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Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International
Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International
召开年:
1997
召开地:
Washington, DC
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
An ultra low-power RF bipolar technology on glass
机译:
玻璃上的超低功耗射频双极技术
作者:
Dekker R.
;
Baltus P.
;
van Deurzen M.
;
Einden W.v.d.
;
Maas H.
;
Wagemans A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
2.
Multi-generation device fabrication by ArF lithography
机译:
通过ArF光刻技术制造多代器件
作者:
Mori S.
;
Morisawa T.
;
Matsuzawa N.
;
Kaimoto Y.
;
Endo M.
;
Matsuo T.
;
Takahashi M.
;
Naito T.
;
Naruse Y.
;
Kishimura S.
;
Takechi S.
;
Yamaguchi A.
;
Uematsu M.
;
Onodera T.
;
Nakazawa K.
;
Kamon K.
;
Tatsumi T.
;
Morishita S.
;
Kuhara K.
;
Ohfuji T.
;
Ogawa T.
;
Ohtsuka H.
;
Inoue M.
;
Sasago M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
3.
Optical interconnect technologies for Si ULSI
机译:
Si ULSI的光学互连技术
作者:
Miller D.A.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
4.
Pushing the limits of lithography for IC production
机译:
推动光刻技术在IC生产中的极限
作者:
Brunner T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
5.
Multimedia: future and impact for semiconductor technology
机译:
多媒体:半导体技术的未来和影响
作者:
Sasaki H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
6.
Neural microelectronics
机译:
神经微电子学
作者:
Shibata T.
;
Ohmi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
7.
Polymeric integrated circuits and light-emitting diodes
机译:
高分子集成电路和发光二极管
作者:
de Leeuw D.M.
;
Blom P.W.M.
;
Hart C.M.
;
Mutsaers C.M.J.
;
Drury C.J.
;
Matters M.
;
Termeer H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
8.
Chip cards-the application revolution
机译:
芯片卡-应用革命
作者:
Hamann U.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
9.
Noise performance of a color CMOS photogate image sensor
机译:
彩色CMOS光电门图像传感器的噪声性能
作者:
Blanksby A.J.
;
Loinaz M.J.
;
Inglis D.A.
;
Ackland B.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
10.
A 7.9/5.5 psec room/low temperature SOI CMOS
机译:
7.9 / 5.5 psec室温/低温SOI CMOS
作者:
Assaderaghi F.
;
Rausch W.
;
Ajmera A.
;
Leobandung E.
;
Schepis D.
;
Wagner L.
;
Wann H.-J.
;
Bolam R.
;
Yee D.
;
Davari B.
;
Shahidi G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
11.
A compact Schottky body contact technology for SOI transistors
机译:
SOI晶体管的紧凑型肖特基体接触技术
作者:
Sleight J.
;
Mistry K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
12.
A GaAs power FET with zero-temperature-coefficient
机译:
具有零温度系数的GaAs功率FET
作者:
Tanaka T.
;
Furukawa H.
;
Ueda D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
13.
A new clustering model for runaway boron pile-up effect
机译:
失控硼堆积效应的新聚类模型
作者:
Orlowski M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
14.
A simple polysilicon TFT technology for display systems on glass
机译:
一种用于玻璃显示系统的简单多晶硅TFT技术
作者:
Kumar K.P. A.
;
Sin K.O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
15.
Anomalous short channel effects in Indium implanted nMOSFETs
机译:
铟注入nMOSFET中的异常短沟道效应
作者:
Bouillon P.
;
Gwoziecki R.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
16.
Assessment of charge-induced damage to ultra-thin gate MOSFETs
机译:
评估电荷对超薄栅极MOSFET造成的损坏
作者:
Krishnan S.
;
Rangan S.
;
Hattangady S.
;
Xing G.
;
Brennan K.
;
Rodder M.
;
Ashok S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
17.
CCD based pH imaging sensor
机译:
基于CCD的pH成像传感器
作者:
Mimura S.
;
Sawada K.
;
Tomita K.
;
Nakanishi T.
;
Tanabe H.
;
Ando T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
18.
