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Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference

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召开地：San Francisco, CA
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1.Copper-SilK integration in a 0.18 μm double level metalinterconnect

机译：铜-SilK集成在0.18μm双层金属中相互联系
- 作者：Demolliens O.;Berruyer P.;Morand Y.;Tabone C.;Roman A.;Cochet M.;Assous M.;Feldis H.;Blanc R.;Tabouret E.;Louis D.;Arvet C.;Lajoinie E.;Gobil Y.;Passemard G.;Jourdan F.;Moussavi M.;Cordeau M.;Morel T.;Mourier T.;Ulmer L.;Sicurani E.;Tardif F.;Beverina A.;Trouillet Y.;Renaud D.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
2.Integration of low k methyl silsesquioxane in a non-etchback/CMPprocess for 0.25 μm LSI device

机译：低k甲基倍半硅氧烷在非蚀刻/ CMP中的集成0.25μmLSI器件的制造工艺
- 作者：Jeong H.D.;Park H.S.;Shin H.J.;Kim B.J.;Kang H.K.;Lee M.Y.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
3.A high performance and reliable low-k inter-metal dielectric usinghydrogen silsesquioxane (HSQ)

机译：高性能和可靠的低k金属间电介质，使用氢倍半硅氧烷（HSQ）
- 作者：Cheng Y.Y.;Jang S.M.;Yu C.H.;Sun S.C.;Liang M.S.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
4.Cleans for Al vias in a 0.175 μm dual damascene process

机译：采用0.175μm双镶嵌工艺清洁Al通孔
- 作者：Gambino J.;Clevenger L.;Costrini G.;Schnabel F.;Ravikumar R.;Dobuzinsky D.;Iggulden R.;Dziobkowski C.;Wildman H.;Benedict J.;Bruley J.;Domenicucci A.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
5.Etch process development for FLARETM for dual damascenearchitecture using a N₂/O₂ plasma

机译：用于双镶嵌的FLARE TM 的蚀刻工艺开发N _{2 / O _{2 等离子体的体系结构}}
- 作者：Thompson H.W.;Vanhaelemeersch S.;Maex K.;Van Ammel A.;Beyer G.;Coenegrachts B.;Vervoort I.;Waeterloos J.;Struyf H.;Palmans R.;Forester L.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
6.Process integration of a direct-on-metal, non-etchback, κ=2.5spin-on polymer for the 0.18 μm CMOS technology node

机译：直接在金属上进行非刻蚀的工艺集成，κ= 2.5适用于0.18μmCMOS技术节点的旋涂聚合物
- 作者：Sum J.C.;Ray G.W.;Ma S.;Kavari R.;MacInnes L.M.;Treadwell C.A.;Dunne J.;Hacker N.P.;Figge L.K.;Hendricks N.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
7.Technology challenges for advanced Cu CMP using a new slurry freeprocess

机译：使用新型无浆料的高级Cu CMP的技术挑战处理
- 作者：Matsumoto M.;Suzuki K.;Sakamoto T.;Kamisawa A.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
8.A new pad-scanning, local-CMP (PASCAL-CMP) technique for reliableCu-damascene interconnect formation

机译：一种新的焊盘扫描，本地CMP（PASCAL-CMP）技术，可确保可靠性铜大马士革互连形成
- 作者：Hayashi Y.;Onodera T.;Sasaki N.;Tanaka K.;Samitu Y.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
9.A comparison of via overetch variations between conventional Al-Wand dual-inlaid copper integrations

机译：常规Al-W之间的过孔蚀刻变化比较和双镶嵌铜集成
- 作者：Smith B.;Blackley S.;Carter R.;Chheda S.;Crabtree P.;Farber D.;Gall M.;Islam R.;Jawarani D.;King C.;Menke D.;Nelson R.;Pressley L.;Smith D.;Sparks T.;Stephens T.;Travis E.;Venkatesan S.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
10.BLOκTM-a low-κ dielectric barrier/etch stopfilm for copper damascene applications

