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2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会

召开年：2011
召开地：成都
出版时间： 2011-09

主办单位：中国真空电子行业协会;中国电子材料行业协会

会议文集：2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会论文集

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1.Ka波段250W连续波行波管的研制
- 冯晨;杨明华;黄拓朴
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：本文介绍了一种Ka波段连续波250 W螺旋线行波管研制的主要技术方案。介绍了这种行波管的研究现状和研制成果。
2.MoO3/Mo混合预压制粒制备粗钼粉
- 温宁兵;廖思舜;李剑;何庆春
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：介绍一种粗钼粉的制备方式。在钼粉中加入一定比例的氧化钼粉和水，经预压制粒、氢气保护气氛下还原烧结、分级处理，制备出粗钼粉。
3.大功率行波管散热系统模拟
- 曹雪梅;赵新刚;李彦宾;周明干
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：以大功率行波管高频散热系统为原型，利用通用有限元分析软件MSC. Marc对其进行了散热分析，并利用FLU ENT流体分析软件对原有的水路通道进行了优化设计。经实际测试验证，优化后的设计大大提高了行波管高频散热能力，从而提高了大功率行波管在苛刻环境下的工作可靠性。
4.低含银量SnAgCu焊膏用助焊剂的制备与研究
- 杜斌;鲁燕萍;雷永平;杨艳玲;杨华猛
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：本文研制出一种性能优异的适用于Sn1.0Ag0.5Cu焊膏的无卤素松香型助焊剂，用润湿性和腐蚀性作为衡量标准，并按照助焊剂的主要性能指标对这三种配方进行了综合性能评价。
5.电子阱在多级降压收集极中的应用
- 崔建玲;陈宁;邵淑伟
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：本文主要介绍在多级降压收集极中应用处于第一收集极之后相对于第一收集极为高电位的附加电极，使得该电极与第一收集极之间的区域形成了一个捕获二次电子的电子阱，从而使该收集极在获得高效率的同时，具有较小的返流。此外，这个高电位电极的相邻两电极可以等电位工作，这将有利于行波管供电电源模块的简化。
6.多功能超高真空高频除气系统的研制
- 卢少波;张吉峰
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：本文主要是通过介绍一台超高真空高频加热系统的研制过程，探讨了该类系统在设计制造中的难点和相应的解决方案。
7.高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理研究
- 张巨先;石明;尚阿曼
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：通过对高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析，探讨了高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现高纯、细晶Al2O3陶瓷的金属化机理与95％Al2O3陶瓷存在很大不同，高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化时，Al2O3相通过溶解-沉淀传质过程，细小颗粒和固体颗粒表面凸起部分溶解，并在金属化层中的较大Al2O3颗粒表面析出。在Al2O3颗粒生长和形状改变的同时，金属化层形成致密结构，完成了烧结，实现了金属化层与高纯、细晶Al2O3陶瓷的紧密结合。
8.毫米波脊形波导窗封接应力仿真研究
- 周明干;孟晓君;杨明华
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：针对某新型毫米波脊形波导窗封接成品率低的问题，本文利用ABAQUS软件对其封接过程中产生的非线性封接应力进行了仿真分析和研究，并对其结构进行了优化设计，有效的解决了其封接成品率过低的问题。
9.凝胶注模工艺制备Ce0.9Gd0.1O2-δ粉体及性能研究
- 韩敏芳;李伟;徐元宁
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：采用凝胶注模工艺制备了Ce0.9Gd0.1O2-δ (GDC)粉体，对其性能进行了TG-DSC、XRD、TEM和粒度等表征，分别与同等原料采用传统固相合成工艺制备的粉体，与不同原料同种凝胶注模工艺制备的粉体进行了性能比较。采用不同压力成型了坯体，在1350℃烧结得到瓷体，对粉体的烧结性能和瓷体的电导性能进行了表征。结果表明：采用凝胶注模工艺在600℃就能获得纯相GDC粉体，比固相反应合成GDC粉体温度降低400℃；相比以氧化物为原料合成的粉体，以硝酸盐为原料采用凝胶注模工艺合成的粉体有助于氧化钆在氧化铈晶格中的固溶；在1350℃烧结获得相对密度为96.5％瓷体，600℃电导率为0. 0258 S/cm，满足中温电解质材料对电导率的要求。