Device simulation for RF applications
机译:
射频应用的设备仿真
作者:
Dutton R.W.
;
Troyanovsky B.
;
Yu Z.
;
Arnborg T.
;
Rotella F.
;
Ma G.
;
Sato-Iwanaga J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
19.
Double-Hall sensor with self-compensated offset
机译:
具有自动补偿偏移的双霍尔传感器
作者:
Steiner R.
;
Schneider M.
;
Baltes H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
20.
Dual material gate field effect transistor (DMGFET)
机译:
双材料栅极场效应晶体管(DMGFET)
作者:
Wei Long
;
Chin K.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
21.
Edge and surface emitting quantum dot lasers
机译:
边缘和表面发射量子点激光器
作者:
Bimberg D.
;
Ledentsov N.N.
;
Grundmann M.
;
Heinrichsdorff F.
;
Ustinov V.M.
;
Kopev P.S.
;
Alferov Zh.I.
;
Lott J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
22.
Embedded DRAM technologies
机译:
嵌入式DRAM技术
作者:
Ishiuchi H.
;
Yoshida T.
;
Takato H.
;
Tomioka K.
;
Matsuo K.
;
Momose H.
;
Sawada S.
;
Yamazaki K.
;
Maeguchi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
23.
Hierarchical interconnect modeling
机译:
分层互连建模
作者:
Chiprout E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
24.
High performance and large area flip-chip bonded AlGaN/GaN MODFETs
机译:
高性能和大面积倒装芯片键合AlGaN / GaN MODFET
作者:
Thibeault B.J.
;
Keller B.P.
;
Fini P.
;
Mishra U.K.
;
Nguyen C.
;
Nguyen N.X.
;
Le M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
25.
High sensitivity CMOS microfluxgate sensor
机译:
高灵敏度CMOS微通栅传感器
作者:
Schneider M.
;
Kawahito S.
;
Tadokoro Y.
;
Baltes H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
26.
High-speed, low-power InSb transistors
机译:
高速,低功耗InSb晶体管
作者:
Ashley T.
;
Dean A.B.
;
Elliott C.T.
;
Jefferies R.
;
Khaleque F.
;
Phillips T.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
27.
Hot-carrier reliability in submicrometer LDMOS transistors
机译:
亚微米LDMOS晶体管的热载流子可靠性
作者:
Versari R.
;
Pieracci A.
;
Manzini S.
;
Contiero C.
;
Ricco B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
28.
Impact of plasma-charging damage polarity on MOSFET noise
机译:
等离子充电损坏极性对MOSFET噪声的影响
作者:
Cheung K.P.
;
Martin S.
;
Misra D.
;
Steiner K.
;
Colonell J.I.
;
Chang C.P.
;
Lai W.Y.C.
;
Liu C.T.
;
Liu R.
;
Pai C.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
29.
Investigations of hot-carrier-induced breakdown of thin oxides
机译:
热载流子引起的薄氧化物分解研究
作者:
Kamakura Y.
;
Utsunomiya H.
;
Tomita T.
;
Umeda K.
;
Taniguchi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
30.
Lateral DMOS design for ESD robustness
机译:
横向DMOS设计可增强ESD稳定性
作者:
Duvvury C.
;
Carvajal F.
;
Jones C.
;
Briggs D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
31.
Low noise FET design for wireless communications
机译:
用于无线通信的低噪声FET设计
作者:
Franca-Neto L.M.
;
Mao E.
;
Harris J.S. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
32.
Micromachined accelerometer with no proof mass
机译:
无质量检测的微机械加速度计
作者:
Leung A.M.
;
Jones J.
;
Czyzewska E.
;
Chen J.
;
Pascal M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
33.
Modeling of ultra-low energy boron implantation in silicon
机译:
硅中超低能硼注入的建模
作者:
Hobler G.
;
Vuong H.-H.
;
Bevk J.
;
Agarwal A.
;
Gossmann H.-J.
;
Jacobson D.C.
;
Foad M.
;
Murrell A.
;
Erokhin Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
34.
2-GHz Si power MOSFET technology
机译:
2 GHz Si功率MOSFET技术
作者:
Yoshida I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
35.
