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International Conference on VLSI and CAD
International Conference on VLSI and CAD
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1.
Low-power TFT-LCD source driver using triple charge sharing method
机译:
低功耗TFT-LCD源驱动器使用三重电荷共享方法
作者:
Yoo-Chang Sung
;
Byong-Deok Choi
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
2.
Enhanced ACPR technique by class AB in PCS driver amplifier
机译:
PCS驱动放大器中AB的增强ACPR技术
作者:
Jin-Su Ko
;
Jeong-Keun Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
3.
Technology frontiers towards the 21st century: embedded DRAM and the system LSIs-process, circuits, and design technology
机译:
技术前沿朝向21世纪:嵌入式DRAM和系统LSIS-Process,电路和设计技术
作者:
Takeda E.
;
Wantanabe T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
4.
A novel double slope analog-to-digital converter for a high-quality 640/spl times/480 CMOS imaging system
机译:
用于高质量640 / SPL时/ 480 CMOS成像系统的新型双斜率模数转换器
作者:
Oh-Bong Kwon
;
Ki-Nam Park
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
5.
Effect of CMP process on alignment accuracy
机译:
CMP工艺对对准精度的影响
作者:
Hong Jong Kyun
;
Yang Hyun Jo
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
6.
A new analysis technique for the sensitivity of chip performance
机译:
芯片性能敏感性的新分析技术
作者:
Sang-Hoon Lee
;
Dong-Yun Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
7.
Design of an 8-bit neuron MOSFET A/D converter using subranging method
机译:
使用分数法设计8位神经元MOSFET A / D转换器
作者:
Dong-Chual Kang
;
Chang-Il Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
8.
A novel charge pump PLL with reduced jitter characteristics
机译:
一种新型电荷泵PLL,抖动特性降低
作者:
Myoung-Su Lee
;
Tae-Sik Cheung
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
9.
LSI design toward 2010 and low-power technology
机译:
LSI设计朝向2010和低功耗技术
作者:
Sakurai T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
10.
Warpage effect on breakdown voltage of DRAM device
机译:
DRAM装置击穿电压的翘曲效应
作者:
Il-Seok Song
;
Sung-Han Ko
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
11.
Identification and removal of defects on silicon wafer processed with a rinse with/without megasonics in DI water
机译:
用漂冲/没有甲氧化物在DI水中识别和去除硅晶片上的缺陷
作者:
Heui-Gyun Ahn
;
Sang-Young Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
12.
Improved planarization method using sandwiched hard layer (SHaL) CMP
机译:
使用夹层硬层(Shal)CMP改进的平面化方法
作者:
Kim J.Y.
;
Yoon B.U.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
13.
DRAM technology: outlook and challenges
机译:
DRAM技术:展望和挑战
作者:
Comfort J.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
14.
Code generation for embedded processors with complex instructions
机译:
具有复杂指令的嵌入式处理器的代码生成
作者:
Jong-Yeol Lee
;
Hyun-Dhong Yoon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
15.
Asynchronous interaction between FSM and dataflow models
机译:
FSM和DataFlow模型之间的异步交互
作者:
Dohyung Kim
;
Soonhoi Ha
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
16.
Swallow counterless DMP PLL
机译:
吞下反垃圾邮件DMP PLL
作者:
Taewoo Kim
;
Soonseob Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
17.
Device characteristics and reliability for 0.18 /spl mu/m MOSFET with 20 /spl Aring/ gate oxide formed by RTO
机译:
具有由RTO形成的20 / SPL的MOSFET 0.18 / SPL MU / M MOSFET的装置特性和可靠性
作者:
Jeong-Hwan Yang
;
Dae-Rim Kang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
18.
Optimization of repeater size to minimize interconnect line-induced delay time for high performance VLSI circuits
机译:
优化转发器大小,以最小化互连线路诱导的高性能VLSI电路的延迟时间
作者:
Myoung-Jun Jang
;
Hi-Deok Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
19.
HOSP(R) as a low dielectric material: comparative study against hydrogen silsesquioxane
机译:
Hosp(r)作为低介电材料:对比氧化铝喹甲酸酯的比较研究
作者:
Sun-Young Kim
;
Sungwoong Chung
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
20.
A single transistor ferroelectric RAM with nondestructive readout operations
机译:
具有非破坏性读数操作的单个晶体管铁电ram
作者:
Shi-Ho Kim
;
Il-Suk Yang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
21.
