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IEEE Symposium on VLSI Technology
IEEE Symposium on VLSI Technology
召开年:
2016
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-
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条结果
1.
Design and Technology Solutions for 3D Integrated High Performance Systems
机译:
3D集成高性能系统的设计和技术解决方案
作者:
G. Van der Plas
;
E. Beyne
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Solid modeling;
Three-dimensional displays;
Memory management;
System integration;
Magnetic liquids;
Very large scale integration;
Silicon;
2.
First InGaAs/InAlAs Single-Photon Avalanche Diodes (SPADs) Hetero Integrated with Si Photonics on SOI Platform for 1550 nm Detection
机译:
首先Ingaas / Inalas单光子雪崩二极管(Spads)异质与SII平台上的Si Photonics集成为1550 nm检测
作者:
Jishen Zhang
;
Haiwen Xu
;
Gong Zhang
;
Yue Chen
;
Haibo Wang
;
Kian Hua Tan
;
Satrio Wicaksono
;
Chao Wang
;
Chen Sun
;
Qiwen Kong
;
Charles Ci Wen Lim
;
Soon-Fatt Yoon
;
Xiao Gong
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
Image edge detection;
Employment;
Very large scale integration;
Silicon;
Gratings;
Electric fields;
3.
Bandgap-tunable III‐V‐OI Photonics Platform with Quantum Well Intermixing for Versatile Active-passive Integration of Chip-scale Photonic Integrated Circuits
机译:
带隙可调III-V-oi光子凝固平台,具有量子阱沉想,用于芯片尺度光子集成电路的多功能主动集成
作者:
N. Sekine
;
K. Toprasertpong
;
S. Takagi
;
M. Takenaka
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Integrated optics;
Wafer bonding;
Ion implantation;
Photonic band gap;
Optical switches;
Photonic integrated circuits;
Very large scale integration;
4.
First Demonstration of Waveguide-Coupled Ge0.92Sn0.08/Ge Multiple-Quantum-Well Photodetector on the SOI Platform for 2-μm Wavelength Optoelectronic Integrated Circuit
机译:
SOI平台上的波导耦合GE0.92SN0.08 / GE多量子孔光电探测器的首先说明2μm波长光电集成电路
作者:
Haibo Wang
;
Yue Chen
;
Jishen Zhang
;
Gong Zhang
;
Yi-Chiau Huang
;
Xiao Gong
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Space technology;
Couplers;
Dark current;
Very large scale integration;
Gratings;
Flip-chip devices;
Bonding;
5.
Development of Advanced Inter-Color-Filter Grid on Sub-Micron-Pixel CMOS Image Sensor for Mobile Cameras with High Sensitivity and High Resolution
机译:
具有高灵敏度和高分辨率的移动摄像机子微米像素CMOS图像传感器的高级滤色器电网开发
作者:
In-Sung Joe
;
Yunki Lee
;
Hye Yeon Park
;
Jong Uk Kim
;
Dongyeon Kang
;
Taehoon Kim
;
Minkwan Kim
;
Kwangmin Lee
;
Minsung Heo
;
Inho Ro
;
Jinhyung Kim
;
Inyong Park
;
Seokjin Kwon
;
Kisang Yoon
;
Dami Park
;
Changkyu Lee
;
Eunyoung Jo
;
Minhwan Jeon
;
Chanho Park
;
Kyung Rae Byun
;
Chong Kwang Chang
;
JaeSung Hur
;
Kijoong Yoon
;
Taeksoo Jeon
;
Jaehak Lee
;
Jungho Park
;
Bumsuk Kim
;
JungChak Ahn
;
Hyunchul Kim
;
Chang-Rok Moon
;
Hyoung-Sub Kim
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Optical filters;
Optical losses;
Sensitivity;
Optical diffraction;
Image resolution;
Diffraction;
Optical crosstalk;
6.
A Photon-Counting 4Mpixel Stacked BSI Quanta Image Sensor with 0.3e- Read Noise and 100dB Single-Exposure Dynamic Range
机译:
计数光子计数4mpixel堆叠BSI量子图像传感器,具有0.3E - 读取噪声和100dB单曝光动态范围
作者:
Jiaju Ma
;
Dexue Zhang
;
Omar Elgendy
;
Saleh Masoodian
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Image sensors;
Temperature measurement;
Temperature sensors;
Temperature distribution;
Histograms;
Dynamic range;
Probability density function;
7.
Solid state qubits: how learning from CMOS fabrication can speed-up progress in Quantum Computing
机译:
固态Qubits:如何从CMOS制造中学习如何加速量子计算的进展
作者:
I. P. Radu
;
R. Li
;
A. Potočnik
;
T. Ivanov
;
D. Wan
;
S. Kubicek
;
N. I. Dumoulin Stuyck
;
J. Verjauw
;
J. Jussot
;
Y. Canvel
;
C. Godfrin
;
M. Mongillo
;
R. Acharya
;
A. Elsayed
;
M. Shehata
;
X. Piao
;
A. Pacco
;
L. Souriau
;
S. Couet
;
B. T. Chan
;
J. Craninckx
;
B. Parvais
;
A. Grill
;
S. Narasimhamoorthy
;
S. Van Winckel
;
S. Brebels
;
F. A. Mohiyaddin
;
G. Simion
;
B. Govoreanu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Fabrication;
Temperature distribution;
Quantum system;
Qubit;
Layout;
Very large scale integration;
Parallel processing;
8.
High-performance InGaAs-On-Insulator HEMTs on Si CMOS for Substrate Coupling Noise-free Monolithic 3D Mixed-Signal IC
机译:
用于衬底耦合无噪声整体3D混合信号IC的Si CMOS上的高性能Indaas-on绝缘体HEMTS
作者:
Jaeyong Jeong
;
Seong Kwang Kim
;
Jongmin Kim
;
Dae-Myeong Geum
;
Juyeong Park
;
Jae-Hyung Jang
;
SangHyeon Kim
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Radio frequency;
Voltage measurement;
HEMTs;
CMOS technology;
Silicon;
Indium gallium arsenide;
Transistors;
9.
External I/O interfaces in sub-5nm GAA NS Technology and STCO Scaling Options
机译:
子5NM GaA NS技术和STCO缩放选项中的外部I / O接口
作者:
W.-C. Chen
;
S.-H. Chen
;
G. Hellings
;
E. Bury
;
M. Simicic
;
Z. Wu
;
G. Van der Plas
;
G. Groeseneken
;
E. Beyne
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Degradation;
Three-dimensional displays;
Gallium arsenide;
Layout;
Logic gates;
Very large scale integration;
Distortion;
10.
Critical Role of GIDL Current for Erase Operation in 3D Vertical FeFET and Compact Long-term FeFET Retention Model
机译:
GIDL电流在3D垂直FEFET中擦除操作的关键作用和紧凑长期FFFET保留模型
作者:
Fei Mo
;
Jiawen Xiang
;
Xiaoran Mei
;
Yoshiki Sawabe
;
Takuya Saraya
;
Toshiro Hiramoto
;
Chun-Jung Su
;
Vita Pi-Ho Hu
;
Masaharu Kobayashi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Solid modeling;
Low voltage;
Three-dimensional displays;
Process control;
Switches;
Very large scale integration;
Logic gates;
11.
Materials to Systems in Semiconductor Manufacturing and Beyond
机译:
半导体制造和超越系统的材料
作者:
Omkaram Om Nalamasu
;
Chorng-Ping Chang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Industries;
Fabrication;
Technological innovation;
Time to market;
Very large scale integration;
Tools;
Packaging;
12.
Forksheet FETs for Advanced CMOS Scaling: Forksheet-Nanosheet Co-Integration and Dual Work Function Metal Gates at 17nm N-P Space
机译:
用于高级CMOS缩放的叉子FET:叉上线 - 纳米片联合集成和17nm N-P空间的双重工作功能金属门
作者:
H. Mertens
;
R. Ritzenthaler
;
Y. Oniki
;
B. Briggs
;
B.T. Chan
;
A. Hikavyy
;
T. Hopf
;
G. Mannaert
;
Z. Tao
;
F. Sebaai
;
A. Peter
;
K. Vandersmissen
;
E. Dupuy
;
E. Rosseel
;
D. Batuk
;
J. Geypen
;
G. T. Martinez
;
D. Abigail
;
E. Grieten
;
K. Dehave
;
J. Mitard
;
S. Subramanian
;
L.-Å. Ragnarsson
;
P. Weckx
;
D. Jang
;
B. Chehab
;
G. Hellings
;
J. Ryckaert
;
E. Dentoni Litta
;
N. Horiguchi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Silicon compounds;
Field effect transistors;
Logic gates;
Aerospace electronics;
Very large scale integration;
Tin;
Nanoscale devices;
13.
