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Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual
Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual
召开年:
召开地:
New Orleans, LA
出版时间:
-
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1.
The development of a foundry compatible power MMIC productiontechnology
机译:
铸造兼容电源MMIC生产的开发技术
作者:
Davies I.
;
Bestwick P.R.
;
Davies B.P.
;
Jessup M.
;
Vanner K.C.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
2.
Ku
-band MMIC upconverter for mobile satellitecommunications
机译:
用于移动卫星的
Ku e1>频段MMIC上变频器通讯
作者:
Dunn D.L.
;
Bruckner C.L.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
3.
Quantitative analysis of mask misalignment and its effect on deviceperformance
机译:
掩膜未对准及其对器件影响的定量分析性能
作者:
Mah M.Y.
;
King J.M.
;
Worley R.D.
;
Gillespie J.
;
Neidhard R.A.
;
Melvin W.L.
;
Hwang J.C.M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
4.
Integration and packaging of GaAs MMIC subsystems using siliconmotherboards
机译:
使用硅的GaAs MMIC子系统的集成和封装主板
作者:
Geller B.
;
Tyler J.
;
Holdeman L.
;
Phelleps F.
;
Cline P.
;
Laird G.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
5.
Advanced packaging and low cost manufacturing techniques for GaAsmicrowave modules
机译:
GaAs的先进封装和低成本制造技术微波模块
作者:
Niehenke E.D.
;
Sacks F.E.
;
Kline M.D.
;
Simon A.
;
Luce W.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
6.
FET-FET logic: a high performance, high noise margin E/D logicfamily
机译:
FET-FET逻辑:高性能,高噪声裕量E / D逻辑家庭
作者:
LaRue G.
;
Williams T.
;
Chan P.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
7.
A manufacturable 0.4 μm process for high-performance LSIcircuits
机译:
可制造的0.4μm工艺用于高性能LSI电路
作者:
Sadler R.A.
;
Studtmann G.D.
;
Singh H.P.
;
Geissberger A.E.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
8.
A high-capacitance ratio implanted MMIC varactor for broadbandphase shifters and tuners
机译:
用于宽带的高电容比植入式MMIC变容二极管移相器和调谐器
作者:
Eldridge G.W.
;
Driver M.C.
;
Sopira M.M.
;
Smith T.J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
9.
A new interfacing method `SCFL-interfacing' is proposed forultra-high-speed logic ICs
机译:
提出了一种新的接口方法“ SCFL-interface”,用于超高速逻辑集成电路
作者:
Takada T.
;
Ohtsuka H.
;
Ohhata M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
10.
Low temperature coefficient of resistance, GaPt/PtAs
2
integrated circuit resistor
机译:
电阻温度系数低,GaPt / PtAs
2 sub>集成电路电阻
作者:
Camp W.O. Jr.
;
Genova V.J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
11.
Use of two-dimensional process and device modeling to solve somereal problems in GaAs MESFET design and analysis
机译:
使用二维过程和设备建模来解决一些问题GaAs MESFET设计和分析中的实际问题
作者:
Anholt R.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
12.
An improved MMIC design system composed of an electron beam directdrawing, microwave simulation and on-wafer measurement subsystems
机译:
由电子束直接构成的改进的MMIC设计系统绘图,微波仿真和晶圆上测量子系统
作者:
Yamada T.
;
Nishida M.
;
Sawai T.
;
Harada Y.
;
Nakakado T.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
13.
A novel FET structure of buried plated heat sink for superior highperformance GaAs MMICs
机译:
一种新颖的场效应管结构,可实现超高的埋入式电镀散热器性能砷化镓MMIC
作者:
Okaniwa K.
;
Ishikawa T.
;
Kosaki K.
;
Komaru M.
;
Notani Y.
;
Kobiki M.
;
Mitsui Y.
;
Orisaka S.
;
Nishitani K.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
14.
A high speed production die sort system for high gain MMICreceivers
机译:
用于高增益MMIC的高速生产管芯分选系统接收者
作者:
Dammann C.A.
;
Wallave P.W.
;
Miller D.F.
;
Bayruns R.J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
15.
GaAs high-speed data transfer network for a parallel processingsystem
机译:
GaAs高速数据传输网络,用于并行处理系统
作者:
Kitaura Y.
;
Kameyama A.
;
Terada T.
;
Uchitomi N.
;
Sudo T.
;
Maeda A.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
16.
New device technologies developed in the Japanese national projecton super computer system
机译:
日本国家项目开发的新设备技术在超级计算机系统上
作者:
Yanazawa H.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
17.
High speed 8:1 multiplexer and 1:8 demultiplexer implanted withAlGaAs/GaAs HBTs
机译:
植入了高速8:1多路复用器和1:8多路解复用器AlGaAs / GaAs HBT
作者:
Nubling R.B.