机译：BLOκ TM -低κ介电阻挡层/蚀刻停止层铜镶嵌应用薄膜
- 作者：Ping Xu;Kegang Huang;Patel A.;Rathi S.;Tang B.;Ferguson J.;Huang J.;Ngai C.;Loboda M.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
11.A manufacturable and reliable low-k inter-metal dielectric usingfluorinated oxide (FSG)

机译：一种可制造且可靠的低k金属间电介质，使用氟化氧化物（FSG）
- 作者：Chang W.;Jang S.M.;Yu C.H.;Sun S.C.;Liang M.S.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
12.A mechanism of stress-induced metal void in narrow aluminum-basedmetallization with the HDP CVD oxide dielectric

机译：狭窄铝基中应力引起的金属空隙的机理使用HDP CVD氧化物电介质进行金属化
- 作者：Soo Geun Lee;Heok-Sang Oh;Sun-Rae Kim;Seung-Heon Song;Sun Hu Park;U-In Chung;Geung Won Kang
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
13.A low redeposition rate high density plasma CVD process for highaspect ratio 175 nm technology and beyond

机译：低沉积速率的高密度等离子体CVD工艺可实现高长宽比175 nm技术及更高
- 作者：Lee G.Y.;Ivers T.H.;Papasouliotis G.D.;Kiewra E.W.;Ning X.J.;Van Schravendijk B.J.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
14.Carbon-doped copper as a high-conductivity liner forcopper/benzocyclobutene (BCB) interconnects

机译：碳掺杂铜作为高导电衬铜/苯并环丁烯（BCB）互连
- 作者：Neirynck J.M.;Xiao Y.;Gutmann R.J.;Murarka S.P.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
15.A high aspect ratio sub 0.2 micron Al plug technology for 0.13μm generation

机译：高深宽比低于0.2微米的Al塞技术，适用于0.13微米产生
- 作者：Tsung-Ju Yang;Tzu-Kun Ku;Tze-Liang Lee;Bing-Yue Tsui;Lai-Juh Chen;Chin Hsia
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
16.A high Q on-chip Cu inductor post process for Si integratedcircuits

机译：用于Si集成的高Q片上Cu电感器后处理电路
- 作者：Rogers J.;Liang Tan;Smy T.;Tait N.;Tarr G.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
17.The projected power consumption of a wireless clock distributionsystem and comparison to conventional distribution systems

机译：无线时钟分配的预计功耗系统以及与常规配电系统的比较
- 作者：Floyd B.A.;O K.K.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
18.A fully integrated pillar process for high performance Cuinterconnect scheme

机译：完全集成的高性能铜支柱工艺互连方案
- 作者：Kajita A.;Higashi K.;Matsunaga N.;Shibata H.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
19.Experimental determination of the importance of inductance insub-micron microstrip lines

机译：实验确定电感的重要性亚微米微带线
- 作者：Friar R.J.;Neikirk D.P.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
20.Challenges of aluminum RIE technology at sub 0.45 μm pitchesDRAM interconnects

机译：小于0.45μm间距的铝RIE技术面临的挑战DRAM互连
- 作者：Ravikumar R.;Filippi R.G.;Iggulden R.C.;Kiewra E.W.;Kirihata T.;Kitahara H.;Lee G.Y.;Liegl B.;Matsunaga T.;Ning X.J.;Rath D.L.;Stojakovic G.;Weber S.J.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
21.Managing the interconnect continuum...from silicon to package andboard

机译：管理互连连续性...从硅到封装板
- 作者：Siu B.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
22.Interconnect performance modeling for 3D integrated circuits withmultiple Si layers

机译：具有3D集成电路的互连性能建模多个硅层
- 作者：Souri S.J.;Saraswat K.C.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
23.Al deposition temperature process window for 0.20 μm Al RIEinterconnections

机译：0.20μmAl RIE的Al沉积温度工艺窗口相互联系
- 作者：Clevenger L.A.;Honda M.;Ravikumar R.;Stojakovic G.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
24.Comparative study of PE-BPSG and HDP-PSG as PMD for 0.25 μmmemory device

