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International Symposium on Plasma Process-Induced Damage
International Symposium on Plasma Process-Induced Damage
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1.
Effect of wafer bias frequency on microtrenching during high selective gate etching
机译:
晶片偏置频率对高选择性栅极蚀刻过程中微生物的影响
作者:
H. Morioka
;
A. Hasegawa
;
T. Ishida
;
N. Abe
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
2.
Evaluation of charging damage in a plasma doping system
机译:
评估等离子体掺杂系统中的充电损伤
作者:
M. J. Goeckner
;
S. B. Felch
;
Z. Fang
;
J. Weeman
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
3.
Shift of paradigms in microelectronics
机译:
微电子中的范式转移
作者:
Wieder A.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
4.
Plasma process induced degradation of thin inter-polysilicon dielectric layers
机译:
等离子体工艺诱导薄多晶硅介电层的降解
作者:
P. K. Hurley
;
R. Rodrigues
;
P. Kay
;
R. P. S. Thakur
;
D. Clarke
;
E. Sheehan
;
A. Mathewson
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
5.
Plasma damage characterization of the lam TCP 9600PTX high-density, inductively coupled metal etcher and microwave asher
机译:
脉冲损伤表征LAM TCP 9600ptx高密度,电感耦合金属蚀刻器和微波沸器
作者:
Roger Patrick
;
Stanley Siu
;
Scott Baldwin
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
6.
Device effects and charging damage: correlations between SPIDER-MEM and CHARM-2
机译:
设备效果和充电损坏:蜘蛛 - MEM和CHARM-2之间的相关性
作者:
Wes Lukaszek
;
Michael J. Rendon
;
David E. Dyer
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
7.
Plasma diagnosis and charging damage
机译:
血浆诊断和充电损坏
作者:
M. V. Malyshev
;
V. M. Donnelly
;
J. I. Colonell
;
S. Samukawa
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
8.
Comparison between gate oxide degradation induced by copper dual damascene and conventional aluminum processes
机译:
铜双镶嵌和常规铝制工艺诱导栅极氧化物降解的比较
作者:
T. Poiroux
;
M. Heitzmann
;
Y. Morand
;
P. Berruyer
;
G. Turban
;
G. Reimbold
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
9.
Damascene copper integration
机译:
镶嵌铜一体化
作者:
A. K. Stamper
;
J. E. Heidenreich
;
D. C. Hubanks
;
S. L. Luce
;
T. L. McDevitt
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
10.
Impact of reactor- and transistor-type on electron shading effects
机译:
反应器和晶体管型对电子遮阳效应的影响
作者:
Creusen M.
;
Ackaert J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
11.
Process-induced damage in a dual-oxide (3.5/6.8nm) 0.18-μm copper CMOS technology
机译:
处理诱导的双氧化物(3.5 / 6.8nm)0.18-μm铜CMOS技术损伤
作者:
Terence B. Hook
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
12.
Effect of the pattern structures on the charging damage during metal etching
机译:
图案结构对金属蚀刻期间充电损伤的影响
作者:
Akihiro Hasegawa
;
Masaaki Aoyama
;
Toshiyuki Ishida
;
Moritaka Nakamura
;
Koichi Hashimoto
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
13.
On the dependence of plasma-induced charging damage on antenna area
机译:
关于等离子体诱导的充电损伤对天线区域的依赖性
作者:
G. S. Hwang
;
K. P. Giapis
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
14.
Annealing of plasma charging damage and residual degradation in MOS transistors
机译:
MOS晶体管等离子体充电损伤和残留降解的退火
作者:
Tomasz Brozek
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
15.
A method for reducing notching and electron shading damage in a continuous wave ECR metal etcher
机译:
一种减少连续波ECR金属蚀刻器中的缺口和电子遮蔽损伤的方法
作者:
Suguru Tabara
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
16.
Compounding effects of UV exposure, ion bombardment, electron shading and plasma charging in a high density plasma poly etcher
机译:
高密度等离子体聚蚀刻器中UV暴露,离子轰击,电子遮蔽和等离子体充电的复合效应
作者:
Shyue-Shyh Lin
;
Bing-Yue Tsui
;
Chia-Shone Tsai
;
Chin C. Hsia
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
17.