10.陶瓷冷等静压成型技术
- 鲁燕萍
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：主要介绍等静压成型技术在特种陶瓷制备中的应用，包括陶瓷等静压成型的应用实例、模具和包套的设计、特殊形状陶瓷制品的成型实例，以及等静压成型中常见象足缺陷的对策等。
11.钨带冷弯时断裂原因分析
- 丁丽;刘立娜;周智慧;蔺娴;章安辉;李剑
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：钨带在90°弯曲时发生断裂，通过分析发现，断裂钨带碳含量偏高，断口处分层并呈蜂窝式片状形貌，断口附近金相组织也显示出明显的带状组织，断口处组织呈纤维状，断口为脆性断口。建议将材料含量控制在0.0050％以下，在90°弯曲时加热，加热温度在650～800℃，以降低钨带的脆性，增加弯曲时的韧性，提高成品率。
12.吸气剂在行波管中的应用
- 郭卫斌;薛函迎;柴云川
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：本文介绍了目前行波管所使用的锆-石墨、锆-锫钒铁、钼-钛吸气剂，以及近年来使用吸气剂所发现的问题，同时介绍了应用于行波管吸气剂的新技术及发展趋势。
13.一种新型可重复利用荫罩掩膜技术
- 李兴辉;Selvapraba Selvarasah;Mehmet R. Dokmeci
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术，可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜，可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图形，同时在多次使用场合，可以实现其它柔性荫罩掩膜材料难以达到的微米级特征尺寸，并能保持很好的图形复制特性。
14.窄脉冲刚管调制器
- 袁同山
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：雷达发射机和高功率微波装置对大功率刚管调制器的需求越来越大，尤其是窄脉冲调制器非常重要。随着大功率半导体开关器件技术的进步，窄脉冲刚管调制器逐渐变为现实。为了降低成本、满足系统小型化的要求，仅使用一个耐压900 V的开关管，通过高变比脉冲变压器的耦合，就得到了脉冲宽度400 ns、脉冲电压达到12 kV的调制脉冲。
15.真空开关管的市场分析和发展趋势
- 尹泉;应文娟;李庆和
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：采用行业季报、年报数据对真空开关管行业的市场发展现状、产业发展环境进行了分析，研究了对制造过程中影响质量的关键因素，就开关管市场发展中存在的问题、对协会在产业发展中面临一些的机遇提出自己的想法和认识。
16.大平均功率耦合腔行波管慢波系统的散热设计
- 龚海华;杨定义;张彦成;孟晓君;王娟
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：慢波系统的功率容量是制约行波管平均功率提高的关键因素之一，特别是对于采用周期永磁(PPM)聚焦方式的耦合腔行波管更是如此。本文正是针对上述问题，研究了提高耦合腔行波管慢波系统散热能力的途径以及可采取的措施。提出了一种可提高耦合腔行波管慢波系统散热能力的结构方案，并对方案进行了热分析及磁分析。制管结果表明采用该散热结构方案的慢波系统能稳定承受1500W的电子截获功耗使整管实现2.4 kW的平均功率输出。
17.低温共烧结制备阴极支撑管式固体氧化物燃料电池
- 熊保;韩敏芳
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：采用挤出成型法制备锰酸锶镧-氧化钇稳定氧化锆(LSM-YSZ)阴极支撑管，利用浸渍-提拉泥浆涂覆法在LSM-YSZ 阴极支撑管上制备了LSM-YSZ阴极功能层、YSZ电解质和NiO-YSZ阳极多层薄膜，经低温一次共烧结制备阴极支撑管式单元固体氧化物燃料电池(SOFC)。利用扫描电镜和电化学工作站等对单元电池的微观结构和电化学性能进行了较系统的表征，结果表明：经1220℃低温共烧结8h后，LSM-YSZ支撑体上的阴极功能层、电解质和阳极各层薄膜结合紧密，电解质薄膜致密无缺陷，厚约15 μm；以湿氢气为燃料，空气为氧化剂时，单元电池在700～800℃下的开路电压均高于1.0V，说明电解质薄膜具有足够的气密性，但阴极的低电导率和低孔隙率限制了电池的电性能。采用浸渍-提拉薄膜技术，经一次低温共烧结制备阴极支撑管式SOFC，为SOFC低成本制备奠定了基础。
18.电子枪设计制造工艺与阴极性能分析
- 张立娟
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：本文从结构、材料、工艺方法等几个方面阐述了电子枪设计制造工艺过程，根据工作实践分析了电子枪设计与阴极性能的关系。
19.覆Os膜扩散阴极Os-W互扩散的探讨
- 聂秋玲;程诚
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：介绍了对覆锇扩散阴极锇膜与钨基间互扩散过程的研究结果。通过SEM对不同工作时间的阴极发射表面及纵向剖面的形貌进行分析，采用EDS对实验阴极的表面及纵向剖面进行元素成分的分析。研究表明，随工作时间的不同，阴极表面及纵向剖面Os-W浓度发生变化，呈现明显的扩散趋势。
