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Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International
Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International
召开年:
1990
召开地:
San Francisco, CA
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
DC and RF performance of MBE grown InAlAs/InP MODFETs
机译:
MBE生长的InAlAs / InP MODFET的DC和RF性能
作者:
Fathimulla A.
;
Hier H.
;
Abrahams J.
;
Hempfling E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
2.
A 10 Gb/s laser driver in InP/InGaAs HBT technology
机译:
采用InP / InGaAs HBT技术的10 Gb / s激光驱动器
作者:
Jalali B.
;
Banu M.
;
Nottenburg R.N.
;
Humphrey D.A.
;
Montgomery R.K.
;
Hamm R.A.
;
Panish M.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
3.
Optically controlled surface emitting lasers
机译:
光控表面发射激光器
作者:
Chan W.K.
;
von Lehman A.
;
Florez L.T.
;
Nguyen C.K.
;
Harbison J.P.
;
Schwarz S.A.
;
Hart D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
4.
Band-gap narrowing and III-V heterostructure FETs
机译:
带隙变窄和III-V异质结FET
作者:
Myers D.R.
;
Lott J.A.
;
Lowney J.R.
;
Klem J.F.
;
Tigges C.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
5.
Bipolar circuit reliability simulation
机译:
双极电路可靠性仿真
作者:
Burnett D.
;
Horiuchi T.
;
Ku C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
6.
Characterization of lateral dopant diffusion in silicides
机译:
硅化物中横向掺杂剂扩散的特征
作者:
Chu C.L.
;
Saraswat K.C.
;
Wong S.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
7.
Complete transient simulation of flash EEPROM devices
机译:
闪存EEPROM器件的完整瞬态仿真
作者:
Keeney S.
;
Piccinini F.
;
Morelli M.
;
Mathewson A.
;
Lombardi C.
;
Bez R.
;
Ravazzi L.
;
Cantarelli D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
8.
Computer simulations of re-entrant crossed-field amplifiers
机译:
重入交叉场放大器的计算机仿真
作者:
Chernin D.
;
Drobot A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
9.
CVD copper metallurgy for ULSI interconnections
机译:
用于ULSI互连的CVD铜冶金
作者:
Arita Y.
;
Awaya N.
;
Ohno K.
;
Sato M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
10.
Deep submicron nitrided-oxide CMOS technology for 3.3-V operation
机译:
用于3.3V操作的深亚微米氮化氧化物CMOS技术
作者:
Hori T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
11.
Design of an 850-MHz klystrode
机译:
850-MHz悬架的设计
作者:
Goplen B.
;
Ludeking L.
;
Nguyen K.
;
Warren G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
12.
Dielectric loaded broadband gyro-TWT
机译:
介质加载宽带陀螺仪-TWT
作者:
Leou K.C.
;
McDermott D.B.
;
Luhmann N.C. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
13.
Dry cleaning procedure for silicon IC fabrication
机译:
硅IC制造的干洗程序
作者:
Ruzyllo J.
;
Frystak D.C.
;
Bowling R.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
14.
Endurance properties of ferroelectric PZT thin films
机译:
铁电PZT薄膜的耐久性能
作者:
Moazzami R.
;
Hu C.
;
Shepherd W.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
15.
Epitaxial-base double-poly self-aligned bipolar transistors
机译:
外延基双多晶硅自对准双极晶体管
作者:
Ganin E.
;
Chen T.C.
;
Stork J.M.C.
;
Meyerson B.S.
;
Cressler J.D.
;
Scilla G.
;
Warnock J.
;
Harame D.L.
;
Patton G.L.
;
Ning T.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
16.
Fabrication of 64 M DRAM with i-line phase-shift lithography
机译:
使用i线相移光刻技术制造64 M DRAM
作者:
Nakagawa K.
;
Taguchi M.
;
Ema T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
17.
Fabrication of a 80 nm self-aligned T-gate AlInAs/GaInAs HEMT
机译:
80 nm自对准T栅极AlInAs / GaInAs HEMT的制造
作者:
Nguyen L.D.
;
Jelloian L.M.
;
Thompson M.
;
Lui M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
18.
Field emission from submicron emitter arrays
机译:
亚微米发射器阵列的场发射
作者:
Sokolich M.
;
Adler E.A.
;
Longo R.T.