A bootstrapped CMOS circuit technique for low-voltage application
机译:
一种用于低压应用的启动CMOS电路技术
作者:
Bai-Sun Kong
;
Dong-Oh Kang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
22.
Investigations in polysilicon CMP to apply in sub-quarter micron DRAM device
机译:
Polysilicon CMP的调查应用于季季度微米DRAM装置
作者:
Jeong Deog Koh
;
Dae Won Suh
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
23.
Optical sensitivity and barrier property depending on ILD layers of CMOS image sensor device
机译:
光学灵敏度和屏障性质取决于CMOS图像传感器装置的ILD层
作者:
Sang Jong Park
;
Kwang Jin Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
24.
A folded bit-line architecture for high speed CMOS SRAM
机译:
用于高速CMOS SRAM的折叠位线架构
作者:
Sejun Kim
;
Ilkwon Chang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
25.
A design of fast searcher for CDMA WLL system
机译:
CDMA WLL系统快速搜索设计
作者:
Yongkwon Cho
;
Seongjoo Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
26.
Metal technology for advanced CMOS devices
机译:
高级CMOS设备的金属技术
作者:
Mogami T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
27.
Digitally-controlled automatic gain control circuits for CMOS CCD electronic cameras
机译:
CMOS CCD电子摄像机的数字控制自动增益控制电路
作者:
You-Jin Cha
;
Jin-Kug Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
28.
A 3 V 200 MHz PLL with a low-noise VCO based on a power-efficient low-ripple DC-DC converter
机译:
3 V 200 MHz PLL,具有基于高功率的低纹波DC-DC转换器的低噪声VCO
作者:
Seung-Chul Lee
;
Joon-Seok Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
29.
Critical path analysis considering the signal transition time
机译:
考虑信号过渡时间的关键路径分析
作者:
Sang-Yaol Hao
;
Ki-Hyan Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
30.
High performance 0.18 um nMOSFET by TED suppression
机译:
高性能0.18 um NMOSFET通过TED抑制
作者:
Hyun-Sik Kim
;
Jong-Hyon Ahn
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
31.
Ultra thin-oxide damage from gate charging during PETEOS deposition processing
机译:
Peteos沉积处理期间栅极充电造成的超薄氧化物损坏
作者:
Young-Gwan Kim
;
Hazoong Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
32.
A novel cell charge evaluation scheme and test method for 4 Mb nonvolatile ferroelectric RAM
机译:
4 MB非易失性铁电RAM的一种新型细胞电荷评价方案及试验方法
作者:
Byung-Gil Jeon
;
Moon-Kyu Choi
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
33.
Evaluation of plasma-induced charging damage on metal contact process
机译:
评价等离子体诱导的金属接触过程充电损伤
作者:
Kyoung-Sub Shin
;
Ji-Soo Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
34.
A precipitation modeling of implantation induced defects
机译:
植入诱导缺陷的降水建模
作者:
Jae-Hee Lee
;
Joon-Sung Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
35.
A bias dependent source/drain resistance model in LDD MOSFET devices for distortion analysis
机译:
LDD MOSFET器件中的偏置源/漏电电阻模型,用于失真分析
作者:
Kwang-Hoon Oh
;
Zhiping Yu
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
36.
Investigation of half-tone phase shift mask with FIB and blue laser repair
机译:
用FIB和蓝色激光修复对半色调相移掩模的研究
作者:
Sang-Man Bae
;
Do-Hwa Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
37.
Current problems of high energy application in memory device fabrication
机译:
存储器件制造中高能量应用的当前问题
作者:
Min K.
;
Sohn Y.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
38.
Wallace-tree based timing-driven synthesis of arithmetic circuits
机译:
基于华莱士树的计时驱动的算术电路合成
作者:
Junghyung Um
;
Taewham Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
39.
A pipelined row address decoding scheme for hierarchical word line structure DRAM
机译:
分层字线结构DRAM的流水线行地址解码方案
作者:
Young-Min Hong
;
Young-Hyun Jun
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
40.
Experimental investigation of temperature dependent RF performances of RF-CMOS devices
机译:
RF-CMOS器件温度依赖性RF性能的实验研究
作者:
Nam S.M.
;
Lee B.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
41.