Dual Damascene BEOL Extendibility With Cu Reflow / Selective TaN And Co/Cu Composite
机译:
双层镶嵌BEOL与CU回流/选择性棕褐色和CO / CU复合材料的扩张性
作者:
P. Bhosale
;
N. Lanzillo
;
K. Motoyama
;
T. Nogami
;
A. Simon
;
H. Huang
;
K. Chen
;
Y. Mignot
;
D. Edelstein
;
N. Loubet
;
B. Haran
;
S. Parikh
;
R. Tao
;
M. Gage
;
S. Reidy
;
L. Chen
;
M. Stolfi
;
J. Lee
;
F. Chen
;
T. Ha
;
A. Yeoh
;
S. Natarajan
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Resistance;
Semiconductor device modeling;
Technological innovation;
Metallization;
Scalability;
Layout;
Very large scale integration;
14.
Higher-k Zirconium Doped Hafnium Oxide (HZO) Trigate Transistors with Higher DC and RF Performance and Improved Reliability
机译:
高k锆掺杂铪氧化铪(HZO)晶体管,具有较高的直流和RF性能和提高可靠性
作者:
W. Chakraborty
;
M. S. Jose
;
J. Gomez
;
A. Saha
;
K. A. Aabrar
;
P. Fay
;
S. Gupta
;
S. Datta
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Degradation;
Zirconium;
Semiconductor device reliability;
Field effect transistors;
Logic gates;
Very large scale integration;
Temperature control;
15.
Strategy Toward HZO BEOL-FeRAM with Low-Voltage Operation (≤ 1.2 V), Low Process Temperature, and High Endurance by Thickness Scaling
机译:
对HZO BEOL-FERAM的策略,低压操作(≤1.2V),低处理温度,厚度缩放的高耐久性
作者:
K. Tahara
;
K. Toprasertpong
;
Y. Hikosaka
;
K. Nakamura
;
H. Saito
;
M. Takenaka
;
S. Takagi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Low voltage;
Breakdown voltage;
Temperature distribution;
Annealing;
Electric breakdown;
Capacitors;
Random access memory;
16.
A 7nm 0.46pJ/bit 20Gbps with BER 1E-25 Die-to-Die Link Using Minimum Intrinsic Auto Alignment and Noise-Immunity Encode
机译:
使用最小内在自动对准和噪声免疫编码,7nm 0.46pj / bit 20gbps,配备BER 1E-25模切链路
作者:
Ying-Yu Hsu
;
Po-Chun Kuo
;
Chih-Lun Chuang
;
Po-Hao Chang
;
Hung-Hao Shen
;
Chen-Feng Chiang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Bit error rate;
Wires;
Bandwidth;
Very large scale integration;
Packaging;
FinFETs;
Energy efficiency;
17.
A Novel Micro Wall Heater for Thermally-Assisted 3D AND-type Flash Memory to Radically Boost the Write/Erase Speed and Endurance for the Applications of Write-Intensive Persistent Memory
机译:
一种新型微壁加热器,用于热辅助3D和型闪存,从根本上提升了写入/擦除速度和耐久性,用于写入密集型持久存储器的应用
作者:
Hang-Ting Lue
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Chieh Roger Lo
;
Teng-Hao Yeh
;
Wei-Chen Chen
;
Keh-Chung Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Three-dimensional displays;
Annealing;
Tungsten;
Very large scale integration;
Programming;
Flash memories;
Heat recovery;
18.
A Hybrid In-Memory-Searching and In-Memory-Computing Architecture for NVM Based AI Accelerator
机译:
基于NVM的AI加速器的混合内存搜索和内存计算架构
作者:
Po-Hao Tseng
;
Feng-Ming Lee
;
Yu-Hsuan Lin
;
Yun-Yuan Wang
;
Ming-Hsiu Lee
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Keh-Chung Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Filtering;
Nonvolatile memory;
Microprocessors;
Neural networks;
Loading;
Computer architecture;
Very large scale integration;
19.
Mg-Te OTS selector with Low Ioff ( < 100 pA), Fast Switching Speed (τd = 7 ns), and High Thermal Stability (400 °C / 30min) for X-point Memory Applications
机译:
MG-TE OOT OOFF(<100PA),快速开关速度(τd= 7 ns),以及用于X点存储器应用的高热稳定性(400°C / 30min)
作者:
Sangmin Lee
;
Jangsub Lee
;
Seonghun Kim
;
Donguk Lee
;
Donghwa Lee
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Switches;
Very large scale integration;
Stability analysis;
Threshold voltage;
Nanoscale devices;
Leakage currents;
Thermal stability;
20.
Development status of gate-first FeFET technology
机译:
门 - 第一个FEFET技术的发展状况
作者:
S. Müller
;
H. Zhou
;
A. Benoist
;
J. Ocker
;
M. Noack
;
G. Kuzmanov
;
R. Iqbal
;
D. Le Minh
;
M. Ghazaryan
;
V. Anjaneyamoorthi
;
A. Daraghmah
;
M. Mennenga
;
F. Koushan
;
F. Tassan
;
S. Dünkel
;
J. Müller
;
S. Beyer
;
S. Soss
;
A. Pourkeramati
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Degradation;
Geometry;
Logic gates;
Very large scale integration;
FeFETs;
21.
Monolithic 3D Integration of 2D Electronics based on Two-Dimensional Solid-Phase Crystallization
机译:
基于二维固相结晶的二维电子整体三维集成
作者:
Chih-Pin Lin
;
Yu-Wei Kang
;
Chih-Pin Hsu
;
Hao-Hua Hsu
;
Jyun-Hong Huang
;
Rui-Fu Chen
;
Chien-Tin Wu
;
Yao-Jen Lee
;
Tuo-Hung Hou
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Silicon compounds;
Crystal growth;
Three-dimensional displays;
Two dimensional displays;
Very large scale integration;
Silicon;
Time measurement;
22.
New Processes and Materials for Future Logic Devices
机译:
未来逻辑设备的新工艺和材料
作者:
Kevin Moraes
;
Po-Wen Chan
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Technological innovation;
Correlation;
Three-dimensional displays;
Tungsten;
Very large scale integration;
FinFETs;
Silicon;
23.
Ultra-low Specific Contact Resistivity (3.2×10-10 Ω-cm2) of Ti/Si0.5Ge0.5 Contact: Deep Insights into the Role of Interface Reaction and Ga Co-doping
机译:
Ti / Si0.5Ge0.5的超低特定接触电阻率(3.2×10-10Ω-cm2)接触:深入了解界面反应和GA协同掺杂的作用
作者:
Haiwen Xu
;
Xinke Wang
;
Sheng Luo
;
Jishen Zhang
;
Kaizhen Han
;
Chen Sun
;
Chengkuan Wang
;
Rami Khazaka
;
Qi Xie
;
Yi Huang
;
Yi Zhou
;
Jiaqing He
;
Gengchiau Liang
;
Xiao Gong
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Gallium;
Annealing;
Doping;
Conductivity;
Very large scale integration;
Germanium;
Solids;
24.
Energy-Efficient Reliable HZO FeFET Computation-in-Memory with Local Multiply Global Accumulate Array for Source-Follower Charge-Sharing Voltage Sensing
机译:
节能可靠的HZO FEFET计算内存与源跟随和充电电压传感的局部乘法和全局累积阵列
作者:
Chihiro Matsui
;
Kasidit Toprasertpong
;
Shinichi Takagi
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Weight measurement;
Voltage measurement;
Neural networks;
Very large scale integration;
Throughput;
Energy efficiency;
Time measurement;
25.
On-Silicon Photonic Integrated Circuit toward On-chip Interconnection and Distributed Computing
机译:
硅光子集成电路朝上芯片互连和分布式计算
作者:
Nobuhiko Nishiyama
;
Tomohiro Amemiya
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Power demand;
Photonic integrated circuits;
Integrated circuit interconnections;
Very large scale integration;
Silicon;
Transceivers;
System-on-chip;
26.