Hardware and process dependence of electron shading damage in a high density plasma oxide etch tool
机译:
高密度等离子体氧化物蚀刻工具中电子遮荫损坏的硬件和过程依赖性
作者:
James Werking
;
William Bosch
;
D. W. McCormackJr.
;
Janet Flanner
;
Gregory Ferguson
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
18.
Evaluation and reduction of charging damage during metal etching
机译:
金属蚀刻期间的充电损坏评估和减少
作者:
Yutaka Omoto
;
Tetsuo Ono
;
Seiichi Watanabe
;
Ken Yoshioka
;
Tatsumi Mizutani
;
Takafumi Tokunaga
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
19.
Detection of magnetically induced plasma charging from passivation level processing using corona-oxide-semiconductor techniques
机译:
使用电晕氧化物 - 氧化物半导体技术检测钝化等离子体充电从钝化水平处理
作者:
Jonathon M. Lobbins
;
Lauri M. Nelson
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
20.
Comparison of CHARM-2 and surface potential measurement to monitor plasma induced gate oxide damage
机译:
魅力-2和表面电位测量的比较监测等离子体诱导栅极氧化物损伤
作者:
Ming-Yi Lee
;
John Hu
;
Wilbur Catabay
;
Philippe Schoenborn
;
Aldona Butkus
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
21.
Plasma vacuum ultraviolet emission in a high density etcher
机译:
高密度蚀刻器中的等离子体真空紫外线发射
作者:
C. Cismaru
;
J. L. Shohet
;
J. P. McVittie
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
22.
Plasma damage evaluation using matched transistors and determination of damage prevention options
机译:
使用匹配晶体管的等离子体损伤评估和损坏预防选择的测定
作者:
John Ellis
;
Alain R. Comeau
;
Richard Porter
;
John Bossingham
;
Goran Alestig
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
23.
Dependence of plasma damage on density and T{sub}e in a decoupled plasma source metal etcher
机译:
等离子体源金属蚀刻器中的等离子体损伤对密度和T {Sub} E的依赖性
作者:
S. W. Downey
;
M. V. Malyshev
;
V. M. Donnelly
;
J. I. Colonell
;
N. Layadi
;
J. Yamartino
;
A. Paterson
;
H. Chen
;
P. Loewenhardt
;
Dan Bohman
;
Nigel Singh
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
24.
Plasma induced damage from HDP process on the ultra-thin gate oxide
机译:
等离子体诱导超薄栅极氧化物上的HDP工艺损伤
作者:
Shoumian Chen
;
John Sudijono
;
Chandima Perera
;
Yin Jin
;
Fanny Susilo
;
Xu Zeng
;
A. Vijay Kumar
;
Jianqing Wen
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
25.
Effect of low temperature deuterium annealing on plasma process induced damage
机译:
低温氘退火对等离子体工艺诱导损伤的影响
作者:
S. H. Lee
;
Y. K. Kim
;
Y. H. Lee
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
26.
Characterization of ion implanter electron flood guns using charge pumping and threshold voltage measurements
机译:
使用电荷泵和阈值电压测量来表征离子注入机电子洪水枪
作者:
W. D. Sawyer
;
P. W. Mason
;
R. S. Santiesteban
;
E. J. Persson
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
27.
Application of the deuterium sintering process to improve the device design rule in reducing plasma induced damages
机译:
氘烧结过程在减少等离子体诱导损伤时改进装置设计规则
作者:
Young-Kwang Kim
;
Seok-Ha Lee
;
Hyui-Seung Lee
;
Bong-Seok Kim
;
Yong-Hee Lee
;
Jinju Lee
;
Kangguo Cheng
;
Zhi Chen
;
Karl Hess
;
Joseph W. Lyding
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
28.
Study of the influence of process parameters on gate oxide degradation during contact etching in MERIE and HDP reactors
机译:
MERIE和HDP反应器接触蚀刻过程中工艺参数对栅极氧化物降解的影响研究
作者:
T. Poiroux
;
F. Pascal
;
M. Heitzmann
;
P. Berruyer
;
G. Turban
;
G. Reimbold
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
29.
