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International symposium on high purity silicon
International symposium on high purity silicon
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1.
Surface pit formation and time dependent growth during hydrogen annealing of cz Siwafers
机译:
CZ Siwafers氢退火过程中的表面坑形成和时间依赖生长
作者:
Ki-Man Bae
;
G. A. Rozgonyi
;
Ji-Shik Shin
;
Han-Seog Oh
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
2.
Use of non-contact techniques in characterization of silicon epi growth process
机译:
使用非接触技术在硅EPI生长过程中的表征中
作者:
M. C. Nguyen
;
A. Danel
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
3.
Use of non-contact resistivity measurements for epitaxy: surface charge profiler method
机译:
使用非接触式电阻率测量的外延:表面电荷分析方法
作者:
A. Danel
;
F. Tardif
;
G. Kamarinos
;
M. C. Nguyen
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
4.
Defect evolution in ion implanted silicon
机译:
离子植入硅中的缺陷演变
作者:
J. L. Benton
;
S. Libertino
;
D. J. Eaglesham
;
S. Coffa
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
5.
Effect of dopants and oxygen precipitation on low-temperature out-diffusion and gettering of Cu in silicon wafer
机译:
掺杂剂和氧气沉淀对硅晶片中铜低温外扩散和吸收的影响
作者:
M. B. Shabani
;
S. Okuuchi
;
T. Yoshimi
;
T. Shingyoji
;
F. G. Kirscht
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
6.
Determination of intrinsic point defect properties in silicon by analyzing osf ring dynamics and void formation
机译:
通过分析OSF环动态和空隙形成,测定硅中的内在点缺陷性能
作者:
E. Dornberger
;
T. Sinno
;
J. Esfandyari
;
J. Vanhellemont
;
R. A. Brown
;
W. von Ammon
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
7.
The engineering of silicon wafer material properties through vacancy concentration profile control and the achievement of ideal oxygen precipitation behavior
机译:
通过空位浓度分布控制和理想氧沉淀行为的硅晶片材料特性的工程
作者:
R. Falster
;
D. Gambaro
;
M. Olmo
;
M. Cornara
;
H. Korb
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
8.
A vacancy/oxygen based model describing radial distribution of voids, ring-ose and aop in ring structure of cz silicon crystals
机译:
描述CZ硅晶体环结构中空隙,环-OSE和AOP的径向分布的空位/氧气
作者:
Ki-Man Bae
;
G. A. Rozgonyi
;
Jong-Rok Kim
;
Han-Seog Oh
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
9.
Oxygen precipitation and stacking fault formation in wafers with a transition from vacancy-rich to interstitial-rich
机译:
硅沉淀和堆叠故障形成,从空置丰富到富有的空白富有的过渡
作者:
G. Kissinger
;
G. Morgenstern
;
T. Grabolla
;
H. Richter
;
J. Vanhellemont
;
U. Lambert
;
D. Graf
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
10.
Generation of dislocations at nitride edges during oxygen precipitation and the influence of boron concentration
机译:
氧沉淀过程中氮化物边缘的脱位和硼浓度的影响
作者:
G. Obermeier
;
H. Bernt
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
11.
Micro-Mapping of Fe atoms Aggregated on MOS Device Structure
机译:
Fe原子的微映射在MOS器件结构上聚集
作者:
Hiroshi Tomita
;
Mami Saito
;
Soichi Nadahara
;
Hironori Shiotani
;
Hisashi Muraoka
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
12.
Re-dissolving vpd-txrf-droplets of 300 mm wafer for the determination of inorganic anions by capillary electrophoreis
机译:
重新溶解300mm晶片的VPD-TxRF液滴,用于测定毛细管电泳的无机阴离子
作者:
L. Fabry
;
Th. Ehmann
;
S. Pahike
;
L. Kotz
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
13.
Radiation induced defects in silicon
机译:
辐射诱导硅中的缺陷
作者:
S. J. Watts
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
14.
Formation of cristobalite at surface of silica glasses in contact with liquid silicon
机译:
在与液体硅接触的二氧化硅玻璃表面的形成的ristobalite
作者:
M. T amura
;
A. Ikari
;
M. Hasebe
;
W. Ohashi
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
15.