A 14nm 100Kb 2T1R Transpose RRAM with >150X resistance ratio enhancement and 27.95 reduction on energy-latency product using low-power near threshold read operation and fast data-line current stabling scheme
机译:
使用低功率接近阈值读取操作和快速数据线电流稳定方案,14nm 100KB 2T1R转换RRAM具有> 150倍电阻比增强和能量 - 延迟产品的减少27.95%
作者:
Linfang Wang
;
Wang Ye
;
Jinru Lai
;
Jing Liu
;
Jianguo Yang
;
Xin Si
;
Changxing Huo
;
Chunmeng Dou
;
Xiaoxin Xu
;
Qi Liu
;
Dashan Shang
;
Feng Zhang
;
Hangbing Lv
;
Meng-Fan Chang
;
Hiroshi Iwai
;
Ming Liu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Resistance;
Very large scale integration;
CMOS process;
Silicon;
27.
NbN-Gated GaN Transistor Technology for Applications in Quantum Computing Systems
机译:
用于量子计算系统中的应用的NBN门控GaN晶体管技术
作者:
Qingyun Xie
;
Nadim Chowdhury
;
Ahmad Zubair
;
Miguel Sánchez Lozano
;
Jori Lemettinen
;
Marco Colangelo
;
Owen Medeiros
;
Ilya Charaev
;
Karl K. Berggren
;
Pat Gumann
;
Dirk Pfeiffer
;
Tomás Palacios
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
Quantum computing;
Cutoff frequency;
Cryogenics;
Logic gates;
HEMTs;
Wide band gap semiconductors;
28.
Multi-pillar SOT-MRAM for Accurate Analog in-Memory DNN Inference
机译:
多柱SOT-MRAM用于精确的模拟内存DNN推理
作者:
J. Doevenspeck
;
K. Garello
;
S. Rao
;
F. Yasin
;
S. Couet
;
G. Jayakumar
;
A. Mallik
;
S. Cosemans
;
P. Debacker
;
D. Verkest
;
R. Lauwereins
;
W. Dehaene
;
G.S. Kar
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Weight measurement;
Electrodes;
Tracking loops;
Quantization (signal);
Memory management;
Switches;
Very large scale integration;
29.
First Demonstration of Multi-VT Stacked Ge0.87Sn0.13 Nanosheets by Dipole-Controlled ALD WNxCy Work Function Metal with Low Resistivity and Thermal Budget ≤ 400 °C
机译:
通过偶极控制的ALD WNXCY工作功能金属,电阻率低,热预算≤400°C的第一vt堆叠GE0.87SN0.13纳米型纳米纸盒≤400°C
作者:
Chung-En Tsai
;
Yu-Rui Chen
;
Chien-Te Tu
;
Yi-Chun Liu
;
Jyun-Yan Chen
;
C. W. Liu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Three-dimensional displays;
Thermal resistance;
Modulation;
Conductivity;
Very large scale integration;
Germanium;
Silicon;
30.
BEOL compatible high retention perpendicular SOT-MRAM device for SRAM replacement and machine learning
机译:
BEOL兼容高保留垂直SOT-MRAM器件,用于SRAM替代和机器学习
作者:
S. Couet
;
S. Rao
;
S. Van Beek
;
V.D. Nguyen
;
K. Garello
;
V. Kateel
;
G. Jayakumar
;
J.D. Costa
;
K. Cai
;
F. Yasin
;
D. Crotti
;
G.S. Kar
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
Resistance;
Critical current density (superconductivity);
Nonvolatile memory;
Random access memory;
Switches;
Machine learning;
31.
105× Endurance Improvement of FE-HZO by an Innovative Rejuvenation Method for 1z Node NV-DRAM Applications
机译:
105×1Z节点NV-DRAM应用的创新再生方法对FE-HZO的耐力改善
作者:
Tiancheng Gong
;
Lei Tao
;
Junkang Li
;
Yan Cheng
;
Yannan Xu
;
Wei Wei
;
Pengfei Jiang
;
Peng Yuan
;
Yuan Wang
;
Yuting Chen
;
Yaxin Ding
;
Yang Yang
;
Yan Wang
;
Bing Chen
;
Qing Luo
;
Steve S. Chung
;
Shixuan Du
;
Ming Liu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Discrete Fourier transforms;
Failure analysis;
Very large scale integration;
Fatigue;
Iron;
32.
Reliability and magnetic immunity of reflow-capable embedded STT-MRAM in 16nm FinFET CMOS process
机译:
16NM FinFET CMOS工艺中的回流嵌入式STT-MRAM的可靠性和磁性免疫
作者:
Chia-Hsiang Chen
;
Chih-Yang Chang
;
Chih-Hui Weng
;
Tsung-Han Kuo
;
Chia-Yu Wang
;
Meng-Chun Shih
;
Tien-Wei Chiang
;
Yuan-Jen Lee
;
Roger Wang
;
Kuei-Hung Shen
;
Arthur Hung
;
Harry Chuang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Temperature distribution;
Bit error rate;
Magnetic noise;
Very large scale integration;
FinFETs;
CMOS process;
Reliability;
33.
In-situ atomic visualization of structural transformation in Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric thin film: from nonpolar tetragonal phase to polar orthorhombic phase
机译:
HF0.5ZR0.5O2铁电薄膜中结构变换的原位原子可视化:从非极性四方相到极性正畸相位
作者:
Yunzhe Zheng
;
Chaorong Zhong
;
Yonghui Zheng
;
Zhaomeng Gao
;
Yan Cheng
;
Qilan Zhong
;
Cheng Liu
;
Yiwei Wang
;
Ruijuan Qi
;
Rong Huang
;
Hangbing Lyu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Atomic measurements;
Visualization;
Voltage measurement;
Transmission electron microscopy;
Microscopy;
Tungsten;
Transforms;
34.
22 nm Embedded STT-MRAM Macro with 10 ns Switching and >1014 Endurance for Last Level Cache Applications
机译:
具有10 ns切换的22 nm嵌入式stt-mram宏和> 10 14 sup>持续缓存应用程序的耐久性
作者:
Z. Wang
;
X. Hao
;
L. Hu
;
D. Jung
;
W. Kim
;
Z. Wei
;
L. Wang
;
K. Satoh
;
J. Zhang
;
Y. Huai
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Damping;
Random access memory;
Switches;
Microwave devices;
Very large scale integration;
Arrays;
Magnetic fields;
35.
MLC PCM Techniques to Improve Nerual Network Inference Retention Time by 105X and Reduce Accuracy Degradation by 10.8X
机译:
MLC PCM技术将神经网络推理保留时间提高105倍并降低准确性降低10.8x
作者:
W. S. Khwa
;
K. Akarvardar
;
Y. S. Chen
;
Y. C. Chiu
;
J. C. Liu
;
J. J. Wu
;
H. Y. Lee
;
S. M. Yu
;
C. H. Lee
;
T. C. Chen
;
Y. C. Lin
;
C. F. Hsu
;
T. Y. Lee
;
T. K. Ku
;
C. H. Kuo
;
J. Y. Wu
;
X. Y. Bao
;
C. S. Chang
;
Y. D. Chih
;
H.-S. P. Wong
;
M. F. Chang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Degradation;
Resistance;
Phase change materials;
Weight measurement;
Neural networks;
Bit error rate;
Measurement uncertainty;
36.
Advancing Monolayer 2D NMOS and PMOS Transistor Integration From Growth to van der Waals Interface Engineering for Ultimate CMOS Scaling
机译:
推进Monolayer 2D NMOS和PMOS晶体管从增长集成到Van der Waals界面工程,实现最终CMOS缩放
作者:
C. J. Dorow
;
K. P. O’Brien
;
C. H. Naylor
;
S. Lee
;
A. Penumatcha
;
A. Hsiao
;
T. Tronic
;
M. Christenson
;
K. Maxey
;
H. Zhu
;
A. Oni
;
U. S. Alaan
;
T. A. Gosavi
;
A. Sen Gupta
;
R. Bristol
;
S. Clendenning
;
M. Metz
;
U. E. Avci
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Fabrication;
MOSFET;
Voltage measurement;
Molecular beam epitaxial growth;
Logic gates;
Capacitance;
Transistors;
37.
Scaling synthetic WS2 dual-gate MOS devices towards sub-nm CET
机译:
缩放合成WS2双栅极MOS器件向子NM CET
作者:
Dennis Lin
;
Xiangyu Wu
;
Daire Cott
;
Benjamin Groven
;
Pierre Morin
;
Devin Verreck
;
Surajit Sutar
;
Inge Asselberghs
;
Iuliana Radu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
MOSFET;
Logic gates;
Very large scale integration;
Market research;
Transconductance;
38.