Process-induced damage by a low energy neutral beam source
机译:
低能量中性光束源的过程引起的损伤
作者:
Xianmin Tang
;
Qi Wang
;
Dennis M. Manos
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
30.
Plasma damage during dielectric etch in high density plasma etcher
机译:
高密度等离子体蚀刻器中介电蚀刻过程中的等离子体损坏
作者:
Bing-Yue Tsui
;
Shyue-Shyh Lin
;
Chia-Shone Tsai
;
Chin C. Hsia
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
31.
Minimizing charge-up damage during dielectric etchers' hardware and process development stages
机译:
最小化介电蚀刻器的硬件和过程开发阶段期间的充电损坏
作者:
H. Shan
;
C. H. Bjorkman
;
R. A. Lindley
;
K. Collins
;
M. Rice
;
G. Z. Yin
;
M. D. Welch
;
R. Ramanathan
;
J. Werking
;
D. Galley
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
32.
Charging protection and degradation by antenna environment on NMOS and PMOS transistors
机译:
NMOS和PMOS晶体管天线环境充电和降解
作者:
J. P. Carrere
;
D. R. Heslinga
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
33.
The sensitivity of electron shading damage to electron temperature, electron density and the plasma-to-wafer electron energy threshold
机译:
电子遮蔽损伤对电子温度,电子密度和等离子体到晶片电子能量阈值的敏感性
作者:
John M. Yamartino
;
Peter K. Loewenhardt
;
Kenlin Huang
;
Hui Chen
;
Alex M. Paterson
;
Yan Ye
;
John J. Helmsen
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
34.
Charge-up damage of dual gate transistor during RF pre-cleaning of metal contact before barrier metal deposition
机译:
在屏障金属沉积之前RF预清洗金属接触期间双栅极晶体管的电荷损坏
作者:
Wan-Jae Park
;
Kyoung-Sub Shin
;
Ji-Soo Kim
;
Chang-Jin Kang
;
Tae-Hyuk Ahn
;
Joo-Tae Moon
;
Moon-Yong Lee
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
35.
Pulse-time-modulated plasma etching for high performance polysilicon patterning on thin gate oxides
机译:
用于薄栅极氧化物上的高性能多晶硅图案化的脉冲时调制等离子体蚀刻
作者:
Hiroto Ohtake
;
Seiji Samukawa
;
Ko Noguchi
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
36.
Control of performance degradation induced by contact etching for a ferroelectric capacitor using a pulsed-power inductively coupled plasma
机译:
使用脉冲功率电感耦合等离子体对铁电电容器接触蚀刻引起的性能劣化控制
作者:
O. Sung Kwon
;
Chang Ju Choi
;
Chanro Park
;
Yeo Song Seol
;
Il Hyun Choi
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
37.
Fast hot-carrier aging method of charging damage measurement
机译:
充电损伤测量的快速热载体老化方法
作者:
K. P. Cheung
;
E. J. Lloyd
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
38.
Reduction of charging damage of gate oxide by time modulation bias method
机译:
用时间调制偏置法减少栅极氧化物充电损伤
作者:
Tetsuo Ono
;
Yutaka Oomoto
;
Tatsumi Mizutani
;
Ken Yoshioka
;
Yoshibumi Ogawa
;
Naoyuki Kofuji
;
Masaru Izawa
;
Yasuo Goto
;
Tokuo Kure
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
39.
A study of effects of plasma-induced charging damage on hot-carrier lifetime using pre-stressed data
机译:
使用预应力数据对热载体寿命的血浆诱导充电损伤的影响研究
作者:
B. Bhuva
;
P. Mongkolkachit
;
N. Bui
;
S. Kerns
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
40.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
41.
Impact of reactor-and transistor-type on electron shading effects
机译:
反应器和晶体管式对电子遮阳效应的影响
作者:
Martin Creusen
;
Jan Ackaert
;
Eddy De Backer
;
Guido Groeseneken
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
42.
Reduction and non-uniformity of high density plasma process induced electrical degradation in MOS devices
机译:
高密度等离子体工艺的减少和不均匀性诱导MOS装置中的电解
作者:
Pei-Jer Tzeng
;
Jen-Chieh Li
;
Chun-Chen Yeh
;
Kuei-Shu Chang-Liao
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
43.
