.
In-situ study of Ti/TiN stability under nitrogen anneal
机译:
氮气退火下Ti / TiN稳定性的原位研究
作者:
P. W. DeHaven
;
K. P. Rodbell
;
L. Gignac
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
5.
Barrier effect on electroplated Cu films
机译:
电镀Cu薄膜的屏障效应
作者:
R. Faust
;
Q. Jiang
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
6.
Numerical simulations of topographic evolution for sputter deposition into trenches and vias
机译:
溅射沉积进入沟槽和通孔的地形演化的数值仿真
作者:
Peter L. OSullivan
;
Frieder H. Baumann
;
George H. Gilmer
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
7.
CVD Cu process development and integration for sub-0.18μm devices
机译:
CVD CU工艺开发和集成为SUB-0.18μm器件
作者:
Jiming Zhang
;
Dean Denning
;
Greg Braeckelmann
;
Greg Hamilton
;
J. J. Lee
;
Ram Venkatraman
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
8.
Bath additive and current density effects on copper electroplating fill of Cu damascene structures
机译:
Cu镶嵌结构铜电镀填充的浴添加剂和电流密度效应
作者:
Robert D. Mikkola
;
Qing-Tang Jiang
;
Ronald Carpio
;
Brad Carpenter
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
9.
Comparative study on lateral silicide growth in self-aligned Ti and Co silicidation: interaction and reactivity with SiO{sub}2 and Si{sub}3N{sub}4
机译:
自对准Ti和Co硅化中横向硅化物生长的对比研究:与SIO {SUB} 2和Si {Sub} 3N {Sub} 4的相互作用与反应性
作者:
Ji-Soo Park
;
Dong Kyun Sohn
;
Jong-Uk Bae
;
Yun-Jun Huh
;
Jin Won Park
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
10.
A study on the effect of post metal etching polymer strip process on via resistance
机译:
金属蚀刻聚合物带工艺对电阻效应的研究
作者:
Leong-Tee Koh
;
Simon Y. M. Chooi
;
Kho-Liep Chok
;
He-Ming Li
;
Fang-Hong Gn
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
11.
Diffusion barriers for copper metallization: predicting phase stability and reactivity using equilibrium thermodynamics
机译:
用于铜金属化的扩散屏障:使用平衡热力学预测相位稳定性和反应性
作者:
C. E. Ramberg
;
E. Blanquet
;
M. Pons
;
V. Ghetta
;
C. Bernard
;
R. Madar
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
12.
Influence of the as and BF{sub}2 junction implantation on stress induced defects during Ti-and Co/Ti-silicidation
机译:
AS和BF {Sub} 2结植入在Ti-and Co / Ti硅酸中应激诱导缺陷的影响
作者:
A. Steegen
;
H. Bender
;
I. De Wolf
;
K. Maex
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
13.
Electroplated damascene copper: process influences on recrystallization and texture
机译:
电镀镶嵌铜:工艺对重结晶和质地的影响
作者:
M. E. Gross
;
R. Drese
;
C. Lingk
;
W. L. Brown
;
K. Evans-Lutterodt
;
D. Barr
;
D. Golovin
;
T. Ritzdorf
;
J. Turner
;
L. Graham
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
14.
Thermal studies on stress-induced void-like defects in epitaxial-CoSi{sub}2 formation
机译:
外延 - Cosi {Sub} 2形成中应激诱导的空隙样缺陷的热研究
作者:
C. S. Ho
;
K. L. Pey
;
C. H. Tung
;
K. C. Tee
;
K. Prasad
;
D. Saigal
;
Jackie J. L. Tan
;
H. Wong
;
K. H. Lee
;
T. Osipowicz
;
S. J. Chua
;
R. P. G. Karunasiri
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
15.
Characterization of PECVD WN{sub}x for copper barrier application
机译:
铜屏障应用的PECVD WN {Sub} X的表征
作者:
A. Vijayendran
;
M. Danek
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
16.
Characterization of thin dielectric films as copper diffusion barriers using triangular voltage sweep
机译:
用三角形电压扫描的铜扩散屏幕表征薄介电膜
作者:
S. A. Cohen
;
J. Liu
;
L. Gignac
;
T. Ivers
;
D. Armbrust
;
K. P. Rodbell
;
S. M. Gates
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
17.
HDP-FSG integration in multilevel interconnect devices
机译:
多级互连设备中的HDP-FSG集成
作者:
Hichem Msaad
;
Manoj Vellaikal
;
Lin Zhang
;
Derek Witty
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
18.
