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European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)
European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)
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1.
Nanotechnology : the Next Industrial Revolution?
机译:
纳米技术:下一次工业革命?
作者:
A. Cappy
;
D. Stievenard
;
D. Vuillaume
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
2.
Negative Uniaxial Optical Behaviour of Laminated Polarization Beam-splitters
机译:
偏振偏振分束器的负单轴光学特性
作者:
A. Massaro
;
A. Di Donato
;
T. Rozzi
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
3.
Novel Variable Attenuator pHEMT MMIC's for Millimetre Wave Radio Applications
机译:
适用于毫米波无线电应用的新型可变衰减器pHEMT MMIC
作者:
P. Nyberg
;
A. Vanhoja
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
4.
Nonlinear Dynamic Modeling of Voltage Controlled Oscillators
机译:
压控振荡器的非线性动力学建模
作者:
ALBERTO COSTANTINI
;
CORRADO FLORIAN
;
RAFAEL CIGNANI
;
GIORGIO VANNINI
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
5.
Performance evaluation of submicron channel GaN vertical transistors
机译:
亚微米沟道GaN垂直晶体管的性能评估
作者:
V.Camarchia
;
E. Bellotti
;
M. Goano
;
S. Kim
;
G. Ghione
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
6.
Optical Control of a Backside Illuminated Thin-Film Metamorphic HEMT
机译:
背面照明的薄膜变质HEMT的光学控制
作者:
R. Vandersmissen
;
D. Schreurs
;
S. Vandenberghe
;
G. Borghs
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
7.
Scalable Large Signal Modeling of InGaP/GaAs HBT for CAD Tools
机译:
用于CAD工具的InGaP / GaAs HBT的可扩展大信号建模
作者:
Y.S. Suh
;
K.-Y. Han
;
C.-H. Ahn
;
D. Heo
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
8.
A High Gain-Bandwidth Product Distributed Transimpedance Amplifier IC for High-Speed Optical Transmission Using Low-Cost GaAs Technology
机译:
利用低成本GaAs技术实现高速光传输的高增益带宽产品分布式跨阻放大器IC
作者:
F.Giannini
;
E.Limiti
;
G.Orengo
;
A.Serino
;
M.De Dominicis
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
9.
Temperature-Dependent Analysis and RF-Model of lOGbps VCSELs
机译:
10Gbps VCSEL的温度相关分析和RF模型
作者:
S. Nuttinck
;
E. Gebara
;
M. Maeng
;
J. Laskar
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
10.
VERY WIDEBAND AUTOMATED ON-WAFER NOISE FIGURE AND GAIN MEASUREMENTS AT 50-110 GHZ
机译:
在50-110 GHZ时非常宽带自动进行的晶圆上噪声系数和增益测量
作者:
Tauno Vaehae-Heikkilae
;
Manu Lahdes
;
Mikko Kantanen
;
Timo Karttaavi
;
Jussi Tuovinen
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
11.
A 18 GHz MMIC biquad active filter
机译:
一个18 GHz MMIC双二阶有源滤波器
作者:
G. Avitabile
;
B. Chellini
;
F. Giannini
;
E. Limiti
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
12.
Baseband Predistortion Lineariser Using Direct Spline Computation
机译:
使用直接样条计算的基带预失真线性化器
作者:
G. Acciari
;
F. Giannini
;
E. Limiti
;
M. Rossi
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
13.
InGaP Power HBTs : Basic power cells for High Power Transistors
机译:
InGaP Power HBT:用于大功率晶体管的基本功率单元
作者:
D. Floriot
;
E. Chartier
;
N. Caillas
;
S. Delage
;
JC Jacquet
;
S. Piotrowicz
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
14.
HTCC based Ku/IF/BB Down Converter for satellite on board processing applications
机译:
基于HTCC的Ku / IF / BB下变频器,用于卫星车载处理应用
作者:
M.C.Comparini
;
C.Leone
;
P.Montanucci
;
M.Tursini
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
15.
