摘要:多孔氮化硅是一种具有良好应用前景的高温宽带透波材料,是新型高速飞行器天线罩(窗)重要候选材料。本文采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4个不同温度点的静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1400℃.结果表明:多孔氮化硅在0.1Mpa静态空气气氛下,800℃之前,氧化反应非常微弱,800℃以上可见明显的氧化反应,1000℃以上氧化反应加剧,增重速率加快,并优先发生在表面与外部孔壁处,之后再发生在样品的内部孔隙处,氧化反应受界面处的化学动力学控制,以被动氧化为主,主要生成物是SiO2,属吸热反应.当生成的Si02将氮化硅表面和孔壁处覆盖时,在其界面处,随着温度的进一步升高或时间的延长,会生成Si2N2O,且需要注意防范样品可能出现脆性断裂情况.此外,同等温度下,动态氧化气氛将加速氮化硅的氧化,特别是多孔和粉末状样品.