CoSi/sub 2/ junction leakage with Ti or TiN capping, and device characteristics in embedded DRAM with stack capacitor
机译:
Cosi / Sub 2 /结漏,带Ti或锡覆盖,以及嵌入式DRAM的装置特性,带堆叠电容
作者:
Jong-Rim Lee
;
Soo-Mi Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
42.
Equivalent circuit extraction from the measured S-parameters of electronic packages
机译:
从电子封装的测量S参数提取等效电路提取
作者:
Yong-Ju Kim
;
Oh-Kyoung Kwon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
43.
The effect of ILD material and BPSG densification anneal on the device characteristics
机译:
ILD材料和BPSG致密化退火对器件特性的影响
作者:
Jong-Wan Jung
;
Young-Jong Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
44.
The CMOS temperature sensor and cyclic ADC for low power single chip DTCXO
机译:
用于低功耗单芯片DTCXO的CMOS温度传感器和循环ADC
作者:
Joo-Ho Lee
;
Seon-Ho Han
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
45.
Switched-capacitor circuit techniques in submicron low-voltage CMOS
机译:
亚微米低压CMOS中的开关电容电路技术
作者:
Moon U.
;
Temes G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
46.
High density low power full CMOS SRAM cell technology with STI and CVD Ti/TiN barrier metal
机译:
高密度低功耗全CMOS SRAM电池技术与STI和CVD TI /锡屏障金属
作者:
Soon Moon June
;
Sung Bong Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
47.
Interconnect modeling in deep submicron design
机译:
深度亚微米设计中的互连建模
作者:
Soo-Young Oh
;
Won-Young Jung
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
48.
40 nm electron beam patterning and its application to silicon nano-structure fabrication
机译:
40 nm电子束图案化及其在硅纳米结构制造中的应用
作者:
Sangyeon Han
;
Taejnn Park
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
49.
Optimum barrier layer for Al-PMD (preferential metal deposition) process
机译:
用于Al-PMD(优先金属沉积)过程的最佳阻挡层
作者:
Byung Hee Kim
;
Jong Myeong Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
50.
Thermally stable W-bit line technology for ULSI device application
机译:
用于ULSI器件应用的热稳定W位线技术
作者:
Young Soo Kim
;
Nae Hak Park
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
51.
High speed, energy efficient master-slave flip-flops
机译:
高速,节能主从触发器
作者:
Chun-Ho Kim
;
Lee-Sup Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
52.
Dynamic power supply current test for CMOS SRAM
机译:
CMOS SRAM的动态电源电流测试
作者:
Doe Hyun Yoon
;
Hong Sik Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
53.
High performance CMOS dual-modulus prescaler using selective latch technique
机译:
高性能CMOS双模预分频器使用选择性锁存技术
作者:
Se-Yeob Kim
;
Soon-Seob Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
54.
Simulation method and application for the hot carrier-induced device degradation of NMOSFET
机译:
热载体诱导的NMOSFET降解的仿真方法和应用
作者:
Sun-Ghil Lee
;
Jae-Hoon Choi
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
55.
Dishing and erosion in STI CMP
机译:
在STI CMP中脱离和侵蚀
作者:
Byoung-Ho Kwon
;
Jong-Hyup Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
56.
New corner rounding process for sub-0.15 /spl mu/m shallow trench isolation
机译:
新的拐角圆形过程,用于SUB-0.15 / SPL MU / M浅沟距离
作者:
Weon-Gil Kim
;
Jong-Kook Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
57.
Characteristics of interconnect lines with patterned ground shields and its implication for microwave ICs
机译:
图案地面屏蔽互连线的特性及其对微波IC的含义
作者:
Sang-Gug Lee
;
Hyuk-Yong Gwak
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
58.
Blanket tilt implanted shallow trench isolation (BTI-STI) process for enhanced DRAM retention time characteristics
机译:
毯子倾斜植入浅沟槽隔离(BTI-STI)加工,提高DRAM保留时间特征
作者:
Jeone-Hwan Son
;
Kun-Sik Park
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
59.
Systematic calibration for transient enhanced diffusion of indium and its application to 0.15-/spl mu/m logic devices
机译:
临时增强铟扩散的系统校准及其应用于0.15- / SPL MU / M逻辑器件
作者:
Jun-Ha Lee
;
Seung-Woo Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
|
1999年
60.
Selective oxide trench etch for dual damascene process in a transformer coupled plasma system
机译:
变压器耦合等离子体系统中的双层镶嵌工艺选择性氧化物沟槽蚀刻
作者:
Woo Sung Chu
;
Kuk Han Yoon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
61.