Ignoring the Obvious: Possibilities for On-chip Linearisation of RFIC Power Amplifiers
机译:
忽略显而易见的问题:RFIC功率放大器的片上线性化的可能性
作者:
Steve C. Cripps
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
16.
High Power Performances of AlGaN/GaN HEMTs On Sapphire Substrate At F=4GHz
机译:
蓝宝石衬底上F = 4GHz的AlGaN / GaN HEMT的高功率性能
作者:
N. Vellas
;
C. Gaquiere
;
Y. Guhel
;
M. Werquin
;
D. Ducatteau
;
B. Boudart
;
J. C. de Jaeger
;
Z. Bougrioua
;
M.Germain
;
M. Leys
;
I. Moerman
;
S. Borghs
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
17.
Influence of backside metallization on a coplanar X-band LNA
机译:
背面金属化对共面X波段LNA的影响
作者:
R. Follmann
;
G. Langgartner
;
J. Borkes
;
I. Wolff
;
H.-P. Feldle
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
18.
A Fully-Manufacturable 0.5 μm SiGe BiCMOS Technology for Wireless Power Amplifier Applications
机译:
用于无线功率放大器应用的完全可制造的0.5μmSiGe BiCMOS技术
作者:
V. Ramachandran
;
A. J. Joseph
;
J. B. Johnson
;
M. D. Gallagher
;
P.-O. Brandt
;
L. Tilly
;
D. R. Greenberg
;
W. E. Ansley
;
U. Gogineni
;
D. L. Harame
;
J. S. Dunn
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
19.
A DESIGN APPROACH FOR SUB-HARMONIC GENERATION OR SUPPRESSION IN NON-LINEAR CIRCUITS
机译:
非线性电路中次谐波产生或抑制的设计方法
作者:
F. Di Paolo
;
G. Leuzzi
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
20.
28 dB Gain DC-6 GHz GaInP/GaAs HBT Wideband Amplifiers with and without Emitter Capacitive Peaking
机译:
具有和不具有发射器电容性峰值的28 dB增益DC-6 GHz GaInP / GaAs HBT宽带放大器
作者:
Chin-Chun Meng
;
Tzung-Han Wu
;
Shey-Shi Lu
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
21.
25W C-BAND HIGHLY EFFICIENT ON BOARD HYBRID AMPLIFIER
机译:
25W C波段板载混合放大器的高效能
作者:
A. Darbandi
;
M. Zoyo
;
J.Y. Touchais
;
H. Leveque
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
22.
A Low Voltage 12-GHz Silicon-Germanium Static Frequency Divider with a Selectable Division Ratio
机译:
具有可选分频比的低压12GHz硅锗静态分频器
作者:
L.Masini
;
A.Golfarelli
;
M.Pozzoni
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
23.
A Highly Linear Mixer For Zero-IF Bluetooth Receiver
机译:
用于零中频蓝牙接收器的高度线性混频器
作者:
A. Cidronali
;
G. Collodi
;
I. Magrini
;
G. Manes
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
24.
A 43-Gbps Lithium Niobate Modulator Driver Module
机译:
43 Gbps铌酸锂调制器驱动器模块
作者:
R. S. Virk
;
M. ONeal
;
E. Camargo
;
R. Ragle
;
S. Notomi
;
M. Gentrup
;
E. Franzwa
;
G. Hicks
;
T. Fukugawara
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
25.
7 V_(PP) Modulator-Driver for 40 Gbit/s Optical Communications
机译:
用于40 Gbit / s光通信的7 V_(PP)调制器驱动器
作者:
S. Hoffmann
;
J. R. Ojha
;
A. Thiede
;
R. Leblanc
;
B. Wroblewski
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
26.
A New Empirical Non-linear Model for SOI MOSFET
机译:
SOI MOSFET的新的经验非线性模型
作者:
Alexandre Siligaris
;
Matthieu Vanmackelberg
;
Gilles Dambrine
;
Nicolas Vellas
;
Francois Danneville
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
27.
