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Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics
Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics
召开年:
2002
召开地:
Kiev(UA)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Chemical dissolution of gallium antimonide in the HNO_3-HCl-CH_3COOH solutions
机译:
锑化镓在HNO_3-HCl-CH_3COOH溶液中的化学溶解
作者:
Chernyuk O.S.
;
Tomashik V.N.
;
Grytsiv V.I.
;
Tomashik Z.F.
;
Kashpor V.M.
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
polishing;
gallium antimonide;
surface;
etching composition;
kinetics;
self-dissolution;
chemical interaction;
2.
Chemical etching of CdTe and Cd_xHg_(1-x)Te in the H_2O_2-HJ-tartaric acid solutions
机译:
H_2O_2-HJ-酒石酸溶液中CdTe和Cd_xHg_(1-x)Te的化学刻蚀
作者:
Tomashik Z.F.
;
Gumenyuk O.K.
;
Tomashik V.N.
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
polishing;
cadmium telluride;
solid solution;
surface;
etching composition;
kinetics;
3.
Competition of infrared detector technologies
机译:
红外探测器技术的竞争
作者:
A. Rogalski
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
photon and thermal detectors;
HgCdTe photodiodes;
QWIPs;
4.
Computational Optoelectromechanics and its Application to MEMS VCSELs
机译:
计算光机电及其在MEMS VCSEL中的应用
作者:
Sergey Edward Lyshevski
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
MEMS VCSELs;
analysis;
optoelectromechanics;
mathematical model;
simulation;
5.
Defect Structure and Diffusion of Defects in Narrow-Gap Hg_(1-x)Cd_xTe Crystals
机译:
窄间隙Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的缺陷结构和缺陷扩散
作者:
Bogoboyashchyy V.V.
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
Hg_(1-x)Cd_xTe;
mercury thermal diffusion;
interstitial mercury atoms;
mercury vacancy;
reaction constants;
6.
Electrical and optical properties of indium antimonide doped by cadmium and tellurium
机译:
镉和碲掺杂的锑化铟的电学和光学性质
作者:
A.V.Brodovoi
;
P.V.Pleskatch
;
S.G.Bunchuk
;
O.S.Zinets
;
V.A.Brodovoi
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
solid solution;
electrical properties;
optical properties;
indium antimonide;
7.
Electrical properties of HgMnTe Schottky Diodes
机译:
HgMnTe肖特基二极管的电性能
作者:
L.A. Kosyachenko
;
S.E. Ostapov
;
A.V. Markov
;
I.M. Rarenko
;
V.M. Sklyarchuk
;
Ye.F. Sklyarchuk
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
infrared detector;
narrow-gap semiconductor;
HgMnTe;
schottky diode;
8.
ELECTROMAGNETIC FIELD STRUCTURE AND QUENCHING IN ONE-DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTALS
机译:
一维光子晶体的电磁场结构和猝灭
作者:
Eugene. Ya. GLUSHKO
;
Svetlana. L. LEGUSHA
;
Anvar Zakhidov
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
layered structures;
photonic band gap materials;
photon localization;
trapped irradiation;
quenching;
9.
Electronic activity of dislocations and point defects of deformation origin in Hg_(1-x)Cd_xTe
机译:
Hg_(1-x)Cd_xTe中位错的电子活性和形变起点的点缺陷
作者:
S.G. Gassan-zade
;
G.A.Shepelskii
;
S.V.Staryi
;
M.V.Strikha
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
10.
Formation of InAs quantum dots in an aluminium oxide matrix by lateral selective wet oxidation
机译:
横向选择性湿氧化法在氧化铝基体中形成InAs量子点
作者:
D.A. Tenne
;
O.K. Bajutova
;
A.K. Bakarov
;
A.I. Toropov
;
A.G. Milekhin
;
V.A. Haisler
;
D.R.T. Zahn
;
A.K. Gutakovsky
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
11.
Formation of low-density InAs/InP(001) quantum dot arrays
机译:
低密度InAs / InP(001)量子点阵列的形成
作者:
Yu. I. Mazur
;
H Kissel
;
H.Yang
;
G.J. Salamo
;
M. Xiao
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
12.
Influence of the electrochemical process of the macroporous silicon fabrication on the surface local chemical states
机译:
大孔硅制造的电化学过程对表面局部化学态的影响
作者:
O.O. Lytvynenko
;
L.A. Karachevtseva
;
E.O. Malovichko
;
O.I. Stronska
;
M.I. Karas
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
electrochemical process;
macroporous silicon structures;
local chemical states;
13.