Characterization of pecvd WN_x for copper barrier application
机译:
铜屏障应用的PECVD WN_X的特征
作者:
A.Vijayendran
;
M.Danek
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
19.
Room temperature self-annealing of electroplated and sputtered copper films
机译:
电镀和溅射铜膜的室温自退火
作者:
Michelle Chen
;
Suraj Rengarajan
;
Peter Hey
;
Yezdi Dordi
;
Hong Zhang
;
Imran Hashim
;
Peijun Ding
;
Barry Chin
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
20.
Line-width dependence of void formation in Ti salicided BF{sub}2-doped polysilicon lines
机译:
Ti Salicided BF {Sub} 2掺杂多晶硅线中空隙形成的线宽依赖性
作者:
H. N. Chua
;
K. L. Pey
;
S. Y. Siah
;
E. H. Lim
;
C. S. Ho
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
21.
Integration challenges of inorganic low-K(K≤2.5) materials with Cu for sub-2.5μm multilevel interconnects
机译:
无机低k(k≤2.5)材料的整合挑战与CU用于子-2.5μm多级互连
作者:
K. C. Yu
;
J. Defilippi
;
R. Tiwari
;
T. Sparks
;
D. Smith
;
M. Olivares
;
S. Selinidis
;
J. Zhang
;
K. Junker
;
G. Braekelmann
;
J. Farkas
;
K. S. Lee
;
S. Filipiak
;
M. Lindell
;
J. K. Watanabe
;
J. T. Wetzel
;
D. Jawarani
;
M. T. Herrick
;
N. G. Cave
;
C. C. Hobbs
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
22.
The future of silicide for CMOS contacts
机译:
CMOS触点的硅化物的未来
作者:
R. A. Roy
;
C. Cabral Jr
;
C. Lavoie
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
23.
Integration issues for low dielectric constant materials in each generation of ulsi's
机译:
每代ULSI的低介电常数材料集成问题
作者:
Hideki Gomi
;
Koji Kishimoto
;
Tatsuya Usami
;
Ken-ichi Koyanagi
;
Takashi Yokoyama
;
Noriaki Oda
;
Yoshihisa Matsubara
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
24.
New contactetch process for embedded DRAM applications
机译:
嵌入式DRAM应用程序的新Contactetch进程
作者:
Chan-Lon Yang
;
Tong-Yu Chen
;
Keh-Ching Huang
;
Le-Tien Jung
;
Tsu-An Lin
;
Water Lur
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
25.
Advanced CVD barrier technology for copper interconnect
机译:
高级CVD屏障技术用于铜互连
作者:
A. Jain
;
O. Adetutu
;
B. Ekstrom
;
G. Hamilton
;
M. Herrick
;
R. Venkatraman
;
E. Weitzman
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
26.
Silicide contacts for sub-0.25 um m devices
机译:
SUS-0.25 UM M器件的硅化物触点
作者:
L.J.Chen
;
S.L.Cheng
;
S.M.Chang
;
Y.C.Peng
;
H.Y.Huang
;
L.W.Cheng
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
27.
Silicide contacts for sub-0.25μm devices
机译:
Sub-0.25μm器件的硅化物触点
作者:
L. J. Chen
;
S. L. Cheng
;
S. M. Chang
;
Y. C. Peng
;
H. Y. Huang
;
L. W. Cheng
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
28.
Low resistance copper via technology
机译:
通过技术低电阻铜
作者:
K. Ueno
;
V. M. Donnelly
;
Y. Tsuchiya
;
H. Aoki
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
29.
Integration of low dielectric constant materials in advanced aluminum and copper interconnects
机译:
高铝和铜互连中低介电常数材料的整合
作者:
Bin Zhao
;
Maureen Brongo
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
30.
Evaluation of copper penetration in low{sub}(-k) polymer dielectrics by bias-temperature stress
机译:
低{亚}( - k)聚合物电介质铜渗透评价通过偏压胁迫
作者:
Alvin L. S. Loke
;
S. Simon Wong
;
Niranjan A. Talwalkar
;
Jeffrey T. Wetzel
;
Paul H. Townsend
;
Tsuneakitanabe
;
Raymond N. Vrtis
;
Melvin P. Zussman
;
Devendra Kumar
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
31.
Chemical vapor deposition of Ti-Si-N films with alternating source supply
机译:
具有交流源供应的Ti-Si-N膜的化学气相沉积
作者:
Jae-Sik Min
;
Hyung-Sang Park
;
Wonyong Koh
;
Sang Won Kang
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
32.