A computationally efficient approach for the design of RF power amplifiers
机译:
一种计算效率高的射频功率放大器设计方法
作者:
R.Paganelli
;
A.Santarelli
;
G.Zucchelli
;
A. Costantini
;
G. Vannini
;
F. Filicori
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
28.
A Converter MMIC with Integrated LO Amplifier and Doubler
机译:
具有集成LO放大器和倍频器的转换器MMIC
作者:
Thomas A. Boes
;
Tomio Satoh
;
Kiyoshi Kajii
;
Edmar Camargo
;
Yuichi Hasegawa
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
29.
A novel finite-difference time-domain approach to the self-consistent simulation of high-speed TW-EAMs
机译:
一种新颖的时域有限差分方法,用于高速TW-EAM的自洽仿真
作者:
F. Cappelluti
;
F. Bertazzi
;
G. Ghione
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
30.
Analog Controlled Adaptive Feedforward Amplifier for IMT-2000 Band
机译:
适用于IMT-2000频段的模拟控制自适应前馈放大器
作者:
Young-Jean Song
;
In-Ju Oh
;
Kyu-Jae Seo
;
Yong-Chae Jeong
;
Chul-Dong Kim
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
31.
Coplanar High Performance MMICs in MHEMT and PHEMT Technology for Applications up to 100 GHz
机译:
采用MHEMT和PHEMT技术的共面高性能MMIC,适用于高达100 GHz的应用
作者:
C. Schwoerer
;
A. Tessmann
;
M. Leich
;
A. Leuther
;
S. Kudszus
;
A. Bessemoulin
;
M. Schlechtweg
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
32.
C-Band Resistive SiC-MESFET mixer
机译:
C波段电阻式SiC-MESFET混频器
作者:
Kristoffer Andersson
;
Joakim Eriksson
;
Niklas Rorsman
;
Herbert Zirath
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
关键词:
resistive mixer;
silicon carbide;
wide band gap semiconductors;
intermodulation distortion;
high-level mixer;
intermodulation intercept point;
C-band;
33.
Design of a Broadband Amplifier for High Speed Applications
机译:
高速应用的宽带放大器设计
作者:
E. Camargo
;
R. S. Virk
;
R. Hajji
;
S. Parker
;
H. Ohnishi
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
34.
Development and Verification of a Non-Linear Look-Up Table Model for RF Silicon BJTs
机译:
RF硅BJT的非线性查找表模型的开发和验证
作者:
M. Myslinski
;
D. Schreurs
;
W. Wiatr
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
35.
ANN Model For SiGe HBTs Constructed From Time-Domain Large-Signal Measurements
机译:
基于时域大信号测量构建的SiGe HBT的ANN模型
作者:
D. Schreurs
;
S. Vandenberghe
;
H. Taher
;
B. Nauwelaers
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
36.
Dynamic, self consistent electro-thermal simulation of power microwave devices including the effect of surface metallizations
机译:
功率微波器件的动态,自洽电热模拟,包括表面金属化的影响
作者:
F. Cappelluti
;
F. Bonani
;
S. Donati Guerrieri
;
G. Ghione
;
C.U. Naldi
;
M. Pirola
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
37.
Diffusion behavior of delta-doped Si in InAlAs/InP heterostructures
机译:
InAlAs / InP异质结构中掺Si硅的扩散行为
作者:
Hiroki Sugiyama
;
Haruki Yokoyama
;
Kazuo Watanabe
;
Takashi Kobayashi
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
38.
Fabrication, Testing, and Lumped Element Modeling of Planar Heterostructure Barrier Varactors
机译:
平面异质结构势垒变阻器的制造,测试和集总元素建模
作者:
M. Saglam
;
E. Leo
;
M. Bozzi
;
L. Perregrini
;
M. Rodriguez-Girones
;
P. Arcioni
;
H. L. Hartnagel
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
39.