Interplay of phase transformation temperatures and Dingle temperatures in narrow-gap semiconductors
机译:
窄带隙半导体中相变温度和丁格尔温度的相互作用
作者:
A. I. Dmitriev
;
M. V. Radchenko
;
G. V. Lashkarev
;
P.E.Butorin
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
dingle temperature;
order parameter;
phase transition;
narrow-gap semiconductors;
neutron time-of-flight diffractometry;
14.
IR Photodetectors Based on MBE grown MCT layers
机译:
基于MBE生长的MCT层的红外光电探测器
作者:
V.V.Vasilyev
;
V.N.Ovsyuk
;
Yu.G.Sidorov
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
15.
IR photodetectors on CdSb, In_4Se_3, In_4 Te_3-epitaxial barrier structures
机译:
CdSb,In_4Se_3,In_4 Te_3外延势垒结构上的红外光电探测器
作者:
B.M. Gritsyuk
;
O.V. Galochkin
;
A.I. Rarenko
;
V.M. Strebezhev
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
epitaxial layer;
substrate;
solution-melt;
heterostructure;
p-n junction;
photo-emf;
voltage bias;
photodetector;
16.
IRFPA Real-time Nonuniformity Correction Using the FPGA Technology
机译:
使用FPGA技术的IRFPA实时非均匀性校正
作者:
Kong Lingbin
;
Yi Xinjian
;
Wang Dianhong
;
Ye Dunfan
;
Chen Sihai
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
infrared focal plane array (IRFPA);
field programmable gate array (FPGA);
real-time;
nonuniformity correction (NUC);
17.
Model of control of glow discharge electron gun current for microelectronics production applications
机译:
微电子生产应用中的辉光放电电子枪电流控制模型
作者:
S.V. Denbnovetsky
;
V.I. Melnyk
;
I.V. Melnyk
;
B.A. Tugay
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
electron beam technologies;
glow discharge electron gun;
automatic control system;
electromagnetic valve;
18.
Multifunctional controlled IR-emitting element
机译:
多功能受控红外发射元件
作者:
K.Yu. Guga
;
A.G. Kollyukh
;
A.I. Liptuga
;
V.A. Morozhenko
;
A.V. Prokhorovich
;
E.F. Venger
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
19.
Nonelastic electron scattering in HgTe
机译:
HgTe中的非弹性电子散射
作者:
Malyk O.P.
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
nonelastic scattering;
electron mobility;
mercury telluride;
20.
ONE-DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTAL AS A MANY POSITIONAL ADDER FUNCTIONING ON CLOSED ELECTROMAGNETIC MODES
机译:
一维光子晶体作为闭合电磁模式的许多位置加法器功能
作者:
Eugene Ya. Glushko
;
Svetlana L. Legusha
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
photonic crystal;
eigenmodes;
adder;
signal processing;
fiber;
waveguide;
21.
Photogalvanic currents in quantum well structures induced by infrared radiation
机译:
红外辐射在量子阱结构中产生的光电流
作者:
Sergey D. Ganichev
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
spin photocurrents;
spin-galvanic effect;
infrared radiation;
22.
Photonic 2D crystals built from nanotubes, nanochannels and nanowires: review of progress in synthesis, properties and promising applications
机译:
由纳米管,纳米通道和纳米线构建的光子2D晶体:综述合成,性质和有前途的应用进展
作者:
V. V. Pokropivny
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
nanotube;
nanochannel;
nanowire;
photonic crystal;
membrane;
high-T_c superconductor;
hypersound transducer;
23.
Prototype Infrared Optical Sensor and Solar Cell Made of β-FeSi_2 Thin Film
机译:
β-FeSi_2薄膜制成的原型红外光学传感器和太阳能电池
作者:
Shinan Wang
;
Naotaka Otogawa
;
Yasuhiko Fukuzawa
;
Honglie Shen
;
Hisao Tanoue
;
Takeshi Kojima
;
Yasuhiko Nakayama
;
Yunosuke Makita
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
β-FeSi_2 thin film;
RDE;
β-FeSi_2/Si heterojunction;
diode;
optical sensor;
solar cell;
RBS;
Fe/Si interdiffusion;
series resistance;
all-β-FeSi_2 structure;
24.
