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Optical Microlithography XI
Optical Microlithography XI
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1.
Revalidation of the Rayleigh resolution and DOF limits
机译:
重新验证瑞利分辨率和自由度限制
作者:
Bruce W. Smith
;
Rochester Institute of Technology
;
Rochester
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
2.
Reduction of mask-induced CD errors by optical proximity correction
机译:
通过光学邻近校正减少掩模引起的CD错误
作者:
John Randall
;
Texas Instruments
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Alexander Tritchkov
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Rik Jonckheere
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Patrick Jaenen
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium
;
Kurt Ronse
;
IMEC
;
Leuven
;
Belgium.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
3.
SEMATECH J111 project: OPC validation
机译:
SEMATECH J111项目:OPC验证
作者:
Franklin M. Schellenberg
;
SEMATECH
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Hua Zhang
;
SEMATECH
;
Newport Beach
;
CA
;
USA
;
Jim Morrow
;
SEMATECH
;
Austin
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
4.
Strategy for manipulating the optical proximity effect by postexposure bake processing
机译:
通过曝光后烘烤处理来控制光学邻近效应的策略
作者:
Tsai Sheng Gau
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung Hsinchu
;
Taiwan
;
Chien-Ming Wang
;
Industrial Technology Research Institute
;
Chutung Hsinchu
;
Taiwan
;
Chang-Ming Dai
;
Industrial Technology Research Institute
;
Hsinchu
;
Taiwan.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
5.
Optimization of stepper parameters and its design rule for an attenuated phase-shifting mask
机译:
衰减相移掩模的步进参数优化及其设计规则
作者:
Author(s): Hung-Eil Kim Integrated Device Technology Inc. Santa Clara CA USA
;
Stanley Barnett Integrated Device Technology Inc. Santa Clara CA USA
;
James Shih Integrated Device Technology Inc. Santa Clara CA USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
6.
Application of substructuring method to three-dimensional optical lithography simulation
机译:
子结构化方法在三维光学光刻仿真中的应用
作者:
Author(s): Seung Gol Lee Inha Univ. Nam-gu Inchon South Korea
;
Choong-Ki Seo Inha Univ. Inchon South Korea
;
Dong-Hoon Lee Inha Univ. Pusan South Korea
;
Jong-Ung Lee Chongju Univ. Chongju South Korea
;
MeangHyo Cho Inha Univ. Inchon South Kor
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
7.
Applications of enhanced optical proximity correction models
机译:
增强型光学邻近校正模型的应用
作者:
Author(s): Jack Q. Zhao Lucent Technologies/Bell Labs. Orlando FL USA
;
Joseph G. Garofalo Lucent Technologies/Bell Labs. Murray Hill NJ USA
;
James Blatchford Lucent Technologies/Bell Labs. Orlando FL USA
;
Edward Ehrlacher Lucent Technologies/
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
8.
Alignment system for ArF excimer-laser-based step-and-scan system
机译:
基于ArF受激准分子激光的步进扫描系统的对准系统
作者:
Author(s): Doh H. Kim Electronics and Telecommunications Research Institute Yusong Taejon South Korea
;
Jong-Soo Kim Electronics and Telecommunications Research Institute Yusong Taejon South Korea
;
Yeung J. Sohn Electronics and Telecommunication
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
9.
Application of alternating phase-shifting masks to 140-nm gate patterning: II. Mask design and manufacturing tolerances
机译:
交替相移掩模在140 nm栅极图案上的应用:II。面罩设计和制造公差
作者:
Author(s): Hua-Yu Liu Hewlett Packard Labs. Austin TX USA
;
Linard Karklin Numerical Technologies Inc. Santa Clara CA USA
;
Yao Ting Wang Numerical Technologies Inc. Santa Clara CA USA
;
Yagyensh C. Pati Numerical Technologies Inc. Santa Cla
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
10.
Application of the Brewster angle illumination technique to eliminate resist-induced alignment errors
机译:
布鲁斯特角照明技术的应用,消除了光刻胶引起的对准误差
作者:
Author(s): Xun Chen Stanford Univ. Stanford CA USA
;
Amir Aalam Ghazanfarian Stanford Univ. Palo Alto CA USA
;
Mark A. McCord Stanford Univ. Stanford CA USA
;
R. Fabian W. Pease Stanford Univ. Arlington VA USA.
会议名称:
《Optical Microlithography XI》
|
1998年
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