Evidence of surface trap effects on pseudomorphic HEMT submitted to impact ionisation stresses
机译:
提交电离应力影响的表面陷阱对拟态HEMT的证据
作者:
N. Malbert
;
N. Labat
;
B. Lambert
;
A. Touboul
;
G. Pataut
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
40.
Fast Tuning Electronically Switched 16 x 1 Channel Receiver For Packet-Switched WDM Systems
机译:
用于分组交换WDM系统的快速调谐电子开关16 x 1通道接收器
作者:
S. K. Manfrin
;
M. De Dominicis
;
G. Orengo
;
F. Giannini
;
M. A. Romero
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
41.
Extension of the Cripps Technique to Transistors with Feedback
机译:
将Cripps技术扩展到具有反馈的晶体管
作者:
J.L.B. Walker
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
42.
Full 26GHz MMIC Chipset for Telecom Applications in SMD-Type Packages
机译:
采用SMD类型封装的完整26GHz MMIC芯片组,适合电信应用
作者:
Klaus Beilenhoff
;
Pierre Quentin
;
Sylvie Tranchant
;
Olivier Vaudescal
;
Marc Parisot
;
Heinrich Daembkes
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
43.
Low Power Single-Ended Active Frequency Doubler for a 60 GHz-Band Application
机译:
适用于60 GHz频段应用的低功耗单端有源倍频器
作者:
Tom Masuda
;
Lars Landen
;
Herbert Zirath
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
44.
Investigation of He~+-ion bombardment in the fabrication of planar InP/ InGaAs HBT structure
机译:
平面InP / InGaAs HBT结构制造中He〜+离子轰击的研究
作者:
S. C. Subramaniam
;
A. A. Rezazadeh
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
45.
Mixer Technologies for Modern Microwave and Wireless Systems
机译:
用于现代微波和无线系统的混频器技术
作者:
Stephen Maas
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
46.
Modeling and Investigation of Instabilities in Heterojunction Interband Tunnel FET for Microwave Applications
机译:
微波应用异质结带间隧道FET的不稳定性建模和研究
作者:
A. Cidronali
;
M. Camprini
;
G. Collodi
;
V. Nair
;
G. Manes
;
J. Lewis
;
H. Goronkin
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
47.
Millimeter-Wave and Terahertz Devices Based on MEMS Concepts
机译:
基于MEMS概念的毫米波和太赫兹器件
作者:
Hans L. Hartnagel
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
48.
Measurements and Simulations of Hot-Carrier Degradation Effects in AlGaAs/GaAs HFETs
机译:
AlGaAs / GaAs HFET中热载流子降解效应的测量和模拟
作者:
A. Mazzanti
;
G. Verzellesi
;
A.F. Basile
;
C. Canali
;
G. Sozzi
;
R. Menozzi
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
49.
Neural-Based Large-Signal Device Models Learning First-Order Derivative Parameters for Intermodulation Distortion Prediction
机译:
基于神经的大信号设备模型学习一阶导数参数以进行互调失真预测
作者:
F.Giannini
;
G.Leuzzi
;
G.Orengo
;
P.Colantonio
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
50.
Determination of FET noise parameters from 50 Ω noise figure measurements using a distributed noise model
机译:
使用分布式噪声模型根据50Ω噪声系数测量值确定FET噪声参数
作者:
M.C. Maya
;
A. Lazaro
;
L. Pradell
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
51.
A Miniaturized 0.5-Watt Q-band 0.25-μm GaAs PHEMT High Power Amplifier MMIC
机译:
微型0.5W Q波段0.25μmGaAs PHEMT大功率放大器MMIC
作者:
A. Bessemoulin
;
P. Quentin
;
H. Thomas
;
D. Geiger
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
52.
A single relaxation-time non-quasi-static model for monolithic MESFET devices
机译:
单片MESFET器件的单个弛豫时间非准静态模型
作者:
T.M. Martin-Guerrero
;
J. Esteban-Marzo
;
B. Castillo-Vazquez
;
C. Camacho-Penalosa
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
53.