;
Goebel D.M.
;
Benton R.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
19.
Gate-aided drain to field breakdown of high voltage NMOS devices
机译:
栅极辅助漏极到高压NMOS器件的场击穿
作者:
Dumlao A.P.
;
Madurawe R.U.
;
McFarlane T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
20.
High performance GaSb p-channel MODFETs
机译:
高性能GaSb p沟道MODFET
作者:
Luo L.F.
;
Longenbach K.F.
;
Wang W.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
21.
High-gain, high-speed InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors
机译:
高增益,高速InGaAs / InP异质结双极晶体管
作者:
Kyono C.S.
;
Cheung P.
;
Pinzone C.J.
;
Gerrard N.D.
;
Bustami T.
;
Maziar C.M.
;
Neikirk D.P.
;
Dupuis R.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
22.
Hot carrier reliability in deep submicrometer MOSFETs
机译:
深亚微米MOSFET的热载流子可靠性
作者:
Hazama H.
;
Iwase M.
;
Takagi S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
23.
HSST BiCMOS technology with 26 ps ECL and 45 ps 2 V CMOS inverter
机译:
具有26ps ECL和45ps 2V CMOS反相器的HSST BiCMOS技术
作者:
Konaka S.
;
Kobayashi T.
;
Matsuda T.
;
Ugajin M.
;
Imai K.
;
Sakai T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
24.
InAlAs/InGaAs HBTs using magnesium p-type dopant
机译:
使用镁p型掺杂剂的InAlAs / InGaAs HBT
作者:
Miura A.
;
Yakihara T.
;
Uchida S.
;
Oka S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
25.
Interfacial force sensor with force-feedback control
机译:
带有力反馈控制的界面力传感器
作者:
Joyce S.A.
;
Houston J.E.
;
Smith B.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
26.
Lateral distribution of interface states in PMOSFETs
机译:
PMOSFET中界面状态的横向分布
作者:
Dimauro J.L.
;
Henning A.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
27.
Low temperature operation of Si and SiGe bipolar transistors
机译:
Si和SiGe双极晶体管的低温运行
作者:
Crabbe E.F.
;
Patton G.L.
;
Stork J.M.C.
;
Comfort J.H.
;
Meyerson B.S.
;
Sun J.Y.-C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
28.
LPCVD profile simulation using a re-emission model
机译:
使用再发射模型进行LPCVD轮廓模拟
作者:
McVittie J.P.
;
Rey J.C.
;
Cheng L.Y.
;
IslamRaja M.M.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
29.
Microstructure sensors
机译:
微结构传感器
作者:
Guckel H.
;
Christenson T.R.
;
Skrobis K.J.
;
Sniegowski J.J.
;
Kang J.W.
;
Choi B.
;
Lovell E.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
30.
Microwave operation of InGaAs/InAlAs charge injection transistors
机译:
InGaAs / InAlAs电荷注入晶体管的微波操作
作者:
Mensz P.M.
;
Schumacher H.
;
Garbinski P.A.
;
Cho A.Y.
;
Sivco D.L.
;
Luryi S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
31.
Millimeter-wave high gain crossed-field amplifier
机译:
毫米波高增益交叉场放大器
作者:
MacMaster G.H.
;
Nichols L.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
32.
Modeling advanced bipolar devices for high performance applications
机译:
为高性能应用建模高级双极设备
作者:
Knepper R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
33.
Modeling of polysilicon diffusion sources
机译:
多晶硅扩散源建模
作者:
Lau F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
34.
Negative energy cyclotron resonance maser
机译:
负能量回旋共振器
作者:
Lednum E.E.
;
McDermott D.B.
;
Lin A.T.
;
Luhmann N.C. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
35.
1 to 25 GHz vacuum FET distributed amplifier analysis
机译:
1至25 GHz真空FET分布式放大器分析
作者:
Warren H.P.
;
Wiltsey T.J.
;
Chou E.C.
;
Wong F.C.
;
Luhmann N.C. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
36.
256 bit parallel XOR gate operating with optical input and output
机译:
带有光学输入和输出的256位并行XOR门
作者:
Matsuda K.
;
Adachi H.
;
Chino T.
;
Shibata J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
37.
35 GHz/35 psec ECL pnp technology
机译:
35 GHz / 35 sec ECL pnp技术
作者:
Warnock J.