In-situ study of the oxide mediated epitaxy of CoSi{sub}2 on Si
机译:
氧化族介导外延的原位研究Si
作者:
M. W. Kleinschmit
;
M. Yeadon
;
J. M. Gibson
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
33.
Reduction of the phase transition temperature of TiSi{sub}2 ON Si(111) using A Ta interlayer
机译:
使用TA中间层减少Si(111)上的TISI {sub} 2的相变温度
作者:
Bokhee Jung
;
Young Do Kim
;
Woochul Yang
;
R. J. Nemanich
;
Hyeongtag Jeon
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
34.
The formation of C45 TiSi{sub}2 in the presence of implanted or deposited molybdenum
机译:
在植入或沉积的钼存在下形成C45 TISI {sub} 2
作者:
M. Roux
;
A. Mouroux
;
S. L. Zhang
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
35.
Agglomeration of Cu electroplating seed layers on ultra-thin TA, TA{sub}(1-x), TA{sub}(1-X)O{sub}x, contaminated TA, and composite TA/TA{sub}(1-X)N{sub}x diffusion barriers
机译:
超薄Ta,Ta {sub}(1-x),ta {sub}(1-x)o {sub} x,污染的ta和复合Ta / ta {sub}上的Cu电镀种子层附聚物的凝聚层。(1 -x)n {sub} x扩散屏障
作者:
J. W. Hartman
;
Helen Yeh
;
H. A. Atwater
;
Imran Hashim
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
36.
Improved Al-via fill process technology for sub-0.25μm interconnect
机译:
改进的Al-an Via填充过程技术,用于SUB-0.25μm互连
作者:
S. S. Sengupta
;
M. Narasimhan
;
S. Lee
;
M. Abburi
;
G. Yao
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
37.
Factors affecting passivation and resistivity of Cu(Mg) alloy film
机译:
影响Cu(Mg)合金膜钝化和电阻率的因素
作者:
Heung Lyul Cho
;
Jae Gab Lee
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
38.
Epitaxial growth and thermal stability of CoSi{sub}2 layer on (100) Si from Co-C films without capping layer
机译:
来自COSI {Sub} 2层的外延生长和热稳定性在没有封盖层的CO-C薄膜上(100)Si
作者:
Hwa Sung Rhee
;
Dong Kyun Sohn
;
Byung Tas Ahn
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
39.
Formation and characterization of spe grown ultra-thin cobalt disilicide film
机译:
SPE成种超薄钴二硅化物膜的形成与表征
作者:
Xin-Ping Qu
;
Guo-Ping Ru
;
Bing-Zong Li
;
C. Detavernier
;
R. L. Van Meirhaeghe
;
F. Cardon
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
40.
Tem analyses of Cu-Ta and Cu-Tan interfaces
机译:
Cu-Ta和Cu-Tan接口的TEM分析
作者:
J. Y. Phillip Wang
;
Hong Zhang
;
Imran Hashim
;
Girish Dixit
;
Fusen Chen
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
41.
Facilitated C54-TiSi_2 formation with elevated deposition temperature: a study of Co-deposited layers
机译:
促进沉积温度升高的C54-TISI_2形成:对共沉积层的研究
作者:
S.Ohmi
;
R.T.Tung
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
42.
Formation mechanism of metal-oxides on plasma-exposed WSI/POLY Si gate stacks
机译:
等离子体曝光的金属氧化物的形成机制/ Poly Si栅极堆叠
作者:
Ziyuan Liu
;
Y. Kawashima
;
A. Komatsu
;
T. Hamada
;
H. Kawano
;
K. Shiotani
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
43.
Cu concentration dependence of the mechanical behaviour of Al-Cu alloys
机译:
Al-Cu合金力学行为的Cu浓度依赖性
作者:
J. P. Lokker
;
R. S. A. van Winden
;
G. C. A. M. Janssen
;
S. Radelaar
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
44.
The intercorrelation between microstructure and chemical mechanical polish of metal thin films
机译:
金属薄膜微观结构与化学机械抛光的互相关
作者:
Wei-Tsu Tseng
;
Ying-Lang Wang
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
45.
The influence of Ti capping layers on CoSi{sub}2 formation in the presence of interfacial oxide
机译:
Ti覆盖层对界面氧化物存在中Cosi {Sub} 2形成的影响
作者:
C. Detavernier
;
R. A. Donaton
;
K. Maex
;
S. Jin
;
H. Bender
;
R. Van Meirhaeghe
;
F. Cardon
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
46.