A Simplified Non-Linear Physical Model for High Frequency FET's
机译:
高频FET的简化非线性物理模型
作者:
Emer Condon
;
Thomas J. Brazil
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
54.
A tiny and fully integrated differential VCO for LMDS application
机译:
适用于LMDS应用的纤巧且完全集成的差分VCO
作者:
P. Cortese
;
M.Camiade
;
D. Domnesque
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
55.
A Universal Test Set for DC and Pulsed Ⅰ-Ⅴ Characterization of Various Semiconductor Devices
机译:
用于各种半导体器件的直流和脉冲Ⅰ-Ⅴ表征的通用测试仪
作者:
J.J.M. Kwaspen
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
56.
Application of UTSi~(~R) CMOS On Sapphire to RF and Mixed Signal Requirements in Advanced Space Systems
机译:
蓝宝石上的UTSi〜(〜R)CMOS在先进空间系统的RF和混合信号要求中的应用
作者:
Ronald E. Reedy
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
57.
New Trends for Microwave Packaging into Space-Borne Equipment
机译:
微波包装进入太空设备的新趋势
作者:
Claude DREVON
;
Philippe MONFRAIX
;
Mathieu PAILLARD
;
Chloe SCHAFFAUSER
;
Olivier VENDIER
;
Jean-Louis CAZAUX
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
58.
Modelling of thermal dispersive effects in electron devices based on an equivalent voltage approach
机译:
基于等效电压方法的电子器件热扩散效应建模
作者:
A.Santarelli
;
G.Zucchelli
;
A.Bellavista
;
R.Paganelli
;
G.Vannini
;
F.Filicori
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
59.
NON-LINEAR DISTORTION ANALYSIS OF Ka BAND MMIC's UNDER SINGLE-TONE, TWO-TONE AND NPR EXCITATIONS
机译:
单音,二音和NPR激励下Ka Band MMIC的非线性失真分析
作者:
Christophe Gaquiere
;
Damien Ducatteau
;
Pascal Delemotte
;
Yves Crosnier
;
Sylvie Tranchant
;
Bernard Carnez
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
60.
Noise, Large-Signal Modeling and Characterization of InP/InGaAs HBTs
机译:
InP / InGaAs HBT的噪声,大信号建模和表征
作者:
N. Lal
;
S. Nuttinck
;
A. Raghavan
;
E. Gebara
;
S. Venkataraman
;
J. Papapolymerou
;
J. Laskar
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
61.
Q-Band Monolithic GaAs PHEMT Low Noise Amplifiers: Comparative Study of Depletion and Enhancement Mode Transistors
机译:
Q波段单片GaAs PHEMT低噪声放大器:耗尽型和增强型晶体管的比较研究
作者:
B. Aja
;
L. de la Fuente
;
J.P. Pascual
;
M. Cryan
;
E. Artal
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
62.
Semiconductor laser sources for datacom and telecom applications: recent trends
机译:
数据通信和电信应用的半导体激光源:最新趋势
作者:
Marina Meliga
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
63.
Power RF-Operation of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Insulating Silicon Carbide Substrates
机译:
在绝缘碳化硅衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的功率RF操作
作者:
Richard Lossy
;
Peter Heymann
;
Joachim Wuerfl
;
Nidhi Chaturvedi
;
Stefan Mueller
;
Klaus Koehler
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
64.
POWER BALANCE IN HIGH EFFICIENCY PAs
机译:
高效功率放大器中的功率平衡
作者:
P. Colantonio
;
F. Giannini
;
G. Leuzzi
;
E. Limiti
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
65.
Power Amplifier Linearisation Through Generation and Injection of Low-Frequency Second-Order Nonlinear Products
机译:
通过生成和注入低频二阶非线性产品来实现功率放大器的线性化
作者:
William Jenkins
;
Ahmad Khanifar
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
66.