;
Lu P.-F.
;
Cressler J.D.
;
Jenkins K.A.
;
Sun J.Y.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
38.
4-layer 3-D IC technologies for parallel signal processing
机译:
用于并行信号处理的4层3-D IC技术
作者:
Yamazaki K.
;
Itoh Y.
;
Wada A.
;
Morimoto K.
;
Tomita Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
39.
A 36 GHz 1/8 frequency divider with GaAs BP-MESFETs
机译:
具有GaAs BP-MESFET的36 GHz 1/8分频器
作者:
Nishi S.
;
Tsuji J.
;
Fujishiro H.I.
;
Shikata M.
;
Tanaka K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
40.
A half-micron CMOS technology using ultra-thin silicon on insulator
机译:
在绝缘体上使用超薄硅的半微米CMOS技术
作者:
Woerlee P.H.
;
Juffermans C.
;
Lifka H.
;
Manders W.
;
Lansink F.M.O.
;
Paulzen G.M.
;
Sheridan P.
;
Walker A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
41.
A new monitor to predict hot-carrier damage of PMOS transistors
机译:
一种新型监视器,可预测PMOS晶体管的热载流子损坏
作者:
Woltjer R.
;
Paulzen G.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
42.
A novel stacked capacitor cell with dual cell plate for 64 Mb DRAMs
机译:
具有用于64 Mb DRAM的双单元板的新型堆叠式电容器单元
作者:
Arima H.
;
Hachisuka A.
;
Ogawa T.
;
Okudaira T.
;
Okumura Y.
;
Matsui Y.
;
Motonami K.
;
Matsukawa T.
;
Tsubouchi N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
43.
A novel sublithographic tunnel diode based 5V-only flash memory
机译:
一种基于亚光刻隧道二极管的新型仅5V闪存
作者:
Gill M.
;
Cleavelin R.
;
Lin S.
;
Middendorf M.
;
Nuyen A.
;
Wong J.
;
Huber B.
;
DArrigo S.
;
Shah P.
;
Kougianos E.
;
Hefley P.
;
Santin G.
;
Naso G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
44.
A polysilicon transistor technology for large capacity SRAMs
机译:
用于大容量SRAM的多晶硅晶体管技术
作者:
Ikeda S.
;
Hashiba S.
;
Kuramoto I.
;
Katoh H.
;
Ariga S.
;
Yamanaka T.
;
Hashimoto T.
;
Hashimoto N.
;
Meguro S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
45.
A reliable bi-polarity write/erase technology in flash EEPROMs
机译:
闪存EEPROM中可靠的双极性写/擦除技术
作者:
Aritome S.
;
Shirota R.
;
Kirisawa R.
;
Endoh T.
;
Nakayama R.
;
Sakui K.
;
Masuoka F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
46.
A resistive-gate two-phase 2DEG CCD for III-V IR detectors
机译:
用于III-V红外探测器的电阻门两相2DEG CCD
作者:
Song J.-I.
;
Fossum E.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
47.
A scalable submicron contact technology using conformal LPCVD TiN
机译:
使用保形LPCVD TiN的可扩展亚微米接触技术
作者:
Travis E.O.
;
Paulson W.M.
;
Pintchovski F.
;
Boeck B.
;
Parrillo L.C.
;
Kottke M.L.
;
Fu K.-Y.
;
Rice M.J.
;
Price J.B.
;
Eichman E.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
48.
A study of field emission microtriodes
机译:
场发射微三极管的研究
作者:
Holland C.E.
;
Rosengreen A.
;
Spindt C.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
49.
A TiN strapped polysilicon gate cobalt salicide CMOS process
机译:
TiN束缚的多晶硅栅自对准硅化钴CMOS工艺
作者:
Pfiester J.R.
;
Mele T.C.
;
Limb Y.
;
Jones R.E.
;
Woo M.
;
Boeck B.
;
Gunderson C.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
50.
A unified mobility model for device simulation
机译:
用于设备仿真的统一移动性模型
作者:
Klaassen D.B.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
51.
A viscous nitride model for nitride/oxide isolation structures
机译:
用于氮化物/氧化物隔离结构的粘性氮化物模型
作者:
Griffin P.B.
;
Rafferty C.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
52.
