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Wide bandgap semiconductor materials and devices 12
Wide bandgap semiconductor materials and devices 12
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1.
Growth and characterization of p-InGaN/i-InGaN-GaN double heterojunction solar cell on pattern sapphire substrates
机译:
图案蓝宝石衬底上p-InGaN / i-InGaN / n-GaN双异质结太阳能电池的生长和表征
作者:
Mu-Tao Chu
;
Wen-Yih Liao
;
Ming-Hsien Wu
;
Ray-Hua Horng
;
Tsung-Yen Tsai
;
Shu-Ping Liu
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
2.
Experimental Evidence that the Plasma-assisted MBE Growth of Nitride Alloys is a Liquid Phase Epitaxy Process
机译:
氮化铝合金的等离子体辅助MBE生长是液相外延过程的实验证据
作者:
Theodore D. Moustakas
;
Anirban Bhattacharyya
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
3.
Characteristics of 4H-SiC RF MOSFETs on a Semi-insulating Substrate
机译:
半绝缘衬底上的4H-SiC RF MOSFET的特性
作者:
Tian-Li Wu
;
Chih-Fang Huang
;
Chun-Hu Cheng
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
4.
The Effect of Different Carrier Gases and Channel Thicknesses on the Characteristics of ZnO TFTs Prepared by Atmospheric Pressure Plasma Jet
机译:
不同载气和沟道厚度对常压等离子体射流制备的ZnO TFTs特性的影响
作者:
Kow-Ming Chang
;
Sung-Hung Huang
;
Chia-Wei Chi
;
Chin-Jyi Wu
;
Je-Wei Lin
;
Chia-Chiang Chang
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
5.
Effects of SiO_2 Passivation on Oxygen Annealed AlGaN/GaN HEMTs
机译:
SiO_2钝化对氧退火AlGaN / GaN HEMT的影响
作者:
Ogyun Seok
;
Young-Shil Kim
;
Min-Woo Ha
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
6.
Electrical and Proton Conduction Properties of Amorphous TiO_2 Nanotubes Fabricated by Electrochemical Anodization
机译:
电化学阳极氧化制备的非晶TiO_2纳米管的电和质子导电性能
作者:
Hie Hanzu
;
Thierry Djenizian
;
Philippe Knauth
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
7.
High power density UV optical stress for quality evaluation of 4H-SiC epitaxial layers
机译:
高功率密度UV光学应力用于4H-SiC外延层的质量评估
作者:
A. Canino
;
M. Camarda
;
F. La Via
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
8.
Molecular Beam Epitaxial Growth, Fabrication, and Characterization of High Efficiency InGaN/GaN Dot-in-a-Wire White Light Emitting Diodes on Si(111)
机译:
Si(111)上高效InGaN / GaN线内白光发光二极管的分子束外延生长,制备及表征
作者:
H. P. T. Nguyen
;
S. Zhang
;
K. Cui
;
X. Han
;
Z. Mi
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
9.
Influence of Doping and Co-doping on the Behavior of Sputtered ZnO Thin Films
机译:
掺杂和共掺杂对溅射ZnO薄膜行为的影响
作者:
K. S. Shtereva
;
P. Sutta
;
B. Pecz
;
I. Novotny
;
J. Kovac
;
V. Tvarozek
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
10.
3C-SiC film growth on Si substrates
机译:
在硅衬底上生长3C-SiC膜
作者:
A. Severino
;
C. Locke
;
R. Anzalone
;
M. Camarda
;
N. Piluso
;
A. La Magna
;
S.E.Saddow
;
G. Abbondanza
;
G. DArrigo
;
F. La Via
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
11.
Role Of Zn-interstitial Defects In The Ultraviolet Emission From ZnO
机译:
Zn间隙缺陷在ZnO紫外线发射中的作用
作者:
M. Asghar
;
K. Mahmood
;
A. Ali
;
M.-A. Hasan
;
M. Y. A. Raja
;
I. Hussain
;
M.Willander
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
12.