Study on Large-signal Linearity and Efficiency of AlGaN/GaN MODFETs
机译:
AlGaN / GaN MODFET的大信号线性度和效率研究
作者:
Shawn S.H. Hsu
;
Pouya Valizadeh
;
Dimitris Pavlidis
;
Jeong S. Moon
;
M. Micovic
;
Danny Wong
;
T. Hussain
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
67.
RF System-on-Package (SOP) Development for compact low cost Wireless Front-end systems
机译:
用于紧凑型低成本无线前端系统的射频系统级封装(SOP)开发
作者:
S. Pinel
;
K. Lim
;
M. Maeng
;
M.F. Davis
;
R. Li
;
M. Tentzeris
;
J. Laskar
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
68.
RF MEMS Switch with Wafer Level Package Utilizing Frit Glass Bonding
机译:
利用玻璃熔接的晶圆级封装的RF MEMS开关
作者:
M. Fujii
;
I. Kimura
;
T. Satoh
;
K. Imanaka
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
69.
Vertical Silicon It-Band CPW Through-Wafer Interconnects
机译:
垂直硅It-band CPW晶圆互连
作者:
M. Reimann
;
M. Ulm
;
T. Buck
;
R. Mueller-Fiedler
;
W. Heinrich
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
70.
Study of Titanium Tungsten Nitride and Tungsten Nitride Schottky Diodes on n-GaN
机译:
n-GaN上的氮化钨钛和氮化钨肖特基二极管的研究
作者:
C. S. Lee
;
E. Y. Chang
;
D. Biswas
;
Li Chang
;
J. S. Huang
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
71.
Transient Analysis of Collector Current Collapse In Power HBTs
机译:
电力HBT中集电极电流崩溃的瞬态分析
作者:
R. Sommet
;
D. Lopez
;
R. Quere
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
72.
Millimetre-wave Performance of InAlAs/InGaAs HEMTs using a UVIII/PMMA Bilayer for 70nm T-Gate fabrication
机译:
使用UVIII / PMMA双层的InAlAs / InGaAs HEMT的毫米波性能,用于70nm T门制造
作者:
David L.Edgar
;
Yifang Chen
;
Fiona McEwan
;
Helen McLelland
;
Euan Boyd
;
David Moran
;
Stephen Thoms
;
Douglas Macintyre
;
Khaled Elgaid
;
Xin Cao
;
Colin Stanley
;
Iain Thayne
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
73.
W-Band GaAs HEMT MMIC Subharmonically Pumped Diode Mixers with 20 GHz IF Bandwidth
机译:
具有20 GHz IF带宽的W波段GaAs HEMT MMIC次谐波泵浦二极管混频器
作者:
Yuh-Jing Hwang
;
Huei Wang
;
Tah-Hsiung Chu
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
74.
2.5 GHz Wide Band Linear Amplifier with Feedforward Lineariser on a Board
机译:
板上带有前馈线性化器的2.5 GHz宽带线性放大器
作者:
Hiroyuki Kayano
;
Satoru Iwata
;
Hiroaki Sato
;
Yuji Iseki
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
75.
Using HBT BiCMOS Differential Structures at Microwaves in SiGe Technologies
机译:
在SiGe技术中在微波中使用HBT BiCMOS差分结构
作者:
H. Bazzi
;
S. Bosse
;
L. Delage
;
B. Barelaud
;
L. Billonnet
;
B. Jarry
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
76.
HEMT's Design for Applications beyond 100GHz
机译:
HEMT针对100GHz以上应用的设计
作者:
S. Bollaert
;
T. Parenty
;
X. Wallart
;
H. Happy
;
G. Dambrine
;
A. Cappy
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
77.
Highly-Integrated X-band Multi-function MMIC with Integrated LNA and Driver Amplifier
机译:
具有集成LNA和驱动器放大器的高度集成X波段多功能MMIC
作者:
A. de Boer
;
J.A. Hoogland
;
E.M. Suijker
;
M. van Wanum
;
F.E. van Vliet
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
78.