Advances in amorphous silicon technology for LCDs
机译:
LCD的非晶硅技术的进步
作者:
Tsukada T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
36.
Novel high power AlGaN/GaN HFETs on SiC substrates
机译:
SiC衬底上的新型高功率AlGaN / GaN HFET
作者:
Gaska R.
;
Yang J.
;
Osinsky A.
;
Asif Khan M.
;
Shur M.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
37.
On-state breakdown in power HEMTs: measurements and modeling
机译:
功率HEMT的状态故障:测量和建模
作者:
Somerville M.H.
;
Blanchard R.
;
del Alamo J.A.
;
Duh G.
;
Chao P.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
38.
Oxide based compound semiconductor electronics
机译:
氧化物基化合物半导体电子产品
作者:
Mishra U.K.
;
Parikh P.
;
Chavarkar P.
;
Yen J.
;
Champlain J.
;
Thibeault B.
;
Reese H.
;
Song Stone Shi
;
Hu E.
;
Lijie Zhu
;
Speck J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
39.
Pentacene thin film transistors and inverter circuits
机译:
并五苯薄膜晶体管和反相器电路
作者:
Klauk H.
;
Yen-Yi Lin
;
Gundlach D.J.
;
Jackson T.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
40.
PLED-planar localised electron devices
机译:
PLED平面局部电子器件
作者:
Nakazato K.
;
Piotrowicz P.J.A.
;
Hasko D.G.
;
Ahmed H.
;
Itoh K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
41.
Process charging in ULSI: mechanisms, impact and solutions
机译:
ULSI中的过程计费:机制,影响和解决方案
作者:
McVittie J.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
42.
Reverse channel floating base emitter switched thyristor (RFB-EST)
机译:
反向通道浮动基极发射极开关晶闸管(RFB-EST)
作者:
Xu S.
;
Constapel R.
;
Silber D.
;
Sin J.K.O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
43.
Room temperature Nb/Nb oxide-based single-electron transistors
机译:
室温基于Nb / Nb氧化物的单电子晶体管
作者:
Shirakashi J.-I.
;
Matsumoto K.
;
Miura N.
;
Konagai M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
44.
Silicon double-island single-electron device
机译:
硅双岛单电子器件
作者:
Fujiwara A.
;
Takahashi Y.
;
Yamazaki K.
;
Namatsu H.
;
Nagase M.
;
Kurihara K.
;
Murase K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
45.
Single-chip CMOS anemometer
机译:
单芯片CMOS风速计
作者:
Mayer F.
;
Haberli A.
;
Jacobs H.
;
Ofner G.
;
Paul O.
;
Baltes H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
46.
SOI floating-body, device and circuit issues
机译:
SOI浮体,器件和电路问题
作者:
Gautier J.
;
Pelella M.M.
;
Fossum J.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
47.
Sputtered thin film boron nitride cold emitters on metal substrates
机译:
在金属基板上溅射薄膜氮化硼冷发射器
作者:
Pryor E.W.
;
Lihua Li
;
Busta H.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
48.
Thin film transistors for foldable displays
机译:
用于可折叠显示器的薄膜晶体管
作者:
Ma E.Y.
;
Theiss S.D.
;
Lu M.H.
;
Wu C.C.
;
Sturn J.C.
;
Wagner S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
49.
Ultra-thin gate dielectrics: they break down, but do they fail?
机译:
超薄栅极电介质:它们会击穿,但会失效吗?
作者:
Weir B.E.
;
Silverman P.J.
;
Monroe D.
;
Krisch K.S.
;
Alam M.A.
;
Alers G.B.
;
Sorsch T.W.
;
Timp G.L.
;
Baumann F.
;
Liu C.T.
;
Ma Y.
;
Hwang D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
50.
Verify: key to the stable single-electron-memory operation
机译:
验证:稳定单电子存储器操作的关键
作者:
Ishii T.
;
Yano K.
;
Sano T.
;
Mine T.
;
Murai F.
;
Seki K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1997. IEDM '97. Technical Digest., International》
|
1997年
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