掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献代查
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
State-of-the-art program on compound semiconductors
State-of-the-art program on compound semiconductors
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
Reduction of surface state density in h_2s plasma treated GaAs
机译:
在H_2S等离子体处理GaAs中降低表面状态密度
作者:
H. Shen
;
W. Zhou
;
J. Pamulapati
;
F. Ren
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
2.
Investigation of process related relaiability for InP-based heterojunction bipolar transistors (HBTs)
机译:
基于INP的异质结双极晶体管(HBT)的过程相关可逆性的调查
作者:
Kursad Klzlloglu
;
Stephen Thomas III
;
Bruce M. Paine
;
Freddie Williams
;
Jr.
;
Charles H. Fields
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
3.
Analysis of two degradation mechanisms in GaInP/GaAs fully planar hbt technology
机译:
GAINP / GAAs完全平面HBT技术中两种降解机制的分析
作者:
C. Maneux
;
N. Labat
;
N. Saysset
;
A. Touboul
;
Y. Danto
;
M. Riet et A. Scavennec
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
4.
Indium phosphide heterojunction bipolar transistor technology for fiber-optic communication circuirs
机译:
用于光纤通信电路的磷化铟异质结双极晶体管技术
作者:
R. Pullela
;
J.P. Mattia
;
G. Georgiou
;
R. Kopf
;
R. Hamm
;
Y. Baeyens
;
H.S. Tsai
;
Y.K. Chen
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
5.
Electrical characteristics of deep sub-micron vertical sige nmosfets
机译:
深亚微米垂直SiGe NMOSFET的电气特性
作者:
K.C. Liu
;
E.J. Quinones
;
X. Chen
;
B. Anantharam
;
X.D. Chen
;
S.K. Ray
;
S. K. Oswal
;
S. K. Banerjee
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
6.
AlGaN/GaN MODFETs for high frequency and high power applications
机译:
用于高频和高功率应用的AlGaN / GaN Modfet
作者:
H. Leier
;
A. Vescan
;
R. Dietrich
;
A. Wieszt
;
H. Tobler
;
J. M. Van Hove
;
P. P. Chow
;
A. M. Wowchak
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
7.
60 GHz InP power HEMTs with 15 #mu#m x 25 #mu#m dry-etched through-substrate vias
机译:
60 GHz INP功率HEMTS,具有15#MU#M x 25#mu#m干蚀刻的通过基板通孔
作者:
R. Grundbacher
;
E. Sabin
;
M. Nishimoto
;
T. P. Chin
;
R. Elmadjian
;
Y. C. Chen
;
V. Medvedev
;
R. Lai
;
D. Yamauchi
;
H. Rodgers
;
M. Barsky
;
G. Schreyer
;
T. Block
;
D. Streit
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
8.
Polycrystal isolation technology for high-speed GaAs hbt-ic's
机译:
高速GaAs HBT-IC的多晶隔离技术
作者:
Kazuhiro Mochizuki
;
Tohru Oka
;
Kiyosh Ouchi
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
9.
An industrial perspective of recent developments in compound semiconductors
机译:
复合半导体最近发展的工业观点
作者:
I. T. Ferguson
;
A. G. Thompson
;
C. Tran. M. Schurman
;
M. Pelczynski
;
S. Li
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
10.
Silicon carbon nitride films deposited by ecr cvd
机译:
ECR CVD沉积的硅氮化硅膜
作者:
C.-W. Fan
;
K.H. Chen
;
J.-J. Wu
;
C.-Y. Wen
;
L.-C. Chen
;
P.-F. Kuo
;
Y.-F. Chen Y.-S. Huang
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
11.
Inp/ingaas heterostructure bipolar transistors using a patterned subcollector
机译:
InP / Ingaas异质结构双极晶体管使用图案化子电阻器
作者:
R.A. Hamm
;
R. Ryan
;
C. Pinzone
;
R. Kopf
;
R. Pullela
;
A. Tate
;
J. Burm
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
12.
R.F. Performances of GaAs hbt's and thermal investigations
机译:
R.F. GaAs HBT和热调查的表演
作者:
A. Cazarre
;
L. Andrieux
;
A. Marty T. Camps
;
J. Tasselli
;
P. Souverain
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
13.
Compound semiconductor devices for low-power high-efficiency radio frequency electronics
机译:
用于低功耗高效射频电子器件的复合半导体器件
作者:
V. M. Hietala
;
A. G. Baca
;
P. C. Chang
;
L. R. Sloan
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
14.
Single wafer pol ymer removal
机译:
单晶圆POL ymer拆卸
作者:
E. Gaulhofer
;
H. Kruwinus
;
F. Kovacs
;
C. Haigermoser
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
15.
Surface chemical treatment for the cleaning of ain and GaN
机译:
清洁AIN和GAN的表面化学处理
作者:
K. N. Lee
;
S. M. Donovan
;
B. Gila
;
M. Overberg
;
J. D. Mackenize
;
C. R. Abernathy
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
16.
Anodic Growth of GaS layers on Al_xGa_(1-x)As in (NH_4)_2 S Solutions
机译:
AL_XGA_(1-x)上的气体层的阳极生长如(NH_4)_2 S解决方案
作者:
S. Delalande
;
J. Nagle
;
J. Olivier
;
C. Debiemme-Chouvy
;
M. Herlem
;
A. Etcheberry
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
17.