Influence of recess extension on double heterostructure metamorphic HEMT for power application at 60 GHz
机译:
凹口扩展对60 GHz功率应用的双异质结构变质HEMT的影响
作者:
Ardouin M.
;
Bonte B.
;
Zaknoune M.
;
Theron D.
;
Cordier Y.
;
Bollaert S
;
De Jaeger J.C.
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
79.
A Distributed Approach for the Characterisation of Parasitic Networks in Electron Device Modelling
机译:
电子器件建模中表征寄生网络的分布式方法
作者:
A.Cidronali
;
G.Collodi
;
C.Toccafondi
;
R.Cignani
;
A.Santarelli
;
G.Vannini
;
F.Filicori
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
80.
Direct Observation of Gain Compression Mechanisms in PHEMT by RF Gate and Drain Currents
机译:
通过射频栅极和漏极电流直接观察PHEMT中的增益压缩机制
作者:
C. C. Meng
;
A. S. Peng
;
S. Y. Wen
;
G. W. Huang
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
81.
EM Analysis of Inhomogeneous Layers Stack from the Wave Concept. Reduction of Substrate Couplings in BiCMOS Technology
机译:
从波动概念分析非均匀层堆叠。减少BiCMOS技术中的基板耦合
作者:
S. Wane
;
D. Bajon
;
H. Baudrand
;
P. Gamand
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
82.
Enhancing the Device Performance of Ⅲ-Ⅴ Based Bipolar Transistors
机译:
增强基于Ⅲ-Ⅴ的双极晶体管的器件性能
作者:
C. R. Lutz
;
P. M. Deluca
;
K. S. Stevens
;
B. E. Landini
;
R. E. Welser
;
R. J. Welty
;
P. M. Asbeck
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
83.
Evolution of LTCC technology for industrial applications
机译:
LTCC技术在工业应用中的发展
作者:
Michel Massiot
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
84.
Floating-Body Effects in AlGaN/GaN Power HFETs
机译:
AlGaN / GaN功率HFET中的浮体效应
作者:
S. Nuttinck
;
S. Pinel
;
E. Gebara
;
J. Laskar
;
M. Harris
;
J.R. Shealy
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
85.
Improvements of Thermal Resistance and Thermal Stress in Quasi-Monolithic Integration Technology (QMIT) with a New Fabrication Process
机译:
采用新的制造工艺改进准单晶集成技术(QMIT)中的热阻和热应力
作者:
M. Joodaki
;
A. Tarraf
;
M. Salih
;
D. Albert
;
H. chroeter-Hohmann
;
W. Scholz
;
G. Kompa
;
H. Hillmer
;
R. Kassing
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
86.
Low-Frequency Noise Characterization of AlGaAs/GaAs HBT's
机译:
AlGaAs / GaAs HBT的低频噪声表征
作者:
M. Borgarino
;
M. Peroni
;
C. A. Cetronio
;
F. Fantini
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
87.
Integrated InP circuits and Si TTD for analogue optical beamforming applications
机译:
集成InP电路和Si TTD,用于模拟光束形成应用
作者:
F.E. van Vliet
;
F.L.M. van den Bogaart
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
|
2002年
88.
New Large Signal Model of AlGaAs P-HEMT and GaAs MESFET Under Optical Illumination
机译:
光照下AlGaAs P-HEMT和GaAs MESFET的新大信号模型
作者:
J.M. Zamanillo
;
C. Navarro
;
C. Perez-Vega
;
J. A. Garcia
;
A. Mediavilla
;
A. Tazon
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
89.
Mixed Signal High Integration MMIC Phase Control Device for Application in Phased-Arrays
机译:
用于相控阵的混合信号高集成度MMIC相控装置
作者:
A. Toshev
;
M.W. van der Graaf
;
A.P. de Hek
;
A. de Boer
;
R. Arnaudov
;
I. Vineshki
;
S. Kamenopolsky
;
Z. Hlebarov
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
90.