Relationship between plasma damage, SILC and gate-oxide reliability
机译:
等离子体损伤,硅胶和栅极可靠性之间的关系
作者:
K. P. Cheung
;
Q. Lu
;
N. A. Ciampa
;
C. T. Liu
;
C. P. Chang
;
J. I. Colonell
;
W. Y. C. Lai
;
R. Liu
;
J. F. Miner
;
H. Vaidya
;
C. S. Pai
;
J. T. Clemens
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
44.
Plasma-induced charging damage in ultrathin (3nm) nitrided oxides
机译:
超血浆诱导的超薄(3nm)氮化氧化物的充电损伤
作者:
C. C. Chen
;
H. C. Lin
;
C. Y. Chang
;
M. S. Liang
;
C. H. Chien
;
S. K. Hsien
;
T. Y. Huang
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
45.
Antenna ratio definition for VLSI circuits
机译:
VLSI电路的天线比定义
作者:
Paul Simon
;
Jan-Marc Luchies
;
Wojciech Maly
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
46.
Evaluation of rapid thermal nitrided ONO interpoly dielectric resistance to plasma process-induced damage
机译:
快速热氮化ONO的评价介电耐药于等离子体过程诱导的损伤
作者:
C. L. Cha
;
E. F. Chor
;
H. Gong
;
A. Q. Zhang
;
Z. Dong
;
L. Chan
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
47.
Alternative interpretation of plasma processing damage data to facilitate comparisons between oxide etchers
机译:
等离子体处理损伤数据的替代解释,便于氧化物蚀刻器之间的比较
作者:
Helen L. Maynard
;
Jennifer Colonell
;
Jim Werking
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
48.
Evaluation and reduction of electron shading damage in high temperature etching
机译:
高温蚀刻中电子遮荫损坏的评估和减少
作者:
K. Nojiri
;
K. Kato
;
H. Kawakami
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
49.
Effects of processing pressure on device damage in RF biased ECR CVD
机译:
处理压力对射频偏置ECR CVD器件损伤的影响
作者:
Stephan E. Lassig
;
Vahid Vahedi
;
Neil Benjamin
;
Paul Mulgrew
;
Richard Gottscho
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
50.
The prevention of charge damage on thin gate oxide from high density plasma deposition
机译:
从高密度等离子体沉积预防薄栅氧化物上的电荷损伤
作者:
H. H. Shih
;
C. Y. Tsai
;
G. S. Yang
;
K. C. Chen
;
T. R. Yew
;
W. Lur
;
F. T. Liou
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
51.
Suppression of topography dependent charging using a phase-controlled pulsed inductively coupled plasma
机译:
使用相位控制的脉冲电感耦合等离子体抑制地形取决于充电
作者:
Kyoung-Sub Shin
;
Wan-Jae Park
;
Ji-Soo Kim
;
Chang-Jin Kang
;
Tae-Hyuk Ahn
;
Joo-Tae Moon
;
Moon-Yong Lee
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
52.
Evaluation of charging damage caused by the pattern structures during Al etching
机译:
蚀刻期间图案结构引起的充电损坏的评估
作者:
Naoki Tamitani
;
Rie Kogure
;
Yuji Takaoka
;
Ichiro Moriyama
;
Hideyuki Yamauchi
;
Yasushi Takakura
;
Seayoul Park
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
|
1999年
53.
Plasma damage impact on NMOS electrical characteristics during a CCS stress
机译:
血浆损伤CCS应力期间NMOS电气特性的影响
作者:
L. Pantisano
;
A. Paccagnella
;
P. Colombo
;
M. G. Valentini
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
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1999年
54.
Effect of plasma density and uniformity, electron temperature, process gas, and chamber on electron shading damage
机译:
等离子体密度和均匀性,电子温度,工艺气体和腔室对电子遮阳损伤的影响
作者:
Stanley Siu
;
Roger Patrick
;
Vahid Vahedi
;
Simone Alba
;
Grazia Valentini
;
Paolo Colombo
会议名称:
《International Symposium on Plasma Process-Induced Damage》
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1999年
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