A fast lock-on time mixed mode DLL with 10 ps jitter
机译:
带有10 PS抖动的快速锁定时间混合模式DLL
作者:
Seon-Ho Han
;
Joo-Ho Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
62.
Skew optimization by combining tree-based and graph-based techniques for high performance clock routing
机译:
通过组合基于树和基于图的高性能时钟路由的基于树和图形技术的优化优化
作者:
Kwang-Ki Ryoo
;
Jong-Wha Chong
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
63.
Double precharge TSPC for high-speed dual-modulus prescaler
机译:
用于高速双模预分频器的双预充电TSPC
作者:
Kwan-Yeob Chae
;
Hoon-Jae Ki
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
64.
Self-timed statistical carry lookahead adder using multiple-output DCVSL
机译:
使用多输出DCVSL自定时统计携带寻道加法器
作者:
Jae-Hee Won
;
Kiyoung Choi
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
65.
Self-timed shared division and square-root implementation using full redundant signed digit numbers
机译:
使用全冗余签名的数字数字自定时共享分部和方螺根实现
作者:
Young-Sang Lee
;
Jun-Woo Kang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
66.
Scalable threshold voltage model for deep-submicrometer MOSFET
机译:
深度型MOSFET的可扩展阈值电压模型
作者:
Kahng J.R.
;
Kim J.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
67.
The halo nMOSFET characteristics dependent on the gate profile
机译:
HALO NMOSFET特性取决于栅极轮廓
作者:
Jae-Hyung Kim
;
Jun-Ho Choy
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
68.
A low-complexity VLSI architecture of multidimensional TCM decoder for ADSL
机译:
用于ADSL的多维TCM解码器的低复杂性VLSI体系结构
作者:
Keumhyung Lee
;
Jaeseok Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
69.
Novel Al/sub 2/O/sub 3/ capacitor for high density DRAMs
机译:
高密度DRAM的新型AL / SUB 2 / O / SUB 3 /电容器
作者:
Lim J.S.
;
Kim Y.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
70.
The effects of post annealing on oxide-charge-to-breakdown and interface state in tungsten polycide gate
机译:
后退火后退火对钨聚合栅极氧化荷 - 击穿和界面状态的影响
作者:
Byunghak Lee
;
Sangcheol Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
71.
An efficient turbo decoder architecture for IMT2000
机译:
IMT2000有效的Turbo解码器架构
作者:
In San Jeon
;
Bong Seop Song
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
72.
Interaction among cost functions in placement
机译:
安置中成本函数之间的互动
作者:
Sarrafzadeh M.
;
Maogang Wang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
73.
A multi-threading MPEG processor with variable issue modes
机译:
具有变量问题模式的多线程MPEG处理器
作者:
Woo-Seung Yang
;
Hansoo Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
74.
A BISR (built-in self-repair) circuit for embedded memory with multiple redundancies
机译:
具有多个冗余的嵌入式内存的BISR(内置自修复)电路
作者:
Heon-Cheol Kim
;
Dong-Soon Yi
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
75.
Experimental stress analysis for flip chip BGA packages using strain gauge
机译:
使用应变计的倒装芯片BGA包装实验应力分析
作者:
Moon H.J.
;
Chung T.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
76.
Generation of trench dislocation in 0.25 /spl mu/m logic technology and its elimination
机译:
在0.25 / SPL MU / M逻辑技术中产生沟槽错开及其消除
作者:
Chan-Wook Jeon
;
Yi-Sun Chung
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
77.
Plasma induced charging damage on thin gate oxide
机译:
等离子体诱导薄栅极氧化物的充电损伤
作者:
Soodoo Chae
;
Kyoungjin Yoo
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
78.
WLL base station modem ASIC
机译:
WLL基站调制解调器ASIC
作者:
Iksoo Eo
;
Seongbong Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
79.
Lower power Viterbi decoder architecture with a new clock-gating trace-back unit
机译:
具有新的时钟门控漏段单元的较低功率维特比解码器架构
作者:
Je Hyuk Ryu
;
Sang Cheon Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
80.
Empirical equations on electrical parameters of coupled microstrip lines with one side exposed to air
机译:
耦合微带线电参数的经验方程,一侧暴露于空气
作者:
Young-Soo Sohn
;
Jeong-Cheol Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
81.