Advantages of the New Generation Quasi-Monolithic Integration Technology (QMIT)
机译:
新一代准单片集成技术(QMIT)的优势
作者:
M. Joodaki
;
G. Kompa
;
H. Hillmer
;
R. Kassing
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
91.
Analysis of the Doherty technique and application to a 900MHz power amplifier
机译:
Doherty技术的分析及其在900MHz功率放大器中的应用
作者:
Nicolas DUBUC
;
Claude DUVANAUD
;
Philippe BOUYSSE
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
92.
A Technique to Design MMICs for Space Applications and High Production Yields
机译:
设计用于空间应用和高产量的MMIC的技术
作者:
Massimo Comparini
;
Andrea Di Pasquale
;
Marziale Feudale
;
Agostino Giorgio
;
Anna Gina Perri
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
93.
Gallium Nitride on Silicon HEMTs for Wireless Infrastructure Applications, Thermal Design and Performance
机译:
氮化镓在用于无线基础设施应用,散热设计和性能的硅HEMT上
作者:
S. Singhal
;
J.D. Brown
;
R. Borges
;
E. Piner
;
W. Nagy
;
A. Vescan
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
94.
Harmonic Reduction Amplifier using λ/4 High Impedance Bias Line with Defected Ground Structure (DGS)
机译:
使用具有缺陷接地结构(DGS)的λ/ 4高阻抗偏置线的谐波抑制放大器
作者:
Si-Gyun Jeong
;
Do-Kyeong Hwang
;
Young-Pil Kwon
;
Yong-Chae Jeong
;
Chul-Dong Kim
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
95.
A 6-18 GHz 5-Bit Phase Shifter MMIC Using Series/Parallel LC Circuit
机译:
使用串联/并联LC电路的6-18 GHz 5位移相器MMIC
作者:
Kenichi MIYAGUCHI
;
Morishige HIEDA
;
Yukinobu TARUI
;
Mikio HATAMOTO
;
Koh KANAYA
;
Michiaki KASAHARA
;
Tadashi TAKAGI
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
96.
A broadband microstrip to waveguide transition for FR4 multilayer PCBs up to 50 GHz
机译:
用于频率高达50 GHz的FR4多层PCB的宽带微带到波导的过渡
作者:
Carlo Buoli
;
Vito Marco Gadaleta
;
Tommaso Turillo
;
Alessandro Zingirian
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
97.
A Model for SiGe MODFETs with Improved Large-Signal Quality and Frequency Range
机译:
具有改善的大信号质量和频率范围的SiGe MODFET模型
作者:
Ingmar Kallfass
;
Marco Zeuner
;
Ulf Koenig
;
Hermann Schumacher
;
Thomas J. Brazil
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
98.
A Non-Linear Statistical Model for GaAs FET Integrated Circuits
机译:
GaAs FET集成电路的非线性统计模型
作者:
F. Centurelli
;
A. Di Martino
;
P. Marietti
;
G. Scotti
;
P. Tommasino
;
A. Trifiletti
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
99.
A Calibrated Time Domain Envelope Measurement System for the Behavioral Modeling of Power Amplifiers
机译:
用于功率放大器行为建模的校准时域包络测量系统
作者:
T. Reveyrand
;
C. Maziere
;
J.M. Nebus
;
R. Quere
;
A. Mallet
;
L. Lapierre
;
J. Sombrin
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
100.
A New Estimation Method of Power Amplifier's Amplitude and Phase Errors for Adaptive Linearizer using Analog Circuitry
机译:
利用模拟电路的自适应线性化器功率放大器幅度和相位误差的新估算方法
作者:
Jae-Hee Han
;
Duck-Hee Lee
;
Sangwook Nam
;
Jong-Sik Lim
会议名称:
《European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium(GAAS 2002); 20020923-24; Milano(IT)》
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2002年
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