Influence of Cu seed deposition temperature on electroplated Cu texture formation in damascene structures
机译:
Cu种子沉积温度对镶嵌结构电镀Cu纹理形成的影响
作者:
Qing-Tang Jiang
;
Robert Mikkola
;
Richard Ortega
;
Volker Blaschke
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
47.
Modelling the influence of the silicon doping profile on a silicide well ohmic contact
机译:
模拟硅掺杂型材对硅化物井欧姆接触的影响
作者:
G. k. Reeves
;
A. S. Holland
;
P. W. Leech
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
48.
Facilitated C54-TiSi{sub}2 formation with elevated deposition temperature: a study of co-deposited layers
机译:
促进C54-TISI {亚} 2形成沉积温度升高:对共沉积层的研究
作者:
S. Ohmi
;
R. T. Tung
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
49.
The influence of stress on the growth of titanium silicide thin films on (001) silicon substrates
机译:
压力对(001)硅基板上硅化钛薄膜生长的影响
作者:
S. L. Cheng
;
S. M. Chang
;
H. Y. Huang
;
Y. C. Peng
;
L. J. Chen
;
B. Y. Tsui
;
C. J. Tsai
;
S. S. Guo
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
50.
In situ XPS study of interaction of thin iva, va metal films with native oxide on Si substrates
机译:
原位XPS薄IVA,VA金属膜与天然氧化物在Si基材上的相互作用研究
作者:
N. M. Sushkova
;
A. G. Akimov
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
51.
X-ray photoelectron spectroscopic studies of Cu-Al alloy/SiO{sub}2 interfaces
机译:
Cu-Al合金/ SIO {SUB} 2界面的X射线光电子体光谱研究
作者:
Pei-I Wang
;
G. R. Yang
;
S. P. Murarka
;
C. C. Lu
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
52.
Electroplated Cu recrystallization in damascene structures at elevated temperatures
机译:
在升高温度下镶嵌结构的电镀Cu重结晶
作者:
Qing-Tand Jiang
;
Michael E. Thomas
;
Gennadi Bersuker
;
Brendan Foran
;
Robert Mikkola
;
Brad Carpenter
;
John Ormando
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
53.
Prevention of corner voiding in selective CVD deposition of titanium silicide on soi device
机译:
在SOI器件中选择性CVD沉积的角落空隙
作者:
Jer-shen Maa
;
Bruce Ulrich
;
Lisa Stecker
;
Greg Stecker
;
Sheng Teng Hsu
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
54.
Reliability studies of Cu using wafer level joule heated electromigration test
机译:
Cu使用晶圆级焦耳加热电迁移试验的Cu可靠性研究
作者:
Kia Seng Low
;
Poetzlberger Hans
;
Anthony ONeill
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
55.
jAgglomeration of Cu electroplating seed layers on ultra-thin Ta,Ta_1-xN_x,Ta_1-xO_x, Contaminated Ta, and composite Ta/Ta_1-xN_x, diffusion barriers
机译:
超薄TA,TA_1-XN_X,TA_1-XO_X,污染TA和复合TA / TA_1-XN_X,扩散障碍,污染屏障,扩散屏障,CU电镀种子层的曲线传播
作者:
J.W.hartman
;
Helen Yeh
;
H.A.Atwater
;
Imran Hashim
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
56.
Growth kinetics of SiO{sub}2 on (001) Si catalyzed by Cu{sub}3Si at elevated temperatures
机译:
Cu {Sub} 3Si在高温下催化的SiO {Sub} 2的生长动力学
作者:
H. Y. Huang
;
L. J. Chen
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
57.
The intercorrelation between icrostructure and chemical mechanical polish of metal thin films
机译:
金属薄膜IcroStructure与化学机械抛光的互相关
作者:
Wei-Tsu Tseng
;
Ying-Lang Wang
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
58.
Hrtem study of the interfacial reactions of high-temperature sputtered Ti Thin films on preamorphized (001) Si
机译:
HRTEM研究了高温溅射Ti薄膜在前钻(001)Si上的界面反应
作者:
S. M. Chang
;
H. Y. Yang
;
H. Y. Huang
;
L. J. Chen
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
59.
Classification of the modes of dissociation in immiscible Cu-alloy thin films
机译:
不混溶Cu合金薄膜解离方式的分类
作者:
K. Barmak
;
G. A. Lucadamo
;
C. Cabral Jr
;
Lavoie
;
J. M. E. Harper
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
60.