Analog Monolayer MoS2 Transistor with Record-high Intrinsic Gain (>100 dB) and Ultra-low Saturation Voltage (<0.1 V) by Source Engineering
机译:
模拟单层MOS2晶体管,具有记录高内在增益(> 100 dB)和源工程的超低饱和电压(<0.1V)
作者:
Menggan Liu
;
Congyan Lu
;
Guanhua Yang
;
Weizhuo Gan
;
Songang Peng
;
Zhenhua Wu
;
Jiebin Niu
;
Jiawei Wang
;
Lingfei Wang
;
Mengmeng Li
;
Di Geng
;
Nianduan Lu
;
Wei Cao
;
Ling Li
;
Deji Akinwande
;
Ming Liu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
Color;
Logic gates;
Very large scale integration;
Dielectrics;
Transistors;
Sulfur;
39.
Super Low-Power Advanced 5nm Extended Platform Technology for Extreme Low Voltage Applications
机译:
超级低功耗高级5nm扩展平台技术,用于极低电压应用
作者:
Byungha Choi
;
Jaehun Jeong
;
Sung Won Kim
;
Young Gun Ko
;
Kihwang Son
;
Sanghyun Lee
;
Seungkwon Kim
;
Hyungyul Choi
;
Jeongmin Choi
;
Sungil Jo
;
Taehoon Choi
;
Yuri Yasuda-Masuoka
;
Jong Mil Youn
;
Gitae Jeong
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Resistance;
Process design;
Low voltage;
Power demand;
Sensitivity;
Error analysis;
Power system management;
40.
Ferroelectric Diodes with Sub-ns and Sub-fJ Switching and Its Programmable Network for Logic-in-Memory Applications
机译:
具有子NS和Sub-FJ切换的铁电二极管及其用于逻辑内存应用程序的可编程网络
作者:
Hagyoul Bae
;
Taehwan Moon
;
Seung Geol Nam
;
Kwang-Hee Lee
;
Sangwook Kim
;
Sangjun Hong
;
Duk-Hyun Choe
;
Sanghyun Jo
;
Yunseong Lee
;
Jinseong Heo
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Zirconium;
Gallium;
Nonvolatile memory;
Optical switches;
Logic gates;
Depression;
Iron;
41.
Mechanism of Retention Degradation after Endurance Cycling of HfO2-based Ferroelectric Transistors
机译:
耐久性循环循环铁电晶体管耐久性循环循环机理
作者:
H. Zhou
;
J. Ocker
;
M. Pesic
;
A. Padovani
;
M. Trentzsch
;
S. Dünkel
;
J. Müller
;
S. Beyer
;
L. Larcher
;
F. Koushan
;
S. Müller
;
T. Mikolajick
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Degradation;
Switches;
Logic gates;
Very large scale integration;
Threshold voltage;
Delays;
Hafnium compounds;
42.
First Demonstration of BEOL-Compatible Ferroelectric TCAM Featuring a-IGZO Fe-TFTs with Large Memory Window of 2.9 V, Scaled Channel Length of 40 nm, and High Endurance of 108 Cycles
机译:
首先演示BEOL兼容的铁电TCAM,具有2.9 V,缩放通道长度为40nm的大存储器窗口的A-IGZO FE-TCT,较高,高耐久性为108个循环
作者:
Chen Sun
;
Kaizhen Han
;
Subhranu Samanta
;
Qiwen Kong
;
Jishen Zhang
;
Haiwen Xu
;
Xinke Wang
;
Annie Kumar
;
Chengkuan Wang
;
Zijie Zheng
;
Xunzhao Yin
;
Kai Ni
;
Xiao Gong
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Temperature measurement;
Degradation;
Temperature distribution;
Three-dimensional displays;
Switches;
Very large scale integration;
Tunneling;
43.
Enabling Logic with Backside Connectivity via n-TSVs and its Potential as a Scaling Booster
机译:
通过N-TSVS实现具有背面连接的逻辑及其作为缩放助推器的潜力
作者:
A. Veloso
;
A. Jourdain
;
G. Hiblot
;
F. Schleicher
;
K. D’have
;
F. Sebaai
;
D. Radisic
;
R. Loo
;
T. Hopf
;
A. De Keersgieter
;
H. Arimura
;
G. Eneman
;
P. Favia
;
J. Geypen
;
G. Arutchelvan
;
A. Chasin
;
D. Jang
;
L. Nyns
;
E. Rosseel
;
A. Hikavyy
;
G. Mannaert
;
B. T. Chan
;
K. Devriendt
;
S. Demuynck
;
G. Van der Plas
;
J. Ryckaert
;
G. Beyer
;
E. Dentoni Litta
;
E. Beyne
;
N. Horiguchi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Degradation;
Annealing;
Metallization;
Layout;
Process control;
Ions;
FinFETs;
44.
Analog In-memory Computing in FeFET-based 1T1R Array for Edge AI Applications
机译:
基于FEFET的1T1R阵列中的模拟内存计算,用于EDGE AI应用程序
作者:
D. Saito
;
T. Kobayashi
;
H. Koga
;
N. Ronchi
;
K. Banerjee
;
Y. Shuto
;
J. Okuno
;
K. Konishi
;
L. Di Piazza
;
A. Mallik
;
J. Van Houdt
;
M. Tsukamoto
;
K. Ohkuri
;
T. Umebayashi
;
T. Ezaki
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Resistance;
Resistors;
Analytical models;
Microprocessors;
Computational modeling;
Computer architecture;
Tunneling;
45.
A CMOS Image Sensor and an AI Accelerator for Realizing Edge-Computing-Based Surveillance Camera Systems
机译:
CMOS图像传感器和用于实现基于边缘计算的监视摄像机系统的AI加速器
作者:
Fukashi Morishita
;
Norihito Kato
;
Satoshi Okubo
;
Takao Toi
;
Mitsuru Hiraki
;
Sugako Otani
;
Hideaki Abe
;
Yuji Shinohara
;
Hiroyuki Kondo
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Sensitivity;
Surveillance;
Image edge detection;
AI accelerators;
CMOS image sensors;
Very large scale integration;
Cameras;
46.
A5.1ms Low-Latency Face Detection Imager with In-Memory Charge-Domain Computing of Machine-Learning Classifiers
机译:
A5.1ms低延迟面部检测成像器,内存充电域计算机器学习分类器
作者:
Hyunsoo Song
;
Sungjin Oh
;
Juan Salinas
;
Sung-Yun Park
;
Euisik Yoon
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Prototypes;
Imaging;
Machine learning;
Very large scale integration;
Image capture;
Feature extraction;
Energy efficiency;
47.
A 2.6 e-rms Low-Random-Noise, 116.2 mW Low-Power 2-Mp Global Shutter CMOS Image Sensor with Pixel-Level ADC and In-Pixel Memory
机译:
2.6 E-RMS低随机噪声,116.2 MW低功耗2-MP全局快门CMOS图像传感器,具有像素级ADC和像素内存
作者:
Min-Woong Seo
;
Myunglae Chu
;
Hyun-Yong Jung
;
Suksan Kim
;
Jiyoun Song
;
Junan Lee
;
Sung-Yong Kim
;
Jongyeon Lee
;
Sung-Jae Byun
;
Daehee Bae
;
Minkyung Kim
;
Gwi-Deok Lee
;
Heesung Shim
;
Changyong Um
;
Changhwa Kim
;
In-Gyu Baek
;
Doowon Kwon
;
Hongki Kim
;
Hyuksoon Choi
;
Jonghyun Go
;
JungChak Ahn
;
Jaekyu Lee
;
Changrok Moon
;
Kyupil Lee
;
Hyoung-Sub Kim
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Stacking;
Memory management;
Random access memory;
CMOS image sensors;
Very large scale integration;
48.
Advanced Multi-NIR Spectral Image Sensor with Optimized Vision Sensing System and Its Impact on Innovative Applications
机译:
高级多NIR光谱图像传感器,具有优化视觉传感系统及其对创新应用的影响
作者:
Hirofumi Sumi
;
Hironari Takehara
;
Jun Ohta
;
Masatoshi Ishikawa
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Band-pass filters;
Surveillance;
Machine vision;
Lighting;
Very large scale integration;
Signal processing;
Cameras;
49.
