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Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong
Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong
召开年:
1998
召开地:
Hong Kong
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Proceedings 1998 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting
机译:
1998年IEEE香港电子设备会议论文集
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
2.
Resonant tunneling injection lasers
机译:
共振隧穿注入激光器
作者:
Kei May Lau
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
3.
Fabrication And Characterization Of Porous Polycrystalline Silicon Resistive Sensor
机译:
多孔多晶硅电阻传感器的制备与表征
作者:
Han P.G.
;
Wong H.
;
Poon M.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
4.
Modeling of low-frequency noise in barium titanate ceramic resistors
机译:
钛酸钡陶瓷电阻器中低频噪声的建模
作者:
Wong H.
;
Han P.G.
;
Poon M.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
5.
Phase formation and field emission properties of SiC/Si heterostructures formed by MEVVA implantation
机译:
MEVVA注入形成的SiC / Si异质结构的相形成和场发射特性
作者:
Wong S.P.
;
Dihu Chen
;
Kwok R.W.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
6.
Thermally stimulated spectroscopy of hole traps in silicon nitride
机译:
氮化硅中空穴陷阱的热激发光谱
作者:
Gritsenko V.A.
;
Xu J.B.
;
Lin S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
7.
Advances in intermixed quantum well devices
机译:
混合量子阱器件的进展
作者:
Li E.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
8.
A comparison between NO-annealed O/sub 2/- and N/sub 2/O-grown gate dielectrics
机译:
NO退火O / sub 2 /-和N / sub 2 / O生长的栅极电介质之间的比较
作者:
Lai P.T.
;
Xu J.P.
;
Cheng Y.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
9.
A New Approach To Study The Channel Charge Partition Of MOS Transistors During Non-Quasi-Static (NQS) Turn-On
机译:
研究非准静态(NQS)导通期间MOS晶体管的沟道电荷分配的新方法
作者:
Wai-kit Lee
;
Mansun Chan
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
10.
A predictive semi-analytical threshold voltage model for deep-submicron MOSFET's
机译:
深亚微米MOSFET的预测性半分析阈值电压模型
作者:
Lim K.Y.
;
Zhou X.
;
Lim D.
;
Zu Y.
;
Ho H.M.
;
Loiko K.
;
Lau C.K.
;
Tse M.S.
;
Choo S.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
11.
A Programmable Clock Oscillator For Integrated Sensor Applications
机译:
适用于集成传感器应用的可编程时钟振荡器
作者:
Chan P.K.
;
Siek L.
;
Lee C.S.
;
Chan K.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
12.
A simple and meaningful expression of heterojunction built-in voltage between p-type SiGe and n-type Si
机译:
p型SiGe和n型Si之间的异质结内置电压的简单而有意义的表示
作者:
Deyi Kong
;
Tongli Wei
;
Yao Li
;
Weidong Nie
;
Wensheng Qian
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
13.
Properties and design optimization of photo-diodes available in a current CMOS technology
机译:
当前CMOS技术中可用的光电二极管的特性和设计优化
作者:
Weiquan Zhang
;
Mansun Chan
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
14.
Analysis of strained InGaAs/GaAs multi-quantum-well waveguide defined by ion implantation
机译:
离子注入定义的应变InGaAs / GaAs多量子阱波导的分析
作者:
Li A.T.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
15.
Anodic-oxide-induced interdiffusion in quantum wells structure
机译:
阳极氧化物在量子阱结构中的相互扩散
作者:
Chan M.C.Y.
;
Li E.H.
;
Shu Yuan
;
Tan H.H.
;
Jagadish C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
16.
Bandstructure of interdiffused InGaN/GaN quantum well
机译:
相互扩散的InGaN / GaN量子阱的能带结构
作者:
Cheung E.M.T.
;
Chan M.C.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
17.
Base-collector heterojunction barrier effect of the SiGe HBT at high current densities
机译:
SiGe HBT在高电流密度下的基极-集电极异质结势垒效应
作者:
Yuan J.S.
;
Song J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
18.
Design of multi-finger AlGaAs/GaAs HBTs with non-uniform spacing
机译:
间距不均匀的多指AlGaAs / GaAs HBT的设计
作者:
Yang-Hua Chang
;
Yueh-Cheng Lee
;
Chi-Chung Liu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
19.
Effect of non-uniform distribution of electric field on diffused quantum well lasers
机译:
电场的非均匀分布对扩散量子阱激光器的影响
作者:
Man W.M.
;
Yu S.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
20.
Electrical characteristics of MIS capacitors with BST thin films deposited on n-Si(100) by the sol-gel method
机译:
溶胶-凝胶法在n-Si(100)上沉积BST薄膜的MIS电容器的电特性
作者:
Law C.W.
;
Tong K.Y.
