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Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010

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1.Discrete Test Structure Device Degradation Analysis and Correlation to NAND Flash Circuit Operation

机译：离散测试结构器件退化分析及其与NAND闪存电路操作的相关性
- 作者：Gibbons J.;Sharma P.;Porter S.;Fulford J.;Vaidyanathan P.;De Guzman S.;Murali P.;Marr K.
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
2.Integration of a New Column-Parallel ADC Technology on CMOS Image Sensor

机译：在CMOS图像传感器上集成新的列并行ADC技术
- 作者：Nelson F.Z.;Ay S.U.
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
3.A Novel Depletion Mode High Voltage Isolation Device

机译：一种新型的耗尽型高压隔离装置
- 作者：Mikhalev V.;Smith M.
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
4.A Low Noise Low Power DC Coupled Sensor Amplifier with Offset Cancellation

机译：具有失调消除功能的低噪声，低功耗直流耦合传感器放大器
- 作者：Krishnamurthy H.K.;Robinson D.;Rector D.M.;La Rue G.S.
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
5.Study of Carrier Mobility of Low-Energy, High-Dose Ion Implantations Using Continuous Anodic Oxidation Technique/Differential Hall Effect (CAOT/DHE) Measurements

机译：使用连续阳极氧化技术/差分霍尔效应（CAOT / DHE）测量研究低能大剂量离子注入的载流子迁移率
- 作者：Shu Qin;Hu Y.J.;McTeer A.;Prussin S.;Reyes J.
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
6.Modified Floating Gate and IPD Profile for Better Cell Performance of Sub-50 nm NAND Flash Memory

机译：修改后的浮栅和IPD轮廓可改善50nm以下NAND闪存的单元性能
- 作者：Liu J.L.;Gonzalez F.;Hu Y.J.;Jixin Yu;Srinivasan C.;Hill E.
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
7.Gain Error Correction for CMOS Image Sensor Using Delta-Sigma Modulation

机译：使用Delta-Sigma调制的CMOS图像传感器的增益误差校正
- 作者：Kuangming Yap;Baker R.J.
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
8.Main Memory with Proximity Communication: A Wide I/O DRAM Architecture

机译：具有邻近通信功能的主存储器：广泛的I / O DRAM架构
- 作者：Harvard Q.;Baker R.J.;Drost R.
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
9.A Comprehensive Study on Nanomechanical Properties of Various SiO2-Based Dielectric Films

机译：各种SiO2基介质膜纳米力学性能的综合研究。
- 作者：Guohua Wei;Varghese S.;Beaman K.;Vasilyeva I.;Mendiola T.;Carswell A.;Fillmore D.;Shifeng Lu
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
10.Fullband Study of Ultra-Scaled Electron and Hole SiGe Nanowire FETs

机译：超大规模电子和空穴SiGe纳米线FET的全频带研究
- 作者：Paul A.;Mehrotra S.;Luisier M.;Klimeck G.
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
11.copyright page

机译：版权页面
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12.chair message

机译：主持人留言
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13.invited talk

机译：邀请演讲
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
14.invited talk

机译：邀请演讲
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
15.invited talk

机译：邀请演讲
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
16.invited talk

机译：邀请演讲
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
17.invited talk

机译：邀请演讲
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
18.invited talk

机译：邀请演讲
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19.Posters

机译：海报
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20.Call for papers

机译：征集论文
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21.Continuous-Time/Discrete-Time (CT/DT) Cascaded Sigma-Delta Modulator for High Resolution and Wideband Applications

机译：适用于高分辨率和宽带应用的连续时间/离散时间（CT / DT）级联Sigma-Delta调制器
- 作者：Mesgarani A.;Sadeghi K.H.;Ay S.U.
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年
22.All Digital Multiplying DLL Using Precision Digital Delay Line as DCO

机译：使用精密数字延迟线作为DCO的全数字乘法DLL
- 作者：Seong-Hoon Lee
- 会议名称：《Microelectronics and Electron Devices (WMED), 2010》 | 2010年