2-kbit Array of 3-D Monolithically-stacked IGZO FETs with Low SS-64mV/dec, Ultra-low-leakage, Competitive μ-57 cm2/V-s Performance and Novel nMOS-Only Circuit Demonstration
机译:
2-KBIT阵列3-D单片堆积的IGZO FET,具有低SS-64MV / DEC,超低漏电,竞争μ-57cm2 / V-S性能和新的NMOS电路演示
作者:
Umesh Chand
;
Zihang Fang
;
Chen Chun-Kuei
;
Yuxuan Luo
;
Hasita Veluri
;
Maheswari Sivan
;
Leong Jin Feng
;
Shih-Hao Tsai
;
Xinghua Wang
;
Sandipan Chakraborty
;
Evgeny Zamburg
;
Aaron Voon-Yew Thean
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
Fabrication;
Weight measurement;
Voltage measurement;
Three-dimensional displays;
Field effect transistors;
Switches;
50.
Low-voltage (~1.3V), Arsenic Free Threshold Type Selector with Ultra High Endurance (> 1011) for High Density 1S1R Memory Array
机译:
低压(〜1.3V),砷自由阈值型选择器,具有超高耐久性(> 10 11 sup>),用于高密度1s1r内存阵列
作者:
C. H. Wu
;
C. M. Lee
;
Y. S. Chen
;
H. Y. Lee
;
E. Ambrosi
;
C. F. Hsu
;
S. Vaziri
;
Y. Y. Chen
;
C. H. Nien
;
R. L. Hwang
;
P. J. Liao
;
D. H. Hou
;
Y.-H. Lee
;
T. Y. Lee
;
T. C. Chen
;
M. F. Chang
;
H.-S. P. Wong
;
X. Y. Bao
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Low voltage;
Arsenic;
Switches;
Doping;
Very large scale integration;
Germanium;
Threshold voltage;
51.
A Novel Framework for DTCO: Fast and Automatic Routability Assessment with Machine Learning for Sub-3nm Technology Options
机译:
DTCO的一部小型框架:对Sub-3NM技术选项的机器学习快速和自动排放评估
作者:
Chidi Chidambaram
;
Andrew B. Kahng
;
Minsoo Kim
;
Giri Nallapati
;
S.C. Song
;
Mingyu Woo
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Microprocessors;
Layout;
Transform coding;
Computer architecture;
Machine learning;
Routing;
Libraries;
52.
STT-MRAM: A Robust Embedded Non-Volatile Memory with Superior Reliability and Immunity to External Magnetic Field and RF Sources
机译:
STT-MRAM:强大的嵌入式非易失性存储器,具有优异的外部磁场和RF源的可靠性和免疫力
作者:
V. B. Naik
;
K. Yamane
;
J. Kwon
;
S. K
;
J. H. Lim
;
Z. Ali
;
B. Behin-Aein
;
N. L. Chung
;
L. Y. Hau
;
R. Chao
;
C. Chiang
;
Y. Huang
;
L. Pu
;
Y. Otani
;
H. Dixit
;
S. H. Jang
;
N. Balasankaran
;
F. Tan
;
W. P. Neo
;
L. C. Goh
;
E. H. Toh
;
T. Ling
;
J. W. Ting
;
H. Yoon
;
G. Congedo
;
J. Mueller
;
B. Pfefferling
;
O. Kallensee
;
A. Vogel
;
T. Merbeth
;
C. S. Seet
;
J. Wong
;
J. Bordelon
;
Y. S. You
;
S. Soss
;
T. H. Chan
;
E. Quek
;
S. Y. Siah
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Radio frequency;
Process design;
Nonvolatile memory;
Electromagnetic interference;
Very large scale integration;
Robustness;
Magnetic fields;
53.
Advanced 18 nm Quad-MTJ technology overcomes dilemma of Retention and Endurance under Scaling beyond 2X nm
机译:
高级18 nm Quad-MTJ技术克服了超出2X NM的缩放下的保留和耐久性的困境
作者:
H. Naganuma
;
S. Miura
;
H. Honjo
;
K. Nishioka
;
T. Watanabe
;
T. Nasuno
;
H. Inoue
;
T. V. A. Nguyen
;
Y. Endo
;
Y. Noguchi
;
M. Yasuhira
;
S. Ikeda
;
T. Endoh
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Resistance;
Fabrication;
Damping;
Thermal factors;
Very large scale integration;
Perpendicular magnetic anisotropy;
Junctions;
54.
One-Shot Learning with Memory-Augmented Neural Networks Using a 64-kbit, 118 GOPS/W RRAM-Based Non-Volatile Associative Memory
机译:
使用64-kbit,118个基于GOP / W RRAM的非易失性关联内存的内存增强神经网络的一次性学习
作者:
Haitong Li
;
Wei-Chen Chen
;
Akash Levy
;
Ching-Hua Wang
;
Hongjie Wang
;
Po-Han Chen
;
Weier Wan
;
H.-S. Philip Wong
;
Priyanka Raina
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Resistance;
Associative memory;
Semiconductor device measurement;
Nonvolatile memory;
Programming;
Feature extraction;
Hardware;
55.
Highly Manufacturable 7th Generation 3D NAND Flash Memory with COP structure and Double Stack Process
机译:
具有COP结构和双堆栈过程的高度可制造的第7代3D NAND闪存
作者:
Jun Hyoung Kim
;
Yongsik Yim
;
Joonsung Lim
;
Hyun Suk Kim
;
Eun Suk Cho
;
Chadong Yeo
;
Woongseop Lee
;
Byungkwan You
;
Byoungil Lee
;
Minkyu Kang
;
Woojae Jang
;
Youngho Kwon
;
Keehong Lee
;
Jaeduk Lee
;
Myeong-Cheol Kim
;
Jin-Yub Lee
;
Sunghoi Hur
;
Su Jin Ahn
;
Hyeongsun Hong
;
Yu Gyun Shin
;
Hyoung-Sub Kim
;
Jaihyuk Song
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Couplings;
Three-dimensional displays;
Process control;
Very large scale integration;
Market research;
Flash memories;
Stress;
56.
Pandemic Challenges, Technology Answers
机译:
大流行挑战,技术答案
作者:
Siyoung Choi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Radio frequency;
Pandemics;
Design methodology;
Human factors;
Very large scale integration;
Foundries;
57.
Impact of asymmetric strain on performance of extremely-thin body (100) GOI and (110) SGOI pMOSFETs
机译:
不对称菌株对极薄体(100)GOI和(110)SGOI PMOSFET性能的影响
作者:
C. T. Chen
;
R. Yokogawa
;
K. Toprasertpong
;
A. Ogura
;
M. Takenaka
;
S. Takagi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
MOSFET;
Channel estimation;
Scattering;
Very large scale integration;
Germanium;
Uniaxial strain;
Etching;
58.
High yield and process uniformity for 300 mm integrated WS2 FETs
机译:
300毫米集成的WS2 FET的高收率和工艺均匀性
作者:
T. Schram
;
Q. Smets
;
D. Radisic
;
B. Groven
;
D. Cott
;
A. Thiam
;
W. Li
;
E. Dupuy
;
K. Vandersmissen
;
T. Maurice
;
I. Asselberghs
;
I. Radu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Annealing;
Limiting;
Simulated annealing;
Logic gates;
Very large scale integration;
Tin;
59.
Mobility-enhanced FET and Wakeup-free Ferroelectric Capacitor Enabled by Sn-doped InGaZnO for 3D Embedded RAM Application
机译:
由SN-Doped Ingazno为3D嵌入式RAM应用而启用的移动性增强的FET和唤醒铁电电容器
作者:
Jixuan Wu
;
Fei Mo
;
Takuya Saraya
;
Toshiro Hiramoto
;
Mototaka Ochi
;
Hiroshi Goto
;
Masaharu Kobayashi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Three-dimensional displays;
Nonvolatile memory;
Ferroelectric films;
Field effect transistors;
Capacitors;
Random access memory;
Very large scale integration;
60.
Characterization of Fatigue and Its Recovery Behavior in Ferroelectric HfZrO
机译:
铁电HFZRO疲劳及其恢复行为的特征及其恢复行为
作者:
P.J. Liao
;
Y.K. Chang
;
Y.-H. Lee
;
Y.M. Lin
;
S.H. Yeong
;
R.L. Hwang
;
V. Hou
;
C.H. Nien
;
R. Lu
;
C.T. Lin
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Degradation;
Electrodes;
Polarization;
Voltage measurement;
Dielectric constant;
Capacitors;
Metals;
61.
