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1.[期刊]
射频 Si/SiGe/Si HBT的研究
摘要:
在Si/SiGe/Si HBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/Si HBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生...
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2.[期刊]
P-Si TFTs带间隧穿电流的建模研究
摘要:
介绍了多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)中的带同隧穿(BBT)效应的产生机理,分析了BBT对P-SiTFT电流特性的影响,总结了关于P-Si TFT带间隧...
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3.[期刊]
一种硅微波功率三极管的失效分析
摘要:
描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件...
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4.[期刊]
注入增强门极晶体管的结构与电特性
摘要:
介绍东芝公司推出的4.5kV注入增强门极晶体管(IEGT)的结构和电特性.
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5.[期刊]
MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管
摘要:
金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能.采用超薄结构后,成功地将...
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6.[期刊]
金属诱导非晶硅横向结晶机理研究
摘要:
本文主要研究金属诱导横向结晶速度与工艺条件的关系,探讨隐含在这些关系背后的制约因素.研究发现金属诱导横向结晶速度在长时间退火过程中下降;非晶硅本身在长时间退火...