Minority carrier diffusion length changes in si substrate due to a high temperature annealing
机译:
由于高温退火,少数载波扩散长度在Si衬底中变化
作者:
P. Bellutti
;
M. Calderara
;
M. Porrini
;
M. Cornara
;
M. Olmo
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
16.
Thermal oxygen donors with an anomalous small electron capture cross section
机译:
具有异常小电子捕获横截面的热氧供应器
作者:
V. B. Neimash
;
V. M. Siratskii
;
A. M. Kraichinskii
;
O. O. Puzenko
;
C. Claeys
;
E. Simoen
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
17.
Oxygen transport in the czochralski growth of 300 mm diameter silicon crystal
机译:
氧气运输在Czochralski的生长300 mm直径的硅晶体
作者:
T. Zhang
;
G.-X. Wang
;
H. Zhang
;
F. Ladeinde
;
V. Prasad
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
18.
Investigation of low resistivity as-grown cz silicon materials by visible and infrared light scattering techniques
机译:
通过可见光和红外光散射技术对低电阻率降低的CZ硅材料进行研究
作者:
R. Kumpe
;
J. Vanhellemont
;
J. Lang
;
U. Lambert
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
19.
Formation behavior of grown-in defects in silicon during czochralski crystal growth
机译:
Czochralski晶体生长期间硅成长缺陷的形成行为
作者:
T. Saishoji
;
K. Nakamura
;
H. Nakajima
;
T. Yokoyama
;
F. Ishikawa
;
J. Tomioka
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
20.
Diffusion model of point defects in silicon crystals during melt-growth
机译:
熔融生长期间硅晶体点缺陷的扩散模型
作者:
K. Nakamura
;
T. Saishoji
;
J. Tomioka
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
21.
High resistivity ntd-production and applications
机译:
高电阻率NTD-生产和应用
作者:
P. E. Schmidt
;
J. Vedde
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
22.
Estimation of radial resistivity profile of FZ-Si crystals by numerical simualtion
机译:
数值模拟估计FZ-SI晶体径向电阻率分布
作者:
Shinji Togawa
;
Yokichi Nishi
;
Masakazu Kobayashi
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
23.
Diagnostic tools and characterisation techniques for large area integrated capacitors on high resistivity microstrip detectors
机译:
高电阻率微带探测器大面积集成电容的诊断工具和表征技术
作者:
D. Lucchetti
;
C. Bozzi
;
R. Dell Orso
;
A. Messineo
;
G. Tonelli
;
P. G. Verdini
;
R. Wheadon
;
R. Della Marina
;
P. Weiss
;
A. Diligenti
;
A. Nannini
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
24.
Influence of metal contamination on minority carrier recombination lifetime in silicon
机译:
金属污染对少数载体重组寿命的影响
作者:
Armin Kempf
;
Peter Blochl
;
Alois Huber
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
25.
Selective nucleation mechanism of trace metal contaminants at surface defects of silicon wafers in aqueous fluoride solution
机译:
含氟硅晶片表面缺陷在含氟硅晶溶液中的痕量金属污染物的选择性成核机理
作者:
Takayuki Homma
;
Christopher E. D. Chidsey
;
Masaharu watanabe
;
Kiyoshi Nagai
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
26.
Derivation of defect formation history from dislocation distribution in locally oxidized silicon structures
机译:
局部氧化硅结构中位错分布的缺陷形成史的推导
作者:
I. V. Peidous
;
C. H. Gan
;
R. Sundaresan
;
S. K. Lahiri
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
27.
Accurate infrared absorption measurement of interstitial and precipitated oxygen in heavily doped silicon
机译:
大量掺杂硅的间质和沉淀氧的精确红外吸收测量
作者:
O. De Gryse
;
P. Clauws
;
L. Rossou
;
J. Van Landuyt
;
J. Vanhellemont
;
W. Mondelaers
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
28.
P-n junction diagnostics of the electrical epi-layer quality: a feasibility study
机译:
P-N结诊断电气ePI层质量:可行性研究
作者:
E. Simoen
;
A. Poyai
;
C. Claeys
;
A. Czerwinski
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
29.