Ultra-Low Power Robust 3bit/cell Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FinFET with High Endurance for Advanced Computing-In-Memory Technology
机译:
超低功耗鲁棒3位/电池HF0.5ZR0.5O2铁电FinFET具有高耐久性的高级计算内存技术
作者:
Sourav De
;
Darsen D. Lu
;
Hoang-Hiep Le
;
Soumen Mazumder
;
Yao-Jen Lee
;
Wei-Chih Tseng
;
Bo-Han Qiu
;
Md. Aftab Baig
;
Po-Jung Sung
;
Chung-Jun Su
;
Chien-Ting Wu
;
Wen-Fa Wu
;
Wen-Kuan Yeh
;
Yeong-Her Wang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
Training;
Surface engineering;
Very large scale integration;
FinFETs;
Ions;
Silicon;
62.
Graphene electro-absorption modulators integrated at wafer-scale in a CMOS fab
机译:
石墨烯电吸收调制器集成在CMOS Fab中的晶片级
作者:
C. H. Wu
;
S. Brems
;
D. Yudistira
;
D. Cott
;
A. Milenin
;
K. Vandersmissen
;
A. Maestre
;
A. Centeno
;
J. Van Campenhout
;
C. Huyghebaert
;
M. Pantouvaki
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
Voltage measurement;
Graphene;
Modulation;
Production;
Very large scale integration;
Tools;
63.
Cold MRAM as a Density Booster for Embedded NVM in Advanced Technology
机译:
冷MRAM作为先进技术嵌入式NVM的密度助推器
作者:
H. L. Chiang
;
J. F. Wang
;
T. C. Chen
;
T. W. Chiang
;
C. Bair
;
C. Y. Tan
;
L. J. Huang
;
H. W. Yang
;
J. H. Chuang
;
H. Y. Lee
;
K. Chiang
;
K. H. Shen
;
Y. J. Lee
;
R. Wang
;
C. W. Liu
;
T. Wang
;
X. Bao
;
E. Wang
;
J. Cai
;
C. T. Lin
;
H. Chuang
;
H. S. P. Wong
;
M. F. Chang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Temperature sensors;
Temperature;
Voltage measurement;
Switches;
Ions;
Stability analysis;
Tunneling magnetoresistance;
64.
A 6.54-to-26.03 TOPS/W Computing-In-Memory RNN Processor using Input Similarity Optimization and Attention-based Context-breaking with Output Speculation
机译:
一个6.54至26.03顶部/ W使用输入相似性优化和基于关注的上下文和输出猜测的关注的内存RNN处理器
作者:
Ruiqi Guo
;
Hao Li
;
Ruhui Liu
;
Zhixiao Zhang
;
Limei Tang
;
Hao Sun
;
Leibo Liu
;
Meng-Fan Chang
;
Shaojun Wei
;
Shouyi Yin
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Energy measurement;
Writing;
Very large scale integration;
Throughput;
Stability analysis;
Energy efficiency;
65.
HERMES Core – A 14nm CMOS and PCM-based In-Memory Compute Core using an array of 300ps/LSB Linearized CCO-based ADCs and local digital processing
机译:
Hermes Core - 使用300ps / LSB线性化CCO的ADC和本地数字处理的阵列,14nm CMOS和基于PCM的内存计算核心
作者:
R. Khaddam-Aljameh
;
M. Stanisavljevic
;
J. Fornt Mas
;
G. Karunaratne
;
M. Braendli
;
F. Liu
;
A. Singh
;
S. M. Müller
;
U. Egger
;
A. Petropoulos
;
T. Antonakopoulos
;
K. Brew
;
S. Choi
;
I. Ok
;
F. L. Lie
;
N. Saulnier
;
V. Chan
;
I. Ahsan
;
V. Narayanan
;
S. R. Nandakumar
;
M. Le Gallo
;
P. A. Francese
;
A. Sebastian
;
E. Eleftheriou
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Phase change materials;
Deep learning;
Density measurement;
Process control;
Energy measurement;
Very large scale integration;
Phase change memory;
66.
FinFET LDMOS technology challenges and opportunities for digital TV and 6GHz WiFi PA applications
机译:
FinFET LDMOS技术挑战和数字电视和6GHz WiFi PA应用的机会
作者:
J. Singh
;
S. Cimino
;
J. B. Johnson
;
Z. Wang
;
T. Shimizu
;
A. Shampur
;
B. Min
;
H. Wang
;
O. Hu
;
C. W. Lai
;
A. Martin
;
S. Khosrowbeygi
;
Y. Chin
;
R. Wolf
;
P. Colestock
;
A. Knorr
;
T. Chen
;
A. Joseph
;
T. H. Lee
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Radio frequency;
Human computer interaction;
High-voltage techniques;
Very large scale integration;
FinFETs;
Reliability engineering;
Silicon;
67.
3-Dimensional Integration of Epitaxial Magnetic Tunnel Junctions with New Materials for Future MRAM
机译:
具有未来MRAM新材料的外延磁隧道结的三维集成
作者:
Kay Yakushiji
;
Hideki Takagi
;
Naoya Watanabe
;
Akio Fukushima
;
Katsuya Kikuchi
;
Yuichi Kurashima
;
Atsushi Sugihara
;
Hitoshi Kubota
;
Shinji Yuasa
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Superconducting materials;
Three-dimensional displays;
Very large scale integration;
Superconducting magnets;
Josephson junctions;
Epitaxial growth;
Superconducting epitaxial layers;
68.
The First Embedded 14nm FeFinFET NVM: 2T1CFE Array as Electrical Synapses and Activations for High-performance and Low-power Inference Accelerators
机译:
第一个嵌入式14nm FEFINFET NVM:2T1CFE阵列为电气突触和高性能和低功耗推理加速器的激活
作者:
E R. Hsieh
;
W. L. Tsai
;
Y. L. Lin
;
C. H. Liu
;
S. S. Chung
;
Y. T. Tang
;
J. R. Su
;
T. P. Chen
;
S. A. Huang
;
T. J. Chen
;
O. Cheng
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Deep learning;
Electric potential;
Crystals;
Very large scale integration;
Synapses;
Tuning;
69.
Low Temperature Atomic Hydrogen Treatment for Superior NBTI Reliability—Demonstration and Modeling across SiO2 IL Thicknesses from 1.8 to 0.6 nm for I/O and Core Logic
机译:
低温原子氢处理,用于优异的NBTI可靠性 - 用于I / O和核心逻辑的SiO2 IL厚度的演示和建模
作者:
J. Franco
;
J.-F. de Marneffe
;
A. Vandooren
;
H. Arimura
;
L.-Å Ragnarsson
;
D. Claes
;
E. Dentoni Litta
;
N. Horiguchi
;
K. Croes
;
D. Linten
;
T. Grasser
;
B. Kaczer
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Negative bias temperature instability;
Silicon compounds;
Annealing;
Three-dimensional displays;
Thermal variables control;
Hydrogen;
Process control;
70.
Monolithic Microring-based WDM Optical I/O for Heterogeneous Computing
机译:
基于单片微管的WDM光学I / O用于异构计算
作者:
Mark Wade
;
Daniel Jeong
;
Byungchae Kim
;
Mason Zhang
;
Woorham Bae
;
Chong Zhang
;
Pavan Bhargava
;
Derek Van Orden
;
Shahab Ardalan
;
Chandarasekaran Ramamurthy
;
Erik Anderson
;
Austin Katzin
;
Haiwei Lu
;
Sidney Buchbinder
;
Behrooz Beheshtian
;
Anatoly Khilo
;
Michael Rust
;
Chen Li
;
Forrest Sedgwick
;
John Fini
;
Roy Meade
;
Vladimir Stojanović
;
Chen Sun
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Wavelength measurement;
Measurement uncertainty;
Computer architecture;
Optical variables measurement;
Very large scale integration;
Wavelength division multiplexing;
Adaptive optics;
71.
Superconducting quantum computer: a hint for building architectures
机译:
超导量子计算机:建筑架构的提示
作者:
Yutaka Tabuchi
;
Shuhei Tamate
;
Shinichi Yorozu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Wiring;
Computers;
Architecture;
Scalability;
Qubit;
Buildings;
Computer architecture;
72.
Uniform Spin Qubit Devices with Tunable Coupling in an All-Silicon 300 mm Integrated Process
机译:
All-Silicon 300 mm集成过程中具有可调耦合的均匀自旋量子位装置
作者:
N. I. Dumoulin Stuyck
;
R. Li
;
C. Godfrin
;
A. Elsayed
;
S. Kubicek
;
J. Jussot
;
B. T. Chan
;
F. A. Mohiyaddin
;
M. Shehata
;
G. Simion
;
Y. Canvel
;
L. Goux
;
M. Heyns
;
B. Govoreanu
;
I. P. Radu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Couplings;
Temperature sensors;
Fabrication;
Program processors;
Qubit;
Quantum dots;
Very large scale integration;
73.
