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MRS fall meeting
MRS fall meeting
召开年:
2010
召开地:
Boston, MA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Structural Properties of Iron Nitride on Cu(100): an Ab-initio Molecular Dynamics study
机译:
氮化铁在Cu(100)上的结构性质:从头算分子动力学研究
作者:
Dodi Heryadi
;
Udo Schwingenschlogl
会议名称:
《MRS fall meeting》
|
2012年
2.
Zeeman splittings of the ~5D_0-~7F_2 transitions of Eu~(3+) ions implanted into GaN
机译:
植入GaN中的Eu〜(3+)离子〜5D_0-〜7F_2跃迁的塞曼分裂
作者:
V. Kachkanov
;
K.P. ODonnell
;
C. Rice
;
D. Wolverson
;
R.W. Martin
;
K. Lorenz
;
E. Alves
;
M. Bockowski
会议名称:
《MRS fall meeting》
|
2012年
3.
First-principles Study of Nitrogen Vacancies in GdN
机译:
GdN中氮空位的第一性原理研究
作者:
Atchara Punya
;
Tawinan Cheiwchanchamnangij
;
Alexander Thiess
;
Walter R. L. Lambrecht
会议名称:
《MRS fall meeting》
|
2012年
4.
Morphology and Magneto-optical Properties of Amorphous A1N Films Doped with Nickel
机译:
掺镍非晶A1N薄膜的形貌和磁光特性
作者:
W. M. Jadwisienczak
;
H. Tanaka
;
G. Chen
;
M. Kordesch
;
A. Khan
会议名称:
《MRS fall meeting》
|
2012年
5.
Excited Multiplets of Eu in GaN
机译:
GaN中Eu的激发多重
作者:
Ben Hourahine
会议名称:
《MRS fall meeting》
|
2012年
6.
Ga_(1-x)Gd_xN-Based Spin Polarized Light Emitting Diode
机译:
基于Ga_(1-x)Gd_xN的自旋偏振发光二极管
作者:
Muhammad Jamil
;
Tahir Zaidi
;
Andrew Melton
;
Tianming Xu
;
Ian T. Ferguson
会议名称:
《MRS fall meeting》
|
2012年
关键词:
spin polarized LED;
MOCVD;
nitride DMS;
7.
Structural, Magnetic and Electronic Properties of Dilute MnScN(OOl) Grown by RF Nitrogen Plasma Molecular Beam Epitaxy
机译:
RF氮等离子体分子束外延生长的稀MnScN(OOl)的结构,磁性和电子性质
作者:
Costel Constantin
;
Kangkang Wang
;
Abhijit Chinchore
;
Han-Jong Chia
;
John Markert
;
Arthur R. Smith
会议名称:
《MRS fall meeting》
|
2012年
8.
Site Dependence of Electronic Structure of Gd Impurities in GaN
机译:
GaN中Gd杂质电子结构的位点依赖性
作者:
Tawinan Cheiwchanchamnangij
;
Atchara Punya
;
Walter R. L. Lambrecht
会议名称:
《MRS fall meeting》
|
2012年
9.
Ferromagnetism in lightly Gd doped GaN: The role of defects
机译:
轻掺杂Gd的GaN中的铁磁性:缺陷的作用
作者:
J. K. Mishra
;
S. Dhar
;
M. A. Khaderabad
;
O. Brandt
会议名称:
《MRS fall meeting》
|
2012年
10.
Growth and characterization of transition-metal and rare-earth doped Ill-nitride semiconductors for spintronics
机译:
自旋电子学中过渡金属和稀土掺杂的III族氮化物半导体的生长和表征
作者:
H. Asahi
;
S. Hasegawa
;
Y.K. Zhou
;
S. Emura
会议名称:
《MRS fall meeting》
|
2012年
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