Study of electrochemical deposition of copper and microstructure evolution in fine lines
机译:
细纹铜和微观结构演化的电化学沉积研究
作者:
Stephan Grunow
;
Deda Diatezua
;
Soon-Cheon Seo
;
Timothy Stoner
;
Alain E. Kaloyeros
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
61.
Arsenic-only preamorphization process extension for TiSi{sub}2 formation down to 65-nm gate lengths
机译:
仅用于TISI {SUB} 2的砷前瞻性过程扩展到65nm栅极长度
作者:
A. Losavio
;
P. Sallagoity
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
62.
New contact etch process for embedded DRAM applications
机译:
嵌入式DRAM应用程序的新联系蚀刻过程
作者:
Chan-Lon Yang
;
Tong-Yu Chen
;
Keh-Ching Huang
;
le-Tien Jung
;
Tsu-An Lin Water Lur
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
63.
Microstructural development of dispersion strengthened Cu thin films
机译:
色散发展的分散强化Cu薄膜
作者:
D. Weiss
;
O. Kraft
;
E. Arzt
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
64.
The study of fluorinated amorphous carbon as low-k dielectric material and its interface with copper metallization
机译:
氟化无定形碳作为低k介电材料及其与铜金属界面的研究
作者:
N. Ariel
;
M. Eizenberg
;
E. Y. Tzou
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
65.
Growth and structure of metallic barrier layer and interconnect films I: exeriments
机译:
金属阻挡层和互连薄膜的生长和结构:实验
作者:
D. L. Windt
;
J. Dalla Torre
;
G. H. Gilmer
;
J. Sapjeta
;
R. Kalyanaraman
;
F. H. Baumann
;
P. L. OSullivan
;
D. Dunn
;
R. Hull
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
66.
Effect of nitrogen content on interfacial adhesion of the Ta/SiO{sub}2 interface
机译:
氮含量对Ta / SiO {Sub} 2界面界面粘附的影响
作者:
Michael Lane
;
Reiner Dauskardt
;
Nety Krishna
;
Imran Hashim
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
67.
Highly conformal diffusion barriers of amorphous niobium nitride
机译:
非晶铌氮化物的高度保形扩散屏障
作者:
R. G. Gordon
;
X. Liu
;
R. N. R. Broomhall-Dillard
;
Y. Shi
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
68.
In-situ characterisation of precipitation in Al-Cu thin films
机译:
Al-Cu薄膜沉淀的原位表征
作者:
J. P. Lokker
;
A. J. Bottger
;
G. C. A. M. Janssen
;
S. Radelaar
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
69.
Influence of SiGe thickness on the Co/SiGe/Si solid state reaction
机译:
SiGe厚度对Co / SiGe / Si固态反应的影响
作者:
R. A. Donaton
;
S. Jin
;
H. Bender
;
K. Maex
;
A. Vantomme
;
G. Langouche
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
70.
Sidewall-fence-free Pt etching with an Ar/O{sub}2 mixed gas plasma
机译:
使用Ar / O {Sub} 2混合气体等离子体无侧壁 - 围栏PT蚀刻
作者:
M. C. Chiang
;
F. M. Pan
;
T. C. Wei
;
H. C. Chien
;
J. S. Liou
;
H. K. Chiu
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
71.
Dimer reconstruction at metal-silicide/silicon interfaces: a first-principles study
机译:
金属 - 硅化物/硅接口的二聚体重建:一项第一原理研究
作者:
B. D. Yu
;
Y. Miyamoto
;
O. Sugino
;
A. Sakai
;
T. Sasaki
;
T. Ohno
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
72.
Stress enhanced arsenic diffusion in titanium salicided junctions by implantation into C49 TiSi{sub}2 and rapid thermal annealing
机译:
通过植入到C49 TISI {SUB} 2和快速热退火中,应激增强钛盐隙交叉点的砷扩散
作者:
Dong Kyun Sohn
;
Ji-Soo Park
;
Jong-Uk Bae
;
Yun-Jun Huh
;
Jin Won Park
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
73.
The formation of C54 TiSi_2 in the presence of implanted or deposited molybdenum
机译:
在植入或沉积的钼存在下形成C54 TISI_2
作者:
M.Roux
;
A.Mouroux
;
S.-L.Zhang
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
74.