Reconfigurable Germanium Quantum-Dot Arrays for CMOS Integratable Quantum Electronic Devices
机译:
CMOS Integratable Quantum电子设备的可重新配置锗量子点阵列
作者:
I-Hsiang Wang
;
Ting Tsai
;
Rong-Cun Pan
;
Po-Yu Hong
;
M. T. Kuo
;
I. H. Chen
;
Thomas George
;
H. C. Lin
;
Pei-Wen Li
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
Scalability;
Quantum dots;
Process control;
Very large scale integration;
Logic gates;
Germanium;
74.
Excellent Synapse Characteristics of 50 nm Vertical Transistor with WOx channel for High Density Neuromorphic system
机译:
具有50nm垂直晶体管的优异的突触特性,具有高密度神经晶体系统的WOX通道
作者:
Chuljun Lee
;
Wooseok Choi
;
Myonghoon Kwak
;
Seyoung Kim
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Weight measurement;
Temperature measurement;
Pulse measurements;
Linearity;
Switches;
Length measurement;
Transistors;
75.
First Demonstration of Oxide Semiconductor Nanowire Transistors: a Novel Digital Etch Technique, IGZO Channel, Nanowire Width Down to ~20 nm, and Ion Exceeding 1300 μA/μm
机译:
氧化物半导体纳米线晶体管的首次说明:一种新型数字蚀刻技术,IGZO通道,纳米线宽度降至约20nm,以及离子超过1300μA/μm
作者:
Kaizhen Han
;
Qiwen Kong
;
Yuye Kang
;
Chen Sun
;
Chengkuan Wang
;
Jishen Zhang
;
Haiwen Xu
;
Subhranu Samanta
;
Jiuren Zhou
;
Haibo Wang
;
Aaron Voon-Yew Thean
;
Xiao Gong
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Three-dimensional displays;
Field effect transistors;
Logic gates;
Benchmark testing;
Very large scale integration;
Ions;
Nanoscale devices;
76.
OTS-based Analog-to-Stochastic Converter for Fully-Parallel Weight Update in Cross-point Array Neural Networks
机译:
基于OTS的模数到随机转换器,用于交叉点阵列神经网络中的完全平行权重更新
作者:
Myonghoon Kwak
;
Sangmin Lee
;
Wooseok Choi
;
Chuljun Lee
;
Seyoung Kim
;
Hyunsang Hwang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Training;
Voltage measurement;
Pulse measurements;
Simulation;
Neural networks;
Stochastic processes;
Taylor series;
77.
First Highly Stacked Ge0.95Si0.05 nGAAFETs with Record ION = 110 μA (4100 μA/μm) at VOV=VDS=0.5V and High Gm,max = 340 μS (13000 μS/μm) at VDS=0.5V by Wet Etching
机译:
首先堆叠GE0.95SI0.05 NGAAFET在VOV = VDS = 0.5V和High Gm,MAX =340μs(13000μs/μm)的vov = 0.5V,通过湿法蚀刻,MAX =340μs(13000μs/μm)。
作者:
Yi-Chun Liu
;
Chien-Te Tu
;
Chung-En Tsai
;
Yu-Rui Chen
;
Jyun-Yan Chen
;
Sun-Rong Jan
;
Bo-Wei Huang
;
Shee-Jier Chueh
;
Chia-Jung Tsen
;
C. W. Liu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Wet etching;
Three-dimensional displays;
Gallium arsenide;
Tin;
Benchmark testing;
Ions;
Germanium;
78.
First demonstration of sub-12 nm Lg gate last IGZO-TFTs with oxygen tunnel architecture for front gate devices
机译:
第12 NM LG栅极的第一次演示最后IGZO-TFT,具有前门设备的氧气隧道架构
作者:
S. Subhechha
;
N. Rassoul
;
A. Belmonte
;
R. Delhougne
;
K. Banerjee
;
G. L. Donadio
;
H. Dekkers
;
M. J. van Setten
;
H. Puliyalil
;
M. Mao
;
S. Kundu
;
M. Pak
;
L. Teugels
;
D. Tsvetanova
;
N. Bazzazian
;
L. Klijs
;
H. Hody
;
A. Chasin
;
J. Heijlen
;
L. Goux
;
G. S. Kar
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Silicon compounds;
Annealing;
Process control;
Logic gates;
Very large scale integration;
Ions;
Thin film transistors;
79.
Challenges and Opportunities for Stacked Transistor: DTCO and Device
机译:
堆叠晶体管的挑战和机遇:DTCO和设备
作者:
J. Wang
;
S. D. Suk
;
A. Chu
;
T. Hook
;
A. Young
;
R. Krishnan
;
R. Bao
;
I. Seshadri
;
B. Senapati
;
V. Zalani
;
T. Philip
;
H. Zhou
;
K. Zhao
;
D. Dechene
;
B. Haran
;
D. Guo
;
H. Bu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Rails;
Performance evaluation;
Resistance;
Technological innovation;
Tracking;
Computer architecture;
Routing;
80.
First Demonstration of Atomic-Layer-Deposited BEOL-Compatible In2O3 3D Fin Transistors and Integrated Circuits: High Mobility of 113 cm2/V•s, Maximum Drain Current of 2.5 mA/μm and Maximum Voltage Gain of 38 V/V in In2O3 Inverter
机译:
首先说明原子层沉积的BEOL兼容的IN2O3 3D翅片晶体管和集成电路:高迁移率为113cm2 / v•S,最大漏极电流为2.5 mA /μm,最大电压增益为38 v / v IN2O3逆变器
作者:
Mengwei Si
;
Zehao Lin
;
Zhizhong Chen
;
Peide D. Ye
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Silicon compounds;
Ring oscillators;
Three-dimensional displays;
Annealing;
Atomic layer deposition;
Very large scale integration;
Inverters;
81.
Record RF Performance (ft=180GHz and fmax=240GHz) of a FDSOI NMOS processed within a Low Thermal Budget for 3D Sequential Integration
机译:
记录在低热预算中处理的FDSOI NMOS的RF性能(FT = 180GHz和FMAX = 240GHz),用于3D顺序集成
作者:
T. Mota Frutuoso
;
J. Lugo
;
X. Garros
;
L. Brunet
;
M. Casse
;
C. Fenouillet-Beranger
;
G. Romano
;
T. Januel
;
D. Cooper
;
V. Loup
;
J. Kanyandekwe
;
P. Acosta-Alba
;
S. Kerdiles
;
A. Tavernier
;
L. Brévard
;
P. Ferrari
;
F. Andrieu
;
F. Gaillard
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Radio frequency;
Performance evaluation;
MOSFET;
Three-dimensional displays;
Silicon-on-insulator;
Logic gates;
Mathematical model;
82.
Cryogenic RF CMOS on 22nm FDSOI Platform with Record fT=495GHz and fMAX=497GHz
机译:
22nm FDSO平台上的低温RF CMOS,记录FT = 495GHz和Fmax = 497GHz
作者:
W. Chakraborty
;
K.A. Aabrar
;
J. Gomez
;
R. Saligram
;
A. Raychowdhury
;
P. Fay
;
S. Datta
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Resistance;
Radio frequency;
Solid modeling;
Program processors;
Silicon-on-insulator;
Cryogenics;
Logic gates;
83.
Foreword
机译:
前言
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
84.
A 13.7 TFLOPS/W Floating-point DNN Processor using Heterogeneous Computing Architecture with Exponent-Computing-in-Memory
机译:
使用具有指数计算内存的异构计算架构的13.7 TFLOPS / W浮点DNN处理器
作者:
Juhyoung Lee
;
Jihoon Kim
;
Wooyoung Jo
;
Sangyeob Kim
;
Sangjin Kim
;
Jinsu Lee
;
Hoi-Jun Yoo
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Training;
Random access memory;
Computer architecture;
Very large scale integration;
CMOS technology;
Energy efficiency;
Heterogeneous networks;
85.
PIMCA: A 3.4-Mb Programmable In-Memory Computing Accelerator in 28nm for On-Chip DNN Inference
机译:
PIMCA:用于片上DNN推理的28nm中的3.4 MB可编程内存计算加速器
作者:
Shihui Yin
;
Bo Zhang
;
Minkyu Kim
;
Jyotishman Saikia
;
Soonwan Kwon
;
Sungmeen Myung
;
Hyunsoo Kim
;
Sang Joon Kim
;
Mingoo Seok
;
Jae-Sun Seo
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Deep learning;
Random access memory;
Prototypes;
Very large scale integration;
Throughput;
Hardware;
Energy efficiency;
86.