Co-development of media-processor and source-level debugger using hardware emulation-based validation
机译:
使用基于硬件仿真的验证的媒体处理器和源级调试器的共同开发
作者:
Yeon-Ho Im
;
Sang-Joon Nam
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
82.
Improved small-signal modeling of RF Si MOSFETs
机译:
改进了RF SI MOSFET的小信号建模
作者:
Seonghearn Lee
;
Hyun Kyu Yu
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
83.
High speed and low swing interface circuits using dynamic over-driving and adaptive sensing scheme
机译:
使用动态过度驾驶和自适应感测方案的高速和低摆动接口电路
作者:
Chang-Ki Kwon
;
Kwang-Myoung Rho
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
84.
Gate oxide thinning effects at the edge of shallow trench isolation in the dual gate oxide process
机译:
双栅极氧化物过程中浅沟槽隔离边缘处的栅极氧化物稀疏效应
作者:
Seok-Woo Lee
;
Ihl Hyun Cho
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
85.
An efficient simultaneous switching noise analysis of high density multi-layer packages and PCBs considering the power and ground planes
机译:
考虑功率和地面平面的高密度多层封装和PCB的高效同时开关噪声分析
作者:
Joon-Ho Choi
;
Young-Seok Hong
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
86.
Low power CMOS digital design for multimedia processors
机译:
用于多媒体处理器的低功耗CMOS数字设计
作者:
Kuroda T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
87.
Silicon MOS memory with self-aligned quantum dot on narrow channel
机译:
硅MOS存储器,窄通道上具有自对准量子点
作者:
Sangyeon Han
;
Taekeun Hwang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
88.
A fast synchronous pipelined DRAM (SP-DRAM) architecture with SRAM buffers
机译:
具有SRAM缓冲区的快速同步流水线DRAM(SP-DRAM)架构
作者:
Chi-Weon Yoon
;
Yon-Kyun Im
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
89.
A high-speed 50 power-saving half-swing clocking scheme for flip-flop with complementary gate and source drive
机译:
具有互补门和源驱动器的触发器的高速50%省电半挥杆时钟方案
作者:
Jin-Cheon Kim
;
Sang-Hoon Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
90.
Backward-annotation of post-layout delay information into high-level synthesis process for performance optimization
机译:
后置延迟信息的后退注释为性能优化的高级合成过程
作者:
Sanghun Park
;
Kihyun Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
91.
POPeye: a system analysis tool for DRAM performance measurement
机译:
POPEYE:DRAM性能测量的系统分析工具
作者:
Yon-Kyun Im
;
Chi-Weon Yoon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
92.
A hardware efficient VLSI implementation of MPEG-4 format conversion filters
机译:
MPEG-4格式转换过滤器的硬件高效VLSI实现
作者:
Kichul Kim
;
Jinjong Cha
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
93.
Design guideline for CMOS drivers with considerations of simultaneous switching noise
机译:
考虑到同时开关噪声的CMOS驱动程序的设计指南
作者:
Sung-Woo Han
;
Oh-Kyong Kwon
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
94.
A study on soft- and hard-breakdowns in MOS capacitors using the parallel stressing method
机译:
使用并联应力法研究MOS电容器软硬片的研究
作者:
Jae-Sung Sim
;
In-Ho Nam
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
95.
The effects of development parameter on line edge roughness in sub-0.20 /spl mu/m line patterns
机译:
开发参数在亚0.20 / SPL MU / M线图案中线边缘粗糙度的影响
作者:
Taejoong Ha
;
Sang Bok Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
96.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
97.
Partitioning framework for less restricted partitioning problems
机译:
分区框架,用于较少限制的分区问题
作者:
Hyunok Oh
;
Soonhoi Ha
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
98.
A cell selection algorithm for area minimization
机译:
用于区域最小化的单元选择算法
作者:
Tae Hoon Kim
;
Young Hwan Kim
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
99.
Retiming for high speed and low power design
机译:
高速和低功耗设计重度
作者:
Hyun-Gyu Kim
;
Hyeong-Cheol Oh
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
100.
Improved etching technique of E-ICP (Enhanced Inductively Coupled Plasma)
机译:
改进E-ICP的蚀刻技术(增强电感耦合等离子体)
作者:
Jae-Seong Jeong
;
Beom-Hoan O
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on VLSI and CAD》
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1999年
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