;
Yu J.
;
Wang K.C.
;
Asbeck P.M.
;
Sheng N.H.
;
Chang M.F.
;
Pierson R.L.
;
Sullivan G.J.
;
McDonald M.A.
;
Price A.J.
;
Chen D.M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
18.
Monolithic GaAs
W
-band pseudomorphic MODFET amplifiers
机译:
单片GaAs
W e1>带伪态MODFET放大器
作者:
Sequeira H.B.
;
Duncan S.W.
;
Eskandarian A.
;
Golja B.A.
;
Martel D.C.
;
Southwick S.B.
;
Svensson S.P.
;
Trippe M.W.
;
Tu D.W.
;
Weinreb S.
;
Byer N.E.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
19.
Manufacturing technology and yield studies for MMIC 5-bit digitalattenuators and phase-shifters
机译:
MMIC 5位数字的制造技术和成品率研究衰减器和移相器
作者:
Gupta R.
;
Holdeman L.
;
Carlson H.
;
Potukuchi J.
;
Hogan K.
;
Pande K.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
20.
Stepper technology in 0.5 μm GaAs monolithic microwaveintegrated circuits (MMIC) applications
机译:
0.5μmGaAs整体微波中的步进技术集成电路(MMIC)应用
作者:
Fink S.L.
;
Chi T.Y.
;
Wang D.C.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
21.
Reliability and failure analysis of MMIC amplifier fabricated onvarious GaAs substrates
机译:
MMIC放大器的可靠性和故障分析。各种砷化镓衬底
作者:
Esfandiari R.
;
Sato T.
;
Furuya J.
;
Pawlowicz L.
;
Lee L.J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
22.
12th Annual GaAs IC Symposium. Technical Digest 1990 (Cat.No.90CH2889-4)
机译:
第十二届年度砷化镓集成电路研讨会。 1990年技术摘要(目录编号90CH2889-4)
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
23.
A 7 K gate self-testable scalar-product processor for highdefinition video transmission applications
机译:
7 K门可自我测试的标量积处理器,可实现高输出高清视频传输应用
作者:
Lowe K.S.
;
Kim S.
;
Sitch J.E.
;
Fortier M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
24.
A Rh/Au/Rh rigid air-bridge interconnection technique forultra-high speed GaAs LSIs
机译:
Rh / Au / Rh刚性气桥互连技术用于超高速GaAs LSI
作者:
Inoue T.
;
Tomita K.
;
Kitaura Y.
;
Terada T.
;
Uchitomi N.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
25.
A
K
-band single-chip transmitter
机译:
K e1>波段单芯片发射机
作者:
Hirota T.
;
Muraguchi M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
26.
Design and applications of a 3:1 bandwidth GaAs monolithic spiralquadrature hybrid
机译:
3:1带宽GaAs单片螺旋的设计和应用正交混合
作者:
Ali F.
;
Podell A.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
27.
A 6- to 18-GHz two-stage distributed low noise amplifier designedfor high yield
机译:
设计了6至18 GHz两级分布式低噪声放大器高产
作者:
Culver J.
;
Bacon P.
;
Hoff G.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
28.
A monolithic
X
-band 3 W power amplifier with 4.5 GHzbandwidth
机译:
具有4.5 GHz的单片
X e1>波段3 W功率放大器带宽
作者:
LeSage S.R.
;
Mendes M.J.
;
Sullivan F.J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
29.
An
X
-band high-efficiency ion-implanted MMIC poweramplifier
机译:
X e1>波段高效离子注入MMIC电源功放
作者:
Le H.
;
Shih Y.C.
;
Chi T.
;
Kasel K.
;
Wang D.C.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
30.
A Q-band monolithic balanced resistive HEMT mixer usingCPW/slot-line balun
机译:
Q波段单片平衡电阻式HEMT混频器CPW /槽线巴伦
作者:
Chen T.H.
;
Ton T.N.
;
Dow G.S.
;
Nakano K.
;
Liu L.C.T.
;
Berenz J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
31.
AlGaAs/GaAs HBT receiver ICs for a 10 Gbps optical communicationsystem
机译:
用于10 Gbps光通信的AlGaAs / GaAs HBT接收器IC系统
作者:
Akagi J.
;
Kuriyama Y.
;
Morizuka K.
;
Asaka M.
;
Tsuda K.
;
Obara M.
;
Yamakawa H.
;
Ibe H.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
32.
A very small MMIC variable filter based on a new active filterdesign concept
机译:
基于新型有源滤波器的超小型MMIC可变滤波器设计理念
作者:
Suwaki H.
;
Ohira T.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
33.
A GaAs pin-for-pin compatible replacement for the ECL 100474 4 KSRAM
机译:
GaAs引脚对引脚兼容的替代品,用于替代ECL 100474 4 KSRAM
作者:
Fiedler A.