Highly-Reliable Cell Characteristics with 128-Layer Single-Stack 3D-NAND Flash Memory
机译:
具有128层单叠3D-NAND闪存的高度可靠的单元格特性
作者:
Sejun Park
;
Jaeduk Lee
;
Jaehoon Jang
;
Jong Kwang Lim
;
Hyunjung Kim
;
Jae Joo Shim
;
Min-tai Yu
;
Jin-Kyu Kang
;
Su Jin Ahn
;
JaiHyuk Song
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Degradation;
Industries;
Interference;
Very large scale integration;
Etching;
Silicon;
Transistors;
87.
91.5-Efficiency Fully Integrated Voltage Regulator with 86fF/μm2-High-Density 2.5D MIM Capacitor
机译:
91.5% - 效率完全集成电压调节器,带86FF /μM2高密度2.5D MIM电容器
作者:
H. Lin
;
D. Velenis
;
P. Nolmans
;
X. Sun
;
F. Catthoor
;
R. Lauwereins
;
G. Van der Plas
;
E. Beyne
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Charge pumps;
Regulators;
Simulation;
Very large scale integration;
Capacitance;
MIM capacitors;
Silicon;
88.
Enabling Next Generation CMOS by Novel EOT Scaling Module
机译:
通过新颖的EOT缩放模块启用下一代CMOS
作者:
L. Dong
;
S. Hung
;
M. Bevan
;
P. Jamison
;
J. Zhang
;
H. Zhou
;
B. Colombeau
;
R. Curtis
;
J. Devrajan
;
R. Bao
;
R. George
;
M. Kim
;
K. Karandikar
;
M. Stolfi
;
N. Loubet
;
J. Swenberg
;
T. Guarini
;
L. Wang
;
Y. Yan
;
V. Banthia
;
S. Kuppurao
;
B. Haran
;
S. Natarajan
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Performance evaluation;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Process control;
Logic gates;
FinFETs;
Silicon;
89.
Chiplet-Based Advanced Packaging Technology from 3D/TSV to FOWLP/FHE
机译:
3D / TSV的基于小芯片的高级包装技术到Fowlp / FHE
作者:
Takafumi Fukushima
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Three-dimensional displays;
Self-assembly;
System integration;
Packaging;
Wafer scale integration;
Through-silicon vias;
90.
VLSI Technology Welcome
机译:
VLSI技术欢迎
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
91.
Committees
机译:
委员会
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
92.
Ultra High Power Cooling Solution for 3D-ICs
机译:
用于3D-IC的超高功率冷却解决方案
作者:
C. J. Wu
;
S. T. Hsiao
;
J. Y. Wang
;
W. H. Lin
;
C. W. Chang
;
T. L. Shao
;
C. H. Tung
;
Doug C. H. Yu
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Power system measurements;
Cooling;
Density measurement;
Stacking;
Water heating;
Very large scale integration;
Silicon;
93.
Fully Row/Column-Parallel In-memory Computing SRAM Macro employing Capacitor-based Mixed-signal Computation with 5-b Inputs
机译:
完全行/列并行计算SRAM宏采用基于电容的混合信号计算,其中包含5-B输入
作者:
Jinseok Lee
;
Hossein Valavi
;
Yinqi Tang
;
Naveen Verma
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Image resolution;
Energy resolution;
Random access memory;
Very large scale integration;
Throughput;
Energy efficiency;
Computational efficiency;
94.
A 20x28 Spins Hybrid In-Memory Annealing Computer Featuring Voltage-Mode Analog Spin Operator for Solving Combinatorial Optimization Problems
机译:
20x28旋转混合内退火计算机,具有电压模式模拟自旋运营商,用于解决组合优化问题
作者:
Junjie Mu
;
Yuqi Su
;
Bongjin Kim
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Computers;
Annealing;
Power measurement;
Power demand;
Stationary state;
Very large scale integration;
Optimization;
95.
Backside Power Delivery with a Direct 14:1/19:1 High-Ratio Point-of-Load Power Converter for Servers and Datacenters
机译:
具有直接14:1/19:1的高比率电源转换为服务器和数据中心的高比率电源
作者:
H. Lin
;
G. Hiblot
;
X. Sun
;
G. Talmelli
;
D. Velenis
;
P. Bex
;
C. Adelmann
;
R. Lauwereins
;
F. Catthoor
;
G. Van der Plas
;
E. Beyne
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Voltage measurement;
Transformer cores;
Conductivity;
Very large scale integration;
Magnetic materials;
Loss measurement;
Frequency measurement;
96.
Silicon Photonic Micro-Ring Modulator-based 4 x 112 Gb/s O-band WDM Transmitter with Ring Photocurrent-based Thermal Control in 28nm CMOS
机译:
硅光子微环调制器为基于4×112 GB / S O波段的WDM发射器,带有环形光电流的热控制在28nm CMOS中
作者:
Jahnavi Sharma
;
Hao Li
;
Zhe Xuan
;
Ranjeet Kumar
;
Chun-Ming Hsu
;
Meer Sakib
;
Peicheng Liao
;
Haisheng Rong
;
James Jaussi
;
Ganesh Balamurugan
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Temperature measurement;
Temperature sensors;
Wavelength measurement;
Modulation;
Very large scale integration;
Wavelength division multiplexing;
Silicon;
97.
All-Directional Dual Pixel Auto Focus Technology in CMOS Image Sensors
机译:
CMOS图像传感器的全定向双像素自动对焦技术
作者:
Eun Sub Shim
;
Kyungho Lee
;
Junghyung Pyo
;
Wooseok Choi
;
Jungbin Yun
;
Taesub Jung
;
Kyungduck Lee
;
Seyoung Kim
;
Chanhee Lee
;
Seungki Baek
;
Hyuncheol Kim
;
Sungsoo Choi
;
Junseok Yang
;
Kyoungmok Son
;
Jongwon Choi
;
Howoo Park
;
Bumsuk Kim
;
JungChak Ahn
;
Duckhyun Chang
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Image quality;
CMOS image sensors;
Very large scale integration;
Diffusion tensor imaging;
Lenses;
98.
A CMOS LiDAR Sensor with Pre-Post Weighted-Histogramming for Sunlight Immunity Over 105 klx and SPAD-based Infinite Interference Canceling
机译:
CMOS激光雷达传感器,具有超过105 kLx的阳光免疫的后加权直方图和基于Spad的无限干扰消除
作者:
Hyeongseok Seo
;
Gihwan Cho
;
Jungwoo Kim
;
Junhan Bae
;
Seong-Jin Kim
;
Jung-Hoon Chun
;
Jaehyuk Choi
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Laser radar;
Sensitivity;
Interference;
Very large scale integration;
CMOS technology;
Generators;
System-on-chip;
99.
A 5.5mW/Channel 2-to-7 GHz Frequency Synthesizable Qubit-Controlling Cryogenic Pulse Modulator for Scalable Quantum Computers
机译:
用于可伸缩量子计算机的5.5MW /通道2至7GHz频率可合成频率可综合控制低温脉冲调制器
作者:
Kiseo Kang
;
ByungJun Kim
;
Gahyun Choi
;
Sun-Kyung Lee
;
Jisoo Choi
;
Jaeho Lee
;
Seokhyeong Kang
;
Moonjoo Lee
;
Ho-Jin Song
;
Yonuk Chong
;
Jae-Yoon Sim
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Computers;
Interpolation;
Frequency synthesizers;
Frequency modulation;
Superconducting integrated circuits;
Qubit;
Cryogenics;
100.
Buried nanomagnet realizing high-speed/low-variability silicon spin qubits: implementable in error-correctable large-scale quantum computers
机译:
埋藏的纳米磁体实现高速/低变性硅旋转QUBITS:可在纠错的大型量子计算机中实现
作者:
Shota Iizuka
;
Kimihiko Kato
;
Atsushi Yagishita
;
Hidehiro Asai
;
Tetsuya Ueda
;
Hiroshi Oka
;
Junichi Hattori
;
Tsutomu Ikegami
;
Koichi Fukuda
;
Takahiro Mori
会议名称:
《IEEE Symposium on VLSI Technology》
|
2021年
关键词:
Computers;
Wiring;
Qubit;
Quantum dots;
Layout;
Metals;
Logic gates;
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