Oxide mediated Epitaxial growth of CoSi{sub}2 in a single deposition step
机译:
在单个沉积步骤中介导氧化锡{sub} 2的外延生长
作者:
S. Ohmi
;
R. T. Tung
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
75.
Improved Al-fill process technology for sub-0.25 um m interconnect
机译:
改进的AL填充过程技术为SUB-0.25 UM M互连
作者:
S.S.Sengupta
;
M.Narasimhan
;
S.Lee
;
M.Abburi
;
G.Yao
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
76.
Diffusion barriers for mobile ions in 256m DRAMs
机译:
256M DRAM中移动离子的扩散障碍
作者:
J. P. Gambino
;
C. C. Parks
;
S. Hegde
;
A. G. Domenicucci
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
77.
The effect of surface oxides on Cu/Ta interfacial interactions
机译:
表面氧化物对Cu / Ta界面相互作用的影响
作者:
L. Chen
;
B. Ekstrom
;
J. Kelber
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
78.
Formation and stability of Ni(PT) silicide on (100) Si and (111) Si
机译:
Ni(Pt)硅化物的形成和稳定性(100)Si和(111)Si
作者:
D. Mangelinck
;
J. Y. Dai
;
S. K. Lahiri
;
C. S. Ho
;
T. Osipowicz
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
79.
Effects of seeding layers on electroless copper deposition
机译:
播种层对化学铜沉积的影响
作者:
Kai Yu Liu
;
Man Siu Tse
;
Wang Ling Goh
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
80.
Transamination in pulsed DC-plasma enhanced CVD of Ti(C,N) from TDMAT
机译:
来自TDMAT的脉冲DC - 血浆增强CVD的脉冲DC - 血浆增强CVD
作者:
J. P. A. M. Driessen
;
A. D. Kuypers
;
J. Schoonman
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
81.
A beem study of PtSi schottky contacts on ion-milled Si
机译:
离子研磨Si的PTSI肖特基接触的媒体研究
作者:
Guo-Ping Ru
;
C. Detavernier
;
R. A. Donaton
;
A. Blondeel
;
P. Clauws
;
R. L. Van Meirhaeghe
;
F. Cardon
;
K. Maex
;
Xin-Ping Qu
;
Shi-Yang Zhu
;
Bing-Zong Li
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
82.
Copper-based ohmic contacts for the SiGe/Si heterojunction bipolar transistor (HBT) structure
机译:
SiGe / Si异质结双极晶体管(HBT)结构的基于铜的欧姆触点
作者:
K. Das
;
S. A. Alterovitz
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
83.
Characterization of plated Cu thin film microstructures
机译:
镀Cu薄膜微结构的表征
作者:
L. M. Gignac
;
K. P. Rodbell
;
C. Cabral Jr
;
P. C. Andricacos
;
P. M. Rice
;
R. B. Beyers
;
P. S. Locke
;
S. J. Klepeis
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
84.
Integration of PECVD tungsten nitride as a barrier layer for copper metallization
机译:
PECVD钨氮化物作为铜金属化阻挡层的整合
作者:
A. R. Ivanova
;
C. J. Galewski
;
C. A. Sans
;
T. E. Seidel
;
S. Grunow
;
K. Kumar
;
A. E. Kaloyeros
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
85.
Growth kinetics of SiO_2 on (001)Si catalyzed by Cu_3Si at elevated temperatures
机译:
Cu_3Si在升高温度下Cu_3SI催化的SiO_2上的生长动力学
作者:
H.Y.Huang
;
L.J.Chen
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
86.
Mechanisms for microstructure evolution in electroplated copper thin films
机译:
电镀铜薄膜微观结构演化机理
作者:
J. M. E. Harper
;
C. Cabral Jr
;
P. C. Andricacos
;
L. Gignac
;
I. C. Noyan
;
K. P. Rodbell
;
C. K. Hu
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
87.
Diffusion barriers for fluorinated low-k dielectrics
机译:
氟化低k电介质的扩散屏障
作者:
M. DelaRosa
;
A. Kumar
;
H. Bakhru
;
T. M. Lu
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
88.
Effects of ion metal plasma (IMP) titanium deposition on Ti silicide formation
机译:
离子金属等离子体(IMP)钛沉积对Ti硅化物形成的影响
作者:
A. Sabbadini
;
F. Cazzaniga
;
M. Brambilla
;
C. Bresolin
;
V. Cusi
;
T. Marangon
;
G. Queirolo
会议名称:
《Symposium on advanced interconnects and contacts》
|
1999年
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