摘要:应用于空间的反射镜基底材料碳化硅对表面粗糙度有很高的要求,反应烧结碳化硅作为最常用的碳化硅基底材料,因烧结过程中导致的孔洞,以及硅和碳化硅抛光速率的不同,难以获得良好的表面粗糙度.通过在反应烧结碳化硅基底上镀制一层厚膜,进行表面改性以降低其粗糙度的方法已经得到应用.通过电子枪蒸发纯硅,霍尔离子源喷出的氩离子电离甲烷,并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅基底上镀制了碳化硅薄膜,通过对抛光后的反应烧结碳化硅基底进行高分辨率光学显微镜观察缺陷,发现改性抛光后缺陷和空洞明显减少.原子力显微镜测试粗糙度的结果表明,改性抛光后粗糙度降低到了0.867 nm(rms),相对于没有改性的抛光结果降低了一个数量级.通过对散射的理论分析和实验结果对比,证明了改性后抛光的反应烧结碳化硅的散射还不到未采用改性方法抛光的反应烧结碳化硅的1/8.