Quartz as artificial pyroactive material
机译:
石英作为人工热解材料
作者:
V.F. Kosorotov
;
I. V. Blonsky
;
L.V. Shchedrina
;
L.V. Levash
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
pyroactive functional materials;
induced polar states;
spatially inhomogeneous temperature fields;
tertiary pyroelectric effect;
pyroelectric sensors;
piezoelectric crystals;
quartz;
25.
Schottky photodiode arrays on the basis of n-Pb_(1-x)Sn_xTe_(1-y)Se_y epitaxial layers, lattice matched with {100}KCl substrates
机译:
基于n-Pb_(1-x)Sn_xTe_(1-y)Se_y外延层的肖特基光电二极管阵列,晶格与{100} KCl衬底匹配
作者:
O. N. Tsarenko
;
A. I. Tkachuk
;
S. I. Ryabets
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
lead-tin chalcogenide;
liquid phase epitaxy;
schottky photodiode;
thin intermediate oxide layer;
26.
SiO_x
thin films as material for uncooled microbolometer
机译:
SiO_x
薄膜作为非冷却微辐射热计的材料
作者:
K. Michailovskaya
;
I. Indutnyy
;
P. Shepeliavyi
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
composite metal-dielectric films;
co-evaporation in vacuum;
uncooled microbolometers;
27.
Spatially nanostructured silicon for optical applications
机译:
用于光学应用的空间纳米结构硅
作者:
D. Kovalev
;
J. Diener
;
N. Kuenzner
;
E. Gross
;
G. Polisski
;
F. Koch
;
V. Yu. Timoshenko
;
M. Fujii Technische
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
28.
Status of molecular beam epitaxy of Cd_xHg_(1-x)Te
机译:
Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延状态
作者:
A.P. Antsiferov
;
L.D. Burdina
;
V.S. Varavin
;
A.K. Gutakovsky
;
S.A. Dvoretsky
;
V.A. Kartashev
;
N.N. Mikhailov
;
D.N. Pridachin
;
V.G. Remesnik
;
S.V. Rykhlitskii
;
I.V. Sabinina
;
Yu.G. Sidorov
;
E.V. Spesivtsev
;
V.P. Titov
;
V.A. Shvets
;
M.V. Yakushev
;
A.L. Ase
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
MCT;
MBE;
growth;
GaAs;
Si;
ellipsometer;
heterostructure (HS);
infrared device (IRD);
29.
SUBSTRATE INFLUENCE ON INFRARED ABSORPTION BY CLUSTERS OF SMALL SPHERES
机译:
基质对小球团的红外吸收的影响
作者:
V.V. Gozhenko
;
L.G. Grechko
;
N.G. Shkoda
;
K.W. Whites
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
small-particle clusters;
multipole expansion;
polarizability tensor;
resonant frequency;
absorption spectrum;
30.
The features of thermal radiation of semitransparent objects
机译:
半透明物体的热辐射特征
作者:
A.G. Kollyukh
;
A.I. Liptuga
;
V.A. Morozhenko
;
N.B. Shishkina
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
thermal radiation;
interference;
semiconductor;
31.
The influence of doping methods on electro-physical properties of CdTe:Mn crystals
机译:
掺杂方法对CdTe:Mn晶体电物理性质的影响
作者:
E.S. Nikonyuk
;
Z.I. Zakharuk
;
I.M. Rarenko
;
M.I. Kuchma
;
I.M. Yurijchuk
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
semimagnetic semiconductor;
single crystal;
solid solution;
synthesis;
growth;
CdTe:Mn;
doping method;
electro-physical properties;
activation energy;
acceptor state;
32.
The Study Of HgCdMnZnTe Main Band Parameters
机译:
HgCdMnZnTe主能带参数的研究
作者:
S.E.Ostapov
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
narrow gap semiconductor;
band parameters;
infrared detector;
33.
THRESHOLD CHARACTERISTICS OF p-Si-PtSi BARRIERS WITH HIGHLY-DOPED SURFACE NANOLAYER
机译:
具有高度掺杂的表面纳米层的p-Si-PtSi栅栏的阈值特性
作者:
S.N. Nesmelov
;
A.V. Voitsekhovskii
;
A.P. Kokhanenko
会议名称:
《Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics》
|
2003年
关键词:
PtSi-Si barrier;
highly-doped nanolayer;
IR-photodetectors;
意见反馈
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