Effect of substrate defects on goi of ultra-thin gate oxides
机译:
基材缺陷对超薄栅极氧化物GOI的影响
作者:
T. R. Bearda
;
J. Vanhellemont
;
P. W. Mertens
;
M. Heyns
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
30.
In-situ measurements of local temperature fluctuations in the melt of 4' fz silicon crystal growth in comparison with numerical calculations
机译:
与数值计算相比,在4“FZ硅晶体生长中的局部温度波动的原位测量
作者:
A. Ludge
;
H. Riemann
;
T. Turschner
;
A. Muhlbauer
;
A. Muiznieks
;
G. Raming
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
31.
Hydrogen enhanced thermal donor formation in ptype czochralski silicon with denuded zone
机译:
Ptype Czochralski硅的氢增强热量形成,具有裸露的区域
作者:
A. G. Ulyashin
;
A. N. Petlitsii
;
R. Job
;
W. R. Fahrner
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
32.
Development of a modified silicon wafer clean to improve lifetime
机译:
改进的硅晶片清洁以提高寿命
作者:
D. L. Hackenberg
;
B. J. Butler
;
R. C. Cameron
;
J. H. Linn
;
R. N. Lobmeyer
;
J. M. McNamara
;
R. V. Pasqua
;
S. Rafie
;
G. V. Rouse
;
S. T. Slasor
;
T. A. Valade
;
W. J. Wereb
;
P. D. Yates
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
33.
Recent progress in understanding oxygen precipitation in silicon
机译:
理解硅沉淀的最新进展
作者:
J. Vanhellemont
;
J. Esfandyari
;
G. Obermeier
;
E. Dornberger
;
D. Graf
;
U. Lambert
;
G. Kissinger
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
34.
Gettering of Fe, Cu and Ni in MeV Ion Implanted Epitaxial Silicon
机译:
MEV离子植入外延硅的Fe,Cu和Ni的吸收
作者:
S. Koveshnikov
;
O. Kononchuk
;
K. Beaman
;
G. A. Rozgonyi
;
F. Gonzalez
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
35.
Discrimination of defects on silicon wafers by their light scattering behavior
机译:
通过光散射行为辨别硅晶片的缺陷
作者:
F. Passek
;
H. Piontek
;
A. Luger
;
P. Wagner
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
36.
The role of oxygen impurities in the formation of grown-in laser scattering tomography defects in silicon single crystals
机译:
氧气杂质在硅单晶中形成生长激光散射断层缺陷的作用
作者:
Masashi Nishimura
;
Yuji Yamaguchi
;
Kozo Makamura
;
Jaroslaw Jablonski
;
Masaharu Watanabe
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
37.
Float-zone pedestal growth of thin silicon filaments
机译:
漂浮区薄硅丝长丝的基座生长
作者:
T. F. Ciszek
;
T. H. Wang
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
38.
Effect of Trace Amounts of Al Surface Contamination On Oxidation Growth Kinetics of Ultrathin Gate Oxides
机译:
痕量的Al表面污染对超薄栅极氧化物氧化生长动力学的影响
作者:
Ronald P. Chiarello
;
Hongmei Liao
;
C. Robert Helms
;
Scott Craig
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
39.
Optimization of silicon epitaxial wafers for microcontamination and particle performance
机译:
微污染和粒子性能硅外延晶片优化
作者:
Ann Waldhauer
;
Paul B. Comita
;
AnnaLena Thilderkvist
;
Eda Tuncel
;
David Carlson
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
40.
Iron-gallium pair defects in float-zoned silicon
机译:
浮动沉积硅的铁镓对缺陷
作者:
T. F. Ciszek
;
T. H. Wang
;
W. A. Doolittle
;
A. Rohatgi
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
41.
Oxygen precipitation behavior in 300 mm polished czochralski silicon wafers
机译:
300毫米抛光Czochralski硅晶片中的氧气降水行为
作者:
T. Ono
;
G. A. Rozgonyi
;
C. Au
;
T. Messina
;
R. K. Goodall
;
H. R. Huff
会议名称:
《International symposium on high purity silicon》
|
1998年
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