Optimized sulfur treatment of AlGaAs surfaces: application to the passivation of dry-etched AlGaAs laser facets
机译:
AlGaAs表面的优化硫处理:应用于干蚀刻藻类激光刻面的钝化
作者:
Jean Olivier
;
Philippe Collot
;
Stephane Delalande
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
18.
Electrical characterization of gallium nitride mis capacitors with an oxide/nitride/oxide gate dielectric synthesized by jet vapor deposition
机译:
喷射气相沉积合成氧化物/氮化物/氧化物栅极电介质的氮化镓MIS电容的电学特性
作者:
B. Gaffey
;
G. Chong
;
L. Guido
;
X. W. Wang
;
T. P. Ma
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
19.
GaN Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
机译:
GaN金属氧化物半导体场效应晶体管
作者:
F. Ren
;
S. J. Pearton
;
C. R. Abernathy
;
A. Baca
;
P. Cheng
;
J. Han
;
R. J. Shul
;
S. N. G. Chu
;
M. Hong
;
J. R. Lothian
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
20.
Submicron InGaAs/AlAs/InP high-electron mobility transistors for high-speed lightwave applications
机译:
用于高速光文应用的亚微米IngaAs / AlaS / InP高电子移动晶体管
作者:
J. S. Weiner
;
Y. C. Wang
;
J. M. Kuo
;
H. S. Tsai
;
D. Sivco
;
A. Y. Cho
;
Y. K. Chen.
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
21.
Highly selective etch process for the manufacture of GaAs power mesfet's
机译:
高度选择性蚀刻工艺,用于制造GaAs Power Mesfet的
作者:
Edward Y. Chang
;
Yeong-Lin Lai
;
Y. S. Lee
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
22.
Effects of strain relaxation on the carrier transport properties on inp-based pseudomorphic high electron mobility structures
机译:
应变松弛对基于INP的载流性高电子迁移率结构的影响
作者:
R.S. Sandhu
;
C.D. Moore
;
M.S. Goorsky
;
L. Wong
;
K. L. Wang
;
H. Jiang
;
T.P. Chin
;
M. Wojtowicz
;
T.R. Block
;
D.C. Streit
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
23.
The effect of Er concentration on the morphology and photoluminescence of GaN:Er
机译:
ER集中对GaN:ER的形态学和光致发光的影响
作者:
M. E. Overberg
;
J. Brand
;
J. D. MacKenzie
;
C. R. Abernathy
;
S. J. Pearton
;
J. M. Zavada
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
24.
Properties and applications of a novel material system, III-N-V
机译:
新型材料系统的性质和应用,III-N-V
作者:
C.W. Tu
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
25.
Non-destructive evaluation of light emitting efficiency in AlGaInP double-heterostructure led wafers by photoluminescence lifetime
机译:
通过光致发光寿命,AlGainP双异质结构LED晶片的发光效率的非破坏性评估
作者:
Shoichi Washizuka
;
Yasuhiko Akaike
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
26.
GaAs Self-aligned jfets with carbon-doped p~+ region
机译:
GaAs自对准JFET与碳掺杂P〜+区域
作者:
A. G. Baca
;
P. C. Chang
;
A. A. Allerman
;
T. J. Drummond
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
27.
Ingaas/inp dhbt structures for high speed circuit applications
机译:
高速电路应用的IngaAs / InP DHBT结构
作者:
R.F. Kopf
;
R.A. Hamm
;
R.W. Ryan
;
A. Tate
;
Y-C. Wang
;
R. Pullela
;
G. Georgiou
;
J-P. Mattia
;
Y. Baeyens
;
H-S. Tsai
;
Y-K. Chen
;
J. Thevin
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
28.
High-density plasma etching of group-iii nitride films for device application
机译:
用于器件应用的III族氮化物膜的高密度等离子体蚀刻
作者:
R. J. Shul
;
L. Zhang
;
A. G. Baca
;
J. Han
;
M. H. Crawford
;
C. G. Willison
;
S. J. Pearton
;
F. Ren
;
J. C. Zolper
;
L. F. Lester
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
29.
AlGaN and GaN ultraviolet photodetectors
机译:
Algan和GaN紫外线光电探测器
作者:
R. Hickman
;
J. M. Van Hove
;
J. J. Klaassen
;
C. J. Polley
;
A. M. Wowchack
;
P. P. Chow
;
D. J. King
;
S. J. Pearton
;
K.B.Jung
;
H.Cho
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
30.
Inductively-coupled plasma deposition of low temperature silicon dioxide and silicon nitride films for iii-v applications
机译:
III-V应用的电感耦合等离子体沉积低温二氧化硅和氮化硅膜
作者:
K. D. Mackenzie
;
J. W. Lee
;
D. Johnson
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
31.
Effect of high-voltage heterojunction bipolar transistor collector design on f_T and f(MAX)
机译:
高压异质结双极晶体管集电器设计对F_T和F(MAX)的影响
作者:
P. C. Chang
;
A. G. Baca
;
C. I. H. Ashby
;
V. M. Hietala
;
Electrochemical Society Inc.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors》
|
1999年
意见反馈
回到顶部
回到首页