机译：PE-BPSG和HDP-PSG作为0.25μmPMD的比较研究存储设备
- 作者：Jengyi Yu;Gopalan P.;Feng J.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
25.Fluorine effects on silicidation ofBF₂+-implanted narrow poly lines

机译：氟对硅化的影响BF _{2 + 植入的窄多义线}
- 作者：Yap C.W.;Soh-Yun Siah;Lim E.H.;Lee T.K.;Gn F.H.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
26.Electromigration simulation under DC/AC stresses consideringmicrostructure

机译：考虑DC / AC应力下的电迁移模拟微观结构
- 作者：Wei Zhang;Bernstein J.B.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
27.Titanium corrosion in 0.25 μm metal interconnects

机译：0.25μm金属互连中的钛腐蚀
- 作者：Leong-Tee Koh;Kho-Liep Chok;He Ming Li;Chooi S.Y.M.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
28.Low-k materials etch and strip optimization for sub 0.25 μmtechnology

机译：低k材料的蚀刻和剥离优化，厚度小于0.25μm技术
- 作者：Gao T.;Gray W.D.;Van Hove M.;Rosseel E.;Struyf H.;Meynen H.;Vanhaelemeersch S.;Maex K.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
29.Analysis of interconnect delay for 0.18 μm technology and beyond

机译：0.18μm及更高技术的互连延迟分析
- 作者：Shien-Yang Wu;Boon-Khim Liew;Young K.L.;Yu C.H.;Sun S.C.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
30.Process integration of double level copper-low k (k=2.8)interconnect

机译：双层铜低k（k = 2.8）的工艺集成相互联系
- 作者：Naik M.;Parikh S.;Li P.;Educato J.;Cheung D.;Hashim I.;Hey P.;Jenq S.;Pan T.;Redeker F.;Rana V.;Tang B.;Yost D.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
31.Material property characterization and integration issues formesoporous silica

机译：的材料特性表征和集成问题中孔二氧化硅
- 作者：Ryan E.T.;Huei-Min Ho;Wen-li Wu;Ho P.S.;Gidley D.W.;Drage J.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
32.Thermal impact and process diagnosis of copper chemical mechanicalpolish

机译：铜化工机械的热影响及过程诊断抛光
- 作者：Hung-Wen Chiou;Zong-Huei Lin;Liang-Hsuan Kuo;Shing-Yih Shih;Lai-Juh Chen;Chin Hsia
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
33.Modeling on hydrodynamic effects of pad surface roughness in CMPprocess

机译：CMP中垫表面粗糙度的流体动力效应建模处理
- 作者：Nishioka T.;Sekine K.;Tateyama Y.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
34.Post etch cleaning of dual damascene system integrating copper andSiLKTM

机译：集成铜和铜的双镶嵌系统的蚀刻后清洗SiLK TM
- 作者：Louis D.;Peyne C.;Arvet C.;Lajoinie E.;Maloney D.;Lee S.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
35.Highly 〈111〉 textured Cu film formation on CVD-TiN filmby Ti underlayer and Ar sputter etch for damascene interconnection

机译：在CVD-TiN膜上形成高度<111>织构化的Cu膜通过Ti底层和Ar溅射蚀刻实现镶嵌互连
- 作者：Sekiguchi M.;Sato H.;Harada T.;Etoh R.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
36.Copper barrier properties of ultrathin PECVD W_xN

机译：超薄PECVD W _{x N的铜阻挡层性能}
- 作者：Vijayendran A.;Danek M.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
37.Investigation of Ta, TaN and TaSiN barriers for copperinterconnects

机译：铜的Ta，TaN和TaSiN势垒的研究相互联系
- 作者：Qing-Tang Jiang;Faust R.;Lam H.;Mucha J.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
38.Gate oxide damage reduction and antenna yield improvement using lowtemperature preclean for sub-0.25 μm metallization

机译：降低栅极氧化损伤并提高天线产量预清洗温度低于0.25μm的金属
- 作者：Li X.;Hausmann G.;Subramani M.;Ngan K.;Yee N.;Chen J.;Parkhe V.;Stimson B.;Narasimhan M.;Chen F.;Young D.;Wood J.;Masterson S.;Abdul-Ridha H.;Cadieux C.;Brongo M.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
39.Post etch residue removal: novel dry clean technology usingdensified fluid cleaning (DFC)