20.金属化层表面状况的不同处理方法对陶瓷金属封接强度的影响
- 张振霞;李秀霞;韩勇;林毅
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：针对陶瓷金属封接，分别采取了打磨法和酸洗法两种不同的方法对陶瓷金属化层的表面状况进行处理，得到了两种不同的表面状态。利用划痕测试法，分析比较了两种方法制备试验件表面的电镀镍层的结合力情况。进行抗拉实验，研究比较了采用两种不同方法处理后的陶瓷抗拉试验件的封接强度。研究表明，酸洗法对金属化陶瓷表面的处理可以使金属化层得到更为良好的表面状态，是一种可以提高陶瓷金属封接强度的有效可行的方法。
21.双脊型波导窗在宽带大功率行波管中的应用
- 邱立;孟晓君;王经强
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：本文简要分析了脊形波导窗的结构，介绍了WRD650双脊波导窗在实际制管中的应用，测试结果表明脊形波导窗应用于宽带大功率行波管是可行的。
22.提高宽带毫米波行波管效率研究
- 黄拓朴;杨明华
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：针对影响宽带毫米波行波管效率的主要因素，对提高行波管效率的相关实用化技术进行了研究。通过螺旋线线路渐变技术、降低高频损耗、多级降压收集极三个方面的研究，使现有某一宽带毫米波行波管总效率由原来的10％提高到20％以上。
23.钨铼合金丝米电阻随直径变化的统计分析
- 赵毅;李伟;周琦;何庆春
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：本文讨论了用于电真空器件阴极热子的钨铼合金丝米电阻随直径的变化规律，并最终得到了WRe3，WRe20和 WRe25合金丝米电阻随直径变化的经验公式。
24.新控制方式前向波放大管
- 包广建;杨金生;王刚;李会成
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：前向波放大管作为一种微波功率放大器件，在雷达领域具有重要的用途。本文提出了一种新的直流应用前向波放大管控制方式，这种控制方式有助于提高前向波放大管的稳定性和可靠性。
25.氧化铝陶瓷封接强度的统计分析
- 石明;张巨先;刘征;高陇桥;黄亦工
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：采用Weibull分布和正态分布，对氧化铝陶瓷封接强度进行统计分析，并通过Weibull模数和变异系数来表征了材料强度的离散性。同时通过Weibull分布，比较了标准组合抗拉强度、拉钉强度和抗折强度测试的数据。
26.Ka波段30W空间行波管
- 李力;冯进军;瞿波
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：介绍了未来星际通讯用Ka波段30W空间行波管的最新研究进展。行波管电子枪采用传统的波尔斯型电子枪，高频结构采用螺旋线慢波结构和品型夹持结构，为了保证较高的收集极效率，采用四级降压收集极，测试结果表明在工作频带内行波管输出功率超过34.6W，总效率超过47.5%。当行波管工作于低频状态时，行波管总效率超过了50%，已达到目前国外同等功率量级Ka波段空间行波管研究水平。
27.W波段两种梯形线慢波电路过模工作研究
- 胡银富;冯进军;蔡军;邬显平
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：针对W波段过模行波管可能采用的两种梯形线慢波电路结构进行了模拟计算，分析了工作在过模情况的可能性结果表明传统梯形线慢波电路并不适合工作于高次模式，而悬浮梯形线慢波电路在第三个模式则有着相对较高的互作用合阻抗，可以在W波段实现1000W的功率输出。
28.超宽带毫米波行波管
- 黄拓朴
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：简要介绍最新的超宽带毫米波连续波行波管研制工作进展情况。连续波行波管样管在18～40 GHz频带内，输出功率达到40W。
29.一种行波管用增益均衡器的设计
- 闵立涛
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：增益均衡器作为行波管的常见附件，对行波管的性能有着明显的影响，是保证行波管宽带等激励工作的重要手段。本文探讨一种大功率行波管用增益均衡器，在满足行波管使用要求的前提下，可以为行波管提供更好的工作环境。
30.真空电子器件外壳关键工艺
- 庞学满;夏庆水;程凯;王子良
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：针对电真空器件外壳在制备过程中的关键工艺以及技术难点展开讨论，分别论述了瓷件平整度，封接强度，钎焊技术与保护电镀技术这四个方面各自的重要性与影响因素，结合作者实践经验分别提出相应的解决措施，并取得良好的效果。
31.当前直接覆铜技术的研究进展
- 高陇桥;石明
- 《2011年度真空电子材料、陶瓷-金属封接与真空开关管用陶瓷管壳技术研讨会》 | 2011年
摘要：叙述了近期国内外关于直接覆铜(DBC)技术的发展动态，指出DBC技术在电力电子模块、LED器件以及半导体制冷等领域的广泛应用，特别是A(l)N基片的DBC工艺研究应该引起有关科技人员的关注。