;
Wong K.L.
;
Li J.H.
;
Kun Li
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
21.
Influences of processing technique on electrical characteristics of TVS used in communication systems
机译:
处理技术对通信系统中TVS电气特性的影响
作者:
Zheng X.R.
;
Liu B.Y.
;
Bin Li
;
Lai P.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
22.
Interdiffused InGaAs/GaAs strained multiple quantum well infrared photodetector
机译:
互扩散InGaAs / GaAs应变多量子阱红外光电探测器
作者:
Lee A.S.W.
;
Karunasiri G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
23.
Medium wavelength infrared detector with diffused AlxIn/sub 1-x/Sb/InSb quantum-well structure
机译:
具有扩散AlxIn / sub 1-x / Sb / InSb量子阱结构的中波长红外探测器
作者:
Sim S.K.H.
;
Mutamba K.
;
Sigurdardottir A.
;
Hartnagel H.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
24.
Modeling for the subthreshold current in SOI short channel gate controlled hybrid transistor
机译:
SOI短沟道栅控混合晶体管中亚阈值电流的建模
作者:
Ru Huang
;
Yang Yuan Wang
;
RuQi Han
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
25.
Modeling of electromigration-induced resistance change in aluminum thin films
机译:
铝薄膜中电迁移引起的电阻变化的建模
作者:
Lo V.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
26.
Modeling of field dependent resistivity of BaTiO/sub 3/ positive temperature coefficient resistors
机译:
BaTiO / sub 3 /正温度系数电阻器的场相关电阻率建模
作者:
Wong H.
;
Han P.G.
;
Poon M.C.
;
Chen Y.Y.
;
Zheng X.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
27.
Multiple cations interdiffusion in InGaAs/InAlAs quantum well structure and their optical gain properties
机译:
InGaAs / InAlAs量子阱结构中的多种阳离子互扩散及其光增益特性
作者:
Chan Y.
;
Chan M.C.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
28.
Negative binomial yield model parameter extraction using wafer probe bin map data
机译:
使用晶圆探针箱图数据提取负二项式产量模型参数
作者:
Langford R.E.
;
Liou J.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
29.
Optimization of textured-surface light emitting diode
机译:
优化表面发光二极管
作者:
Li E.H.
;
Chun-Chung Chan
;
Kwok P.C.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
30.
Performance Study Of An Ultrasonic Transducer Used For Wire Bonding
机译:
用于引线键合的超声波传感器的性能研究
作者:
Or S.W.
;
Chan H.L.W.
;
Lo V.C.
;
Yuen C.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
31.
Spreading-resistance Temperature Sensor On SOI
机译:
SOI上的扩展电阻温度传感器
作者:
Lai P.T.
;
Li B.
;
Chan C.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
32.
Study of 1/f noise in III-V nitride based MODFETs at low drain bias
机译:
低漏极偏置下基于III-V氮化物的MODFET中的1 / f噪声研究
作者:
Ho W.
;
Surya C.
;
Tong K.Y.
;
Kim W.
;
Botcharev A.
;
Morkoc H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
33.
Study of flicker noise in III-V nitride based heterojunctions due to hot-electron stressing
机译:
热电子应力引起的基于III-V族氮化物的异质结中的闪烁噪声研究
作者:
Ho W.Y.
;
Surya C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
34.
The effect of nitrogen incorporation into the gate oxide by using shallow implantation of nitrogen and drive-in process
机译:
氮的浅注入和压入工艺将氮掺入栅氧化物中的作用
作者:
Lian-Hoon Ko
;
Byung-Jin Cho
;
Yiang-Aun Nga
;
Lap-Hung Chan
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
35.
The parallel simulation software design method on hydrodynamic model
机译:
流体动力学模型的并行仿真软件设计方法
作者:
Lianfeng Yang
;
Jin Wu
;
Nasirjan
;
Tongli Wei
;
Yun Wang
;
Junqing Xie
;
Min Cai
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
36.
Thermal Induced Stress On The Membrane In Integrated Gas Sensor With Micro-heater
机译:
带有微型加热器的集成气体传感器中膜上的热诱导应力
作者:
Low H.M.
;
Tse M.S.
;
Chiu M.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
37.
Thermal stability of nickel silicides in different silicon substrates
机译:
不同硅衬底中硅化镍的热稳定性
作者:
Ho S.C.H.
;
Poon M.C.
;
Chan M.
;
Wong H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
38.
Wafer-level Electromigration Reliability Test For Deep-submicron Interconnect Metallization
机译:
深亚微米互连金属化的晶圆级电迁移可靠性测试
作者:
Loh W.B.
;
Tse M.S.
;
Chan L.
;
Eo K.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1998. Proceedings. 1998 IEEE Hong Kong》
|
1998年
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