机译：去除蚀刻后残留物：采用以下技术的新型干洗技术致密流体清洗（DFC）
- 作者：Beery D.;Reinhardt K.;Smith P.B.;Kelley J.;Sivasothy A.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
40.Influence of sidewall roughness on the reliability of 0.20-μm AlRIE wiring

机译：侧壁粗糙度对0.20μmAl可靠性的影响RIE配线
- 作者：Ravikumar R.;Cichy H.;Filippi R.G.;Kiewra E.W.;Rath D.L.;Stojakovic G.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
41.SiLK CMP process: interaction with slurries studied by surfacecharacterization techniques

机译：SiLK CMP工艺：通过表面研究与浆料的相互作用表征技术
- 作者：Kuchenmeister F.;Schubert U.;Heeg J.;Wenzel C.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
42.Optimization of copper CVD film properties using the precursor ofCu(hfac)(tmvs) with variations of additive content

机译：使用前驱体优化铜CVD膜的性能Cu（hfac）（tmvs）具有不同的添加剂含量
- 作者：Zhang M.;Kobayashi A.;Koide T.;Sekiguchi A.;Okada O.;Hosokawa N.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
43.Embedded organic low-κ structures for sub-0.18 μm CMOSVLSI MLM: integration and etching issues

机译：适用于0.18μm以下CMOS的嵌入式有机低κ结构VLSI MLM：集成和蚀刻问题
- 作者：Maynard H.L.;Pai C.S.;Case C.B.;Adebanjo R.O.;Baker M.R.;Tai W.W.;Ruichen Liu
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
44.PVD aluminum dual damascene interconnection: yield comparisonbetween counterbore and self aligned approaches

机译：PVD铝双镶嵌互连：产量比较在沉孔和自对准方法之间
- 作者：Blosse A.;Raghuram U.;Thekdi S.;Koutny B.;Lau G.;Koh S.L.;Goodenough C.;Pouedras T.;Sethuraman A.;Geha S.;Chowdhury T.;Guggilla S.;Krishna N.;Su J.;Cha C.;Yao G.;Price J.B.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
45.High frequency simulation and characterization of advanced copperinterconnects

机译：高级铜的高频仿真和表征相互联系
- 作者：Cregut C.;Le Carval G.;Chilo J.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
46.New interconnect capacitance characterization method for multilevelmetal CMOS processes

机译：一种新的多级互连电容表征方法金属CMOS工艺
- 作者：Froment B.;Guichard E.;Borot B.;Hanriat S.;Cluzel J.;Schoellkopf J.-P.;Jaouen H.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
47.Length, scaling, and material dependence of crosstalk betweendistributed RC interconnects

机译：串扰之间的长度，比例和材料依赖性分布式RC互连
- 作者：Davis J.A.;Meindl J.D.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
48.Circuit impact and skew-corner analysis of stochastic processvariation in global interconnect

机译：随机过程的电路影响和偏角分析全球互连的变化
- 作者：Nakagawa O.S.;Chang N.;Lin S.;Sylvester D.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
49.Impact of substrate resistivity on the high frequency performanceof metal interconnect

机译：基片电阻率对高频性能的影响金属互连
- 作者：Jenei S.;Koldyaev V.;Decoutere S.;Kuhn R.;Deferm L.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
50.High density metal insulator metal capacitors using PECVD nitridefor mixed signal and RF circuits

机译：使用PECVD氮化物的高密度金属绝缘体金属电容器用于混合信号和射频电路
- 作者：Kar-Roy A.;Chun Hu;Racanelli M.;Compton C.A.;Kempf P.;Jolly G.;Sherman P.N.;Jie Zheng;Zhe Zhang;Aiguo Yin
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
51.Cu dual damascene for advanced metallisation (0.18 μm andbeyond)

机译：用于高级金属化（0.18μm和超越）
- 作者：Torres J.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
52.New effect of Ti-capping layer in Co salicide process promising fordeep sub-quarter micron technology