A wide-margin, multiple-fan-in NOR gate for Josephson decoder
机译:
约瑟夫森解码器的宽容多扇或非门
作者:
Yuh P.-F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
53.
AC hot-carrier degradation due to gate-pulse-induced noise
机译:
栅极脉冲引起的噪声导致交流热载流子劣化
作者:
Izawa R.
;
Umeda K.
;
Takeda E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
54.
Novel dry cleaning using trisilane with a new single-wafer reactor
机译:
使用三硅烷与新型单晶片反应器进行新型干洗
作者:
Mieno F.
;
Miyata H.
;
Tsukune A.
;
Furumura Y.
;
Tsuchikawa H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
55.
Optoelectronic generation and detection of 80 Gbit/s pulse train
机译:
80 Gbit / s脉冲序列的光电生成和检测
作者:
Shu C.
;
Zhang X.-C.
;
Yang E.S.
;
Auston D.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
56.
Optoelectronic integrated circuits
机译:
光电集成电路
作者:
Leheny R.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
57.
Physically-based models of alignment schemes in commercial steppers
机译:
商业步进器中基于物理的对齐方案模型
作者:
Yuan C.-M.
;
Strojwas A.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
58.
Porous silicon electron-emitting source
机译:
多孔硅电子发射源
作者:
Yue W.K.
;
Parker D.L.
;
Weichold M.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
59.
Process design for merged complementary BiCMOS
机译:
合并互补BiCMOS的工艺设计
作者:
Rovedo N.
;
Ogura S.
;
Acocella J.
;
Barnes K.
;
Dally A.
;
Yangisawa T.
;
Ng C.
;
Burkhardt J.
;
Valsamakis E.
;
Hamers J.
;
Buti T.
;
Richwine C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
60.
Recent developments in millimeter wave gyro-TWT research at NTHU
机译:
NTHU毫米波陀螺仪-TWT研究的最新进展
作者:
Chu K.R.
;
Barnett L.R.
;
Wai Keung Lau
;
Lung Hai Chang
;
Chwung Shan Kou
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
61.
RF amplifiers based on vacuum microelectronic technology
机译:
基于真空微电子技术的RF放大器
作者:
Parker R.K.
;
Abrams R.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
62.
Si resonance transport device
机译:
共振输送装置
作者:
Takeda E.
;
Matsuoka H.
;
Yoshimura T.
;
Ichiguchi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
63.
Single crystal silicon micro-actuators
机译:
单晶硅微执行器
作者:
Suzuki K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
64.
Smart power technology: an elephantine opportunity
机译:
智能电源技术:千载难逢的机会
作者:
Baliga B.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
65.
Stacked-nitride oxide gate MISFET with high hot-carrier-immunity
机译:
具有高热载流子免疫力的堆叠式氮化物氧化物栅极MISFET
作者:
Iwai H.
;
Momose H.S.
;
Morimoto T.
;
Ozawa Y.
;
Yamabe K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
66.
Strained layer quantum well heterostructure lasers
机译:
应变层量子阱异质结构激光器
作者:
Coleman J.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
67.
Structure design for submicron MOSFET on ultra thin SOI
机译:
超薄SOI上亚微米MOSFET的结构设计
作者:
Yamaguchi Y.
;
Iwamatsu T.
;
Oda H.
;
Inoue Y.
;
Nishimura T.
;
Akasaka Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
68.
Surface micromachined linear thermal microactuator
机译:
表面微加工线性热微致动器
作者:
Judy J.W.
;
Tamagawa T.
;
Polla D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
69.
System level packaging: an alternative to monolithic ULSI?
机译:
系统级包装:单片ULSI的替代产品?
作者:
Pease R.F.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
|
1990年
70.
The Emission Gated Device Experiment
机译:
发射门控设备实验
作者:
Kodis M.A.
;
Vanderplaats N.R.
;
Zaidman E.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
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1990年
71.
Transparent phase shifting mask
机译:
透明相移掩模
作者:
Watanabe H.
;
Todokoro Y.
;
Inoue M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
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1990年
72.
VLSI multilevel micro-coaxial interconnects for high speed devices
机译:
适用于高速设备的VLSI多级微同轴互连
作者:
Thomas M.E.
;
Saadat I.A.
;
Sekigahama S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1990. IEDM '90. Technical Digest., International》
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1990年
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