Micrestructure Characterization of Cu-Alloyed GaN Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
机译:
等离子体辅助分子束外延生长铜合金GaN的微结构表征
作者:
Teng-Hsing Huang
;
Philipp R. Ganz
;
Liuwen Chang
;
Daniel M. Schaadt
;
Jhong-Sing Bao
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
13.
Two-State Current Conduction in High-k/SiO_2 Stacked Dielectric with High Bandgap 4H-SiC Substrate
机译:
高带隙4H-SiC衬底的高k / SiO_2叠层介质中的二态电流传导
作者:
Jung-Chin Chiang
;
Jenn-Gwo Hwu
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
14.
Effect of growth parameters on stress in HVPE GaN films
机译:
生长参数对HVPE GaN薄膜应力的影响
作者:
A. Tsyuk
;
R. Gorbunov
;
V. Voronenkov
;
Y. Lelikov
;
P. Latyshev
;
A. Zubrilov
;
. Rebane
;
N. Bochkareva
;
Y. Shreter
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
15.
Vertically Configured Nanodiamond Vacuum Field Emission Transistor Arrays
机译:
垂直配置的纳米金刚石真空场发射晶体管阵列
作者:
S. H. Hsu
;
W. P. Kang
;
J. L. Davidson
;
J. H. Huang
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
16.
A Novel InGaN Blue Light-Emitting Diode with a Self-Textured Oxide Mask Structure
机译:
具有自织构氧化物掩模结构的新型InGaN蓝光发光二极管
作者:
W. Y. Lin
;
D. S. Wuu
;
S. C. Huang
;
S. Y. Lo
;
C. M. Liu
;
R. H. Horng
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
17.
Nitrided Gate Oxide Formed by Rapid Thermal Processing for 4H-SiC MOSFETs
机译:
通过快速热处理形成4H-SiC MOSFET的氮化栅极氧化物
作者:
A. Constant
;
P. Godignon
;
J. Montserrat
;
J. Millan
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
18.
Advanced residual stress analysis on the heteroepitaxial growth of 3C-SiC/Si for MEMS application
机译:
MEMS应用中3C-SiC / Si异质外延生长的高级残余应力分析
作者:
R. Anzalone
;
M. Camarda
;
G. Darrigo
;
N. Piluso
;
A. Severino
;
A. Canino
;
A. La Magna
;
F. La Via
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
19.
Ill-Nitride Nanowires: Emerging Materials for Lighting and Energy Applications
机译:
氮化物纳米线:用于照明和能源应用的新兴材料
作者:
George T. Wang
;
Qiming Li
;
Jianyu Huang
;
Jonathan Wierer
;
Andrew Armstrong
;
Yong Lin
;
Prashanth Upadhya
;
Rohit Prasankumar
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
20.
Ultra-Thin GaN Membranes Fabricated by Using Surface Charge Lithography
机译:
表面电荷光刻技术制备的超薄GaN膜
作者:
I. M. Tiginyanu
;
V. Popa
;
M. A. Stevens-Kalceff
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
21.
Thick GaN Films Grown on Patterned Sapphire Substrates
机译:
在图案化的蓝宝石衬底上生长的GaN厚膜
作者:
V. Voronenkov
;
R. Gorbunov
;
A. Tsyuk
;
P. Latyshev
;
Y. Lelikov
;
Y. Rebane
;
A. Zubrilov
;
N. Bochkareva
;
Y. Shretei
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
22.
High Thermal Dissipation Apparatus for U V LEDs Application
机译:
U V LED应用的高散热设备
作者:
Ray-Hua Horng
;
Hung-Lieh Hu
;
Re-Ching Lin
;
Yi-Chen Chiang
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
关键词:
UV LED;
composite electroplating;
copper-diamond sheet;
heat dissipation;
thermal resistance;
23.
Growth Behavior of M-Plane ZnO Epilayer on (100) LiGaO_2 by Chemical Vapor Deposition
机译:
化学汽相沉积在(100)LiGaO_2上M平面ZnO外延层的生长行为
作者:
Jun-Yi Yu
;
Teng-Hsing Huang
;
Liuwen Chang
;
Mitch M.C. Chou
;
Dershin Gan
会议名称:
《Wide bandgap semiconductor materials and devices 12》
|
2011年
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