机译：钛覆盖层在钴硅化物工艺中的新作用有望深亚微米技术
- 作者：Ja-Hum Ku;Chul-Sung Kim;Chul-Joon Choi;Fujihara K.;Ho-Kyu Kang;Moon-Yong Lee;Ju-Hyuck Chung;Eung-Joon Lee;Jang-Eun Lee;Dae-Hong Ko
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
53.Electromigration early failure distribution in submicroninterconnects

机译：亚微米级电迁移早期失效分布相互联系
- 作者：Gall M.;Ho P.S.;Capasso C.;Jawarani D.;Hernandez R.;Kawasaki H.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
54.Overcoming sheet resistance effects to enable electroplating ofcopper onto seedless barrier films

机译：克服薄层电阻效应，实现电镀铜镀在无籽阻挡膜上
- 作者：Takahashi K.M.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
55.Optimization of damascene feature fill for copper electroplatingprocess

机译：电镀铜镶嵌特征的优化处理
- 作者：Reid J.;Bhaskaran V.;Contolini R.;Patton E.;Jackson R.;Broadbent E.;Walsh T.;Mayer S.;Schetty R.;Martin J.;Toben M.;Menard S.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
56.Non-correlated behavior of sheet resistance and stress duringself-annealing of electroplated copper

机译：薄层电阻与应力的不相关行为电镀铜的自退火
- 作者：Brongersma H.;Vervoort I.;Judelwicz M.;Bender H.;Conard T.;Vandervorst W.;Beyer G.;Richard E.;Palmans R.;Lagrange S.;Maex K.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
57.Electron spin resonance (ESR) characterization of defects in low-kdielectrics

机译：低k缺陷的电子自旋共振（ESR）表征电介质
- 作者：Moussavi M.;Passemard G.;Maisonobe J.C.;Turek P.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
58.The investigation of electroplating deposited copper films foradvanced VLSI interconnection

机译：电镀铜薄膜的研究。先进的VLSI互连
- 作者：Chen H.C.;Yang M.S.;Wu J.Y.;Lur W.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
59.High frequency modeling of interconnects in deep-submicrontechnologies

机译：深亚微米互连的高频建模技术
- 作者：Cregut C.;Le Carval G.;Chilo J.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
60.Metal bit-line common contact integration technology in 0.17μm-DRAM and merged DRAM in logic devices

机译：金属位线通用触点集成技术0.17逻辑设备中的μm-DRAM和合并的DRAM
- 作者：Siyoung Choi;Bong-Young Yoo;Jae-Hak Kim;Seung-Man Choi;Hyeon-Deok Lee;Ho-Kyu Kang;Yong-Jik Park;Jong-Woo Park;Moon-Yong Lee
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
61.Plasma charge-induced corrosion of tungsten-plug vias in CMOSdevices

机译：等离子体电荷诱发CMOS中钨塞通孔的腐蚀设备
- 作者：Jang-Eun Lee;Ju-Hyuk Chung;Heungsoo Park;Tae Wook Seo;Sun-Hoo Park;U-In Chung;Geung-Won Kang;Moon-Yong Lee
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
62.Comparative investigation of plating conditions on self-annealingof electrochemically deposited copper films

机译：自退火中电镀条件的比较研究电化学沉积铜膜
- 作者：Ritzdorf T.;Chen L.;Fulton D.;Dundas C.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
63.Electrical stability and microstructural evolution in thin films ofhigh conductivity copper alloys

机译：薄膜的电稳定性和微观结构演变。高电导率铜合金
- 作者：Suwwan de Felipe T.;Murarka S.P.;Ajayan P.M.;Bonevich J.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》
64.Cu interconnect technologies in Fujitsu and problems in installingCu equipment in an existing semiconductor manufacturing line

机译：富士通的铜互连技术和安装问题现有半导体生产线中的铜设备
- 作者：Yamada M.;Yagi H.;Sugatani S.;Miyajima M.;Matsunaga D.;Hosoda T.;Kudo H.;Misawa N.;Nakamura T.
- 会议名称：《Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference》