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Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual
Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual
召开年:
2000
召开地:
Seattle, WA
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
An MCM upconverter for double conversion data tuner applications
机译:
用于双转换数据调谐器应用的MCM上变频器
作者:
Bao J.W.
;
Van Saders J.
;
Stofman D.
;
Anderson M.
;
Xu D.
;
Scheinberg N.
;
Madapur S.
;
Chin M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
2.
Millimeter-wave bandwidth, SiGe-HBT travelling wave amplifier
机译:
毫米波带宽,SiGe-HBT行波放大器
作者:
Kerzar B.
;
Mokhtari M.
;
Yinggang Li
;
Hansson B.
;
Washio K.
;
Harada T.
;
Lewin T.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
3.
MMIC low-noise amplifiers and applications above 100 GHz
机译:
MMIC低噪声放大器和100 GHz以上的应用
作者:
Lai R.
;
Gaier T.
;
Nishimoto M.
;
Weinreb S.
;
Lee K.
;
Barsky M.
;
Raja R.
;
Sholley M.
;
Barber G.
;
Streit D.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
4.
A fully integrated front-end for 2.4 GHz low power applications
机译:
用于2.4 GHz低功耗应用的完全集成的前端
作者:
Villain F.
;
Chiesa J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
5.
Power flip-chip assembly for space application using HBT in Ku band
机译:
在Ku波段使用HBT进行空间应用的功率倒装芯片组装
作者:
Vendier O.
;
George S.
;
Fraysse J.-P.
;
Rogeaux E.
;
Drevon C.
;
Cazaux J.-L.
;
Floriot D.
;
Caillas-Devignes N.
;
Blanck H.
;
Doser W.
;
Auxemery P.
;
de Ceuninck W.
;
Petersen R.
;
Haese N.
;
Rolland P.-A.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
6.
A 1 Gb/s deskew IC for RAMBUS automatic test application
机译:
适用于RAMBUS自动测试应用的1 Gb / s歪斜校正IC
作者:
Hendarman A.
;
Choudhury A.
;
Yousefi A.
;
Armstrong A.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
7.
A 60 GHz integrated sub-harmonic receiver MMIC
机译:
60 GHz集成次谐波接收器MMIC
作者:
Zelley C.A.
;
Barnes A.R.
;
Bannister D.C.
;
Ashcroft R.W.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
8.
A 60 GHz-band coplanar-MMIC chipset for 500 Mbps ASK transceivers
机译:
用于500 Mbps ASK收发器的60 GHz频段共面MMIC芯片组
作者:
Maruhashi K.
;
Ito M.
;
Ohata K.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
9.
A high IP3, subharmonically pumped mixer for LMDS applications
机译:
适用于LMDS应用的高IP3次谐波泵浦混频器
作者:
Blount P.
;
Trantanella C.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
10.
An ultra-low DC power ultra-flat multi-octave MHEMT LNA MMIC
机译:
超低直流功率超平坦多倍频程MHEMT LNA MMIC
作者:
Tang O.S.A.
;
Hwang K.C.
;
Chao P.C.
;
Nichols K.
;
MtPleasant L.
;
Schmanski B.
;
Lang M.
;
Duh K.H.G.
;
Smith P.M.
;
Valenti S.
;
Melcher R.
;
Taft W.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
11.
Broadband low actuation voltage RF MEM switches
机译:
宽带低激励电压RF MEM开关
作者:
Shyf-Chiang Shen
;
Caruth D.
;
Feng M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
12.
Broad-band microwave power amplifiers in GaN technology
机译:
GaN技术的宽带微波功率放大器
作者:
Krishnamurthy K.
;
Keller S.
;
Mishra U.K.
;
Rodwell M.J.W.
;
Long S.I.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
13.
Directions in TeraHertz technology
机译:
TeraHertz技术的方向
作者:
Abbott D.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
14.
Forecasting method for HEMT MMIC large-signal RF yield
机译:
HEMT MMIC大信号射频成品率的预测方法
作者:
Tsai R.
;
Chen Y.C.
;
Nishimoto M.
;
Yang L.W.
;
Okamura W.
;
Lai R.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
15.
GaAs MESFET-based MMIC VCO with low phase noise performance
机译:
基于GaAs MESFET的MMIC VCO具有低相位噪声性能
作者:
Lee C.-H.
;
Han S.
;
Matinpour B.
;
Laskar J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
16.
GaN HFET technology for RF applications
机译:
用于射频应用的GaN HFET技术
作者:
Nguyen C.
;
Micovic M.
;
Wong D.
;
Kurdoghlian A.
;
Hashimoto P.
;
Janke P.
;
McCray L.
;
Jeong Moon
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
17.
Power amplifiers for 3.5 GHz W-CDMA applications
机译:
适用于3.5 GHz W-CDMA应用的功率放大器
作者:
Peatman W.C.B.
;
Hartin O.
;
Knappenberger B.
;
Miller M.
;
Hooper R.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
18.
Compact, 1 Watt, power amplifier MMICs for K-band applications
机译:
紧凑的1瓦功率放大器MMIC,适用于K波段应用
作者:
Brown S.A.
;
Carroll J.M.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
19.
Industrial application of heterostructure device simulation
机译:
异质结构器件仿真的工业应用
作者:
Palankovski V.
;
Quay R.
;
Selberherr S.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
20.
Interaction of degradation mechanisms in Be-doped GaAs HBTs
机译:
掺杂GaAs HBT中降解机理的相互作用
作者:
Hill D.
;
Parsey J.
会议名称:
《Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2000. 22nd Annual》
|
2000年
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