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1.
Flash-Lamp-Enhanced Atomic Layer Deposition of Thin Films
机译:
薄膜的闪光灯增强原子层沉积
作者:
Thomas Henke
;
Martin Knaut
;
Christoph Hossbach
;
Marion Geidel
;
Lars Rebohle
;
Matthias Albert
;
Wolfgang Skorupa
;
Johann W. Bartha
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
2.
RF Power Effect of Post-Deposition Oxygen Treatment on HfO_2 Gate Dielectrics
机译:
沉积后氧气处理对HfO_2栅介电材料的RF功率效应
作者:
Yi-Lung Cheng
;
Tian-Cih Bo
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
3.
Nanomechanical Properties of Tungsten Trioxide (WO_3) Grown by Atomic Layer Deposition
机译:
原子层沉积生长的三氧化钨(WO_3)的纳米力学性能
作者:
M.A. Mamun
;
K. Zhang
;
H. Baumgart
;
A.A. Elmustafa
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
4.
Thin-Film Deposition of Silicon Nitrides and Oxides from Trihydridosilanes
机译:
三氢硅烷的氮化硅和氧化物的薄膜沉积
作者:
B. Arkles
;
Y. Pan
;
A. E. Kaloyeros
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
5.
The Effect of SPA-SiO_2 Tunnel Oxide Thickness for Metal-Insulator-Silicon Photoelectrochemical Cells
机译:
SPA-SiO_2隧道氧化物厚度对金属-绝缘体-硅光电化学电池的影响
作者:
Andrew G. Scheuermann
;
David Q. Lu
;
Toru Ito
;
Christopher E. D. Chidsey
;
Paul C. McIntyre
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
6.
ALD Applied to Conformal Rare-Earth Coating of ZnO Nanoparticles for Low Temperature Thermal Imaging Applications
机译:
ALD用于低温热成像应用的ZnO纳米颗粒的共形稀土涂层
作者:
E. Rauwel
;
A. Galeckas
;
P. Rauwel
;
P.-A. Hansen
;
D. Wragg
;
O. Nilsen
;
H. Fjellvag
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
7.
Design Considerations for ZnO Transistors Made using Spatial ALD
机译:
使用空间ALD制造ZnO晶体管的设计注意事项
作者:
Shelby F. Nelson
;
Carolyn R. Ellinger
;
Lee W. Tutt
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
8.
Highly Luminescent Monolayers Prepared by Molecular Layer Deposition
机译:
通过分子层沉积制备的高发光单层
作者:
A. Raeupke
;
F. Albrecht
;
J. Maibach
;
A. Behrendt
;
A. Polywka
;
R. Heiderhoff
;
J. Helzel
;
T. Rabe
;
H. H. Johannes
;
W. Kowalsky
;
E. Mankel
;
T. Mayer
;
P. Goerrn
;
T. Riedl
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
9.
ALD and PVD Tantalum Nitride Barrier Resistivity and Their Significance in Via Resistance Trends
机译:
ALD和PVD氮化钽势垒电阻及其在过孔电阻趋势中的意义
作者:
O. van der Straten
;
X. Zhang
;
K. Motoyama
;
C. Penny
;
J. Maniscalco
;
S. Knupp
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
10.
Higher-K Formation in Atomic Layer Deposited Hf_(1-x)Al_xO_y
机译:
沉积Hf_(1-x)Al_xO_y的原子层中的高K形成
作者:
K. Tapily
;
S. Consiglio
;
R. D. Clark
;
R. Vasic
;
C.S. Wajda
;
J. Jordan-Sweet
;
G. J. Leusink
;
A. C. Diebold
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
11.
Manganese Precursor Selection and the Thermal Atomic Layer Deposition of Copper/Manganese Alloy Films
机译:
铜/锰合金薄膜中锰前体的选择和原子层的热沉积
作者:
Lakmal C. Kalutarage
;
Scott B. Clendenning
;
Charles H. Winter
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
12.
Promoted Platinum Catalytic Activity and Thermal Stability with Nano-scale Cobalt Oxide Coating via Atomic Layer Deposition
机译:
原子层沉积纳米氧化钴涂层提高了铂的催化活性和热稳定性
作者:
Kun Cao
;
Bin Huang
;
Yihang Zhang
;
Xiao Liu
;
Bin Shan
;
Rong Chen
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
13.