;
Kang D.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
34.
A high-speed GaAs 16 Kb SRAM of 4.4 ns/2 W using triple-level metalinterconnection
机译:
使用三级金属的4.4 ns / 2 W高速GaAs 16 Kb SRAM互连
作者:
Nakano H.
;
Noda M.
;
Sakai M.
;
Matsue S.
;
Oku T.
;
Sumitani K.
;
Makino H.
;
Takano H.
;
Nishitani K.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
35.
W
-band monolithic mixer using InAlAs/InGaAs HEMT
机译:
使用InAlAs / InGaAs HEMT的
W e1>带单片混频器
作者:
Kwon Y.
;
Pavlidis D.
;
Tutt M.
;
Ng G.I.
;
Brock T.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
36.
A
Q
-band monolithic AlGaAs/GaAs HEMT CPW downconverter
机译:
一个
Q e1>带单片AlGaAs / GaAs HEMT CPW下变频器
作者:
Ton T.N.
;
Chen T.H.
;
Dow G.S.
;
Nakano K.
;
Liu L.C.T.
;
Berenz J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
37.
A multi-chip packaged GaAs 16×16 bit parallel multiplier
机译:
多芯片封装GaAs 16×16位并行乘法器
作者:
Sekiguchi T.
;
Sawada S.
;
Hirose T.
;
Nishiguchi M.
;
Shiga N.
;
Hayashi H.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
38.
Reliability analysis of GaAs/AlGaAs HBTs under forwardcurrent/temperature stress
机译:
前向GaAs / AlGaAs HBT的可靠性分析电流/温度应力
作者:
Hafizi M.E.
;
Pawlowicz L.M.
;
Tran L.T.
;
Umemoto D.K.
;
Streit D.C.
;
Oki A.K.
;
Kim M.E.
;
Yen K.H.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
39.
An accurate system for automated on-wafer characterization ofthree-port devices
机译:
一个精确的系统,可自动对晶圆进行晶圆表征三端口设备
作者:
Selmi L.
;
Estreich D.B.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
40.
High-speed characteristics of multilayer ceramic packages and testfixtures
机译:
多层陶瓷封装的高速特性和测试固定装置
作者:
Smith D.H.
;
Savara R.M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
41.
Millimeter wave monolithic IC's using direct ion implantation in toGaAs LEC substrates
机译:
使用直接离子注入的毫米波单片ICGaAs LEC衬底
作者:
Lau C.L.
;
Feng M.
;
Hwang T.
;
Lepkowski T.
;
Ito C.
;
Dunn V.
;
Hodges N.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
42.
Extraction of accurate switched linear network models for highperformance GaAs MESFET logic gates
机译:
提取准确的线性开关网络模型性能GaAs MESFET逻辑门
作者:
Parker A.E.
;
Skellern D.J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
43.
Effects of semi-insulating gallium arsenide substrate properties onsilicon implanted active layer
机译:
半绝缘砷化镓衬底性能对其的影响硅注入有源层
作者:
Orito F.
;
Watanabe K.
;
Yamada Y.
;
Yamamoto O.
;
Yajima F.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
44.
10-Gbit/s GaAs MESFET IC's for ultra high-speed transmissionsystems
机译:
10-Gbit / s GaAs MESFET IC,用于超高速传输系统
作者:
Togashi M.
;
Ohhata M.
;
Murata K.
;
Kindoh H.
;
Ino M.
;
Suzuki M.
;
Yamane Y.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
45.
Development of static random access memories using complementaryheterostructure insulated gate field effect transistor technology
机译:
利用互补技术开发静态随机存取存储器异质结构绝缘栅场效应晶体管技术
作者:
Grider D.E.
;
Akinwande A.I.
;
Mactaggart R.
;
Ruden P.P.
;
Nohava J.C.
;
Nohava T.E.
;
Breezley J.E.
;
Joslyn P.
;
Tetzlaff D.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
46.
The 200 MHz- and 1.5 GHz-band GaAs monolithic quadrature modulatorICs
机译:
200 MHz和1.5 GHz频段的GaAs单片正交调制器集成电路
作者:
Maemura K.
;
Kohno Y.
;
Nakano H.
;
Shimura T.
;
Oki K.
;
Ishida H.
;
Ishihara O.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
47.
High speed dual modulus dividers using AlInAs-GaInAs HBT ICtechnology
机译:
使用AlInAs-GaInAs HBT IC的高速双模分频器技术
作者:
Jensen J.F.
;
Stanchina W.E.
;
Metzger R.A.
;
Rensch D.B.
;
Allen Y.K.
;
Pierce M.W.
;
Kargodorian T.V.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1990. Technical Digest 1990., 12th Annual》
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