Mechanical/Structural Properties of ALD Zirconium Oxide (ZrO_2) Thin Films for High-Tech Applications
机译:
高科技应用的ALD氧化锆(ZrO_2)薄膜的机械/结构性能
作者:
M.A. Mamun
;
H. Baumgart
;
A.A. Elmustafa
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
14.
Heteroleptic Precursors for Atomic Layer Deposition
机译:
用于原子层沉积的异杀菌剂前体
作者:
J. Niinistoe
;
T. Blanquart
;
S. Seppaelae
;
M. Ritala
;
M. Leskelae
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
15.
Design, synthesis and ALD assessment of organometallic precursors for semiconductor applications
机译:
用于半导体的有机金属前体的设计,合成和ALD评估
作者:
C. Dussarat
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
16.
Selective-Area Atomic Layer Deposition of Copper Nanostructures for Direct Electro-Optical Solar Energy Conversion
机译:
用于直接光电太阳能转换的铜纳米结构的选择性区域原子层沉积
作者:
B.G. Willis
;
J. Qi
;
X. Jiang
;
J. Chen
;
G.J. Weisel
;
D.T. Zimmerman
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
17.
Self Assembled Metamaterials formed via Plasma Enhanced ALD of Ag Thin Films
机译:
通过Ag薄膜的等离子体增强ALD形成自组装超材料
作者:
S.M. Prokes
;
O.J. Glembocki
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
18.
Plasmonics and Metamaterials with Transparent Conducting Oxides
机译:
具有透明导电氧化物的等离子和超材料
作者:
M. Abb
;
Y. Wang
;
D. Traviss
;
R. Brack
;
C. H. de Groot
;
H.M.H. Chong
;
B. Sepulveda
;
O. L. Muskens
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
19.
PREFACE
机译:
前言
作者:
Fred Roozeboom
;
Stefan De Gendt
;
Annelies Delabie
;
Jeffrey W. Elam
;
Ana Londergan
;
Oscar van der Straten
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
20.
Atomic Layer Deposition of Nanostructured Tunable Resistance Coatings: Growth, Characterization, and Electrical Properties
机译:
纳米结构可调电阻涂层的原子层沉积:生长,表征和电性能
作者:
Anil U. Mane
;
William M. Tong
;
Alan D. Brodie
;
Mark A. McCord
;
Jeffrey W. Elam
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
21.
Study of Y_2O_3 thin film prepared by plasma enhanced atomic layer deposition
机译:
等离子增强原子层沉积制备Y_2O_3薄膜的研究
作者:
G. Y. Cho
;
S. Noh
;
Y. Lee
;
S. Ji
;
S. W. Cha
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
22.
Merits of Batch ALD
机译:
批量ALD的优点
作者:
G. Dingemans
;
B. Jongbloed
;
W. Knaepen
;
D. Pierreux
;
L. Jdira
;
H. Terhorst
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
23.
Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition on Powders
机译:
粉末上的等离子体增强原子层沉积
作者:
G. Rampelberg
;
D. Longrie
;
D. Deduytsche
;
C. Detavernier
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
24.
Multiscale Simulations of ALD in Cross Flow Reactors
机译:
错流反应器中ALD的多尺度模拟
作者:
A. Yanguas-Gil
;
J. A. Libera
;
J. W. Elam
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
25.
Molecular Layer Deposition of Nanoscale Organic Films for Nanoelectronics Applications
机译:
用于纳米电子应用的纳米级有机薄膜的分子层沉积
作者:
David S. Bergsman
;
Han Zhou
;
Stacey F. Bent
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
26.
In-Situ Studies on 2D Materials
机译:
二维材料的原位研究
作者:
R.M.Wallace
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
27.
Engineering the Ⅲ-Ⅴ Gate Stack Properties by Optimization of the ALD Process.
机译:
通过优化ALD工艺来设计Ⅲ-Ⅴ门叠层特性。
作者:
S. Sioncke
;
L. Nyns
;
Ts. Ivanov
;
D. Lin
;
J. Franco
;
A. Vais
;
M. Ameen
;
A. Delabie
;
Q. Xie
;
J.W. Maes
;
F. Tang
;
M. Givens
;
S. Van Elshocht
;
F. Holsteyns
;
K. Barla
;
N. Collaert
;
A. Thean
;
S. De Gendt
;
M. Heyns
会议名称:
《Atomic layer deposition applications 10》
|
2014年
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