功率晶体管属于《中国图书分类法》中的六级类目，该分类相关的期刊文献有34篇等，功率晶体管的主要作者有张世勇、王思亮、章国豪，功率晶体管的主要机构有东方电气集团中央研究院、信息产业部电子第五研究所、华南理工大学电子与信息学院等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、
1.[期刊]
摘要： 以高功率IGBT模块散热为主题,针对目前传统热管散热器(传统模组)存在的翅片均温性不佳、散热效率较低的问题,设计一款新型的热管分层嵌入式结构的散热器(新型模组...
2.[期刊]
摘要： In order to suppress the substrate-assisted depleted (SAD)effect and obtain hig...
3.[期刊]
摘要： 为了研究漏极偏压变化对P-GaN器件可靠性的影响,文中对P-GaN商用器件进行漏极应力测试.通过改变漏极应力偏置电压和偏置时间,观察GaN器件导通电阻和阈值电...
4.[期刊]
摘要： IGBT模块广泛应用于功率变流装置中,是变流装置中最为核心的器件之一,也是变流装置中最易失效的器件之一,对IGBT模块进行可靠性评估对提高变流装置的可靠性具有...
5.[期刊]
摘要： 研究了硅基AIGaN-MOS功率器件的热阻和压降这二个电热参数,提出了参数的测试原理和方法,给出了一种测试设备的电原理图.成果来自于安徽省省级重点科技攻关项目...
6.[期刊]
摘要： 射频功率放大器是射频前端的关键模块,而5G高频段采用毫米波功放是主要发展趋势.5G面对移动互联网等多种业务的激增,对射频功率放大器的性能及工作环境提出了更加苛...
7.[期刊]
摘要： This paper describes the BCD intelligent power IC technology, introduce the app...
8.[期刊]
摘要： CMOS工艺价格低廉且兼容基带工艺,是单片集成电路的理想材料.根据现代无线通信系统所采用的调制方式对功率放大器的性能要求,重点介绍了功率放大器的效率和线性增强...
9.[期刊]
摘要： 实现了一款应用于S波段雷达系统的GaN HEMT内匹配功放.以小信号S参数和Load-pull结果为基础进行内匹配电路设计和仿真,采用单个24 mm GaN ...
10.[期刊]
摘要： 首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索.测试了良品和失效品EB结的正向...
11.[期刊]
摘要： 描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件...
12.[期刊]
摘要： 达林顿管是一种两级或多级的复合管.功率型的达林顿管的功率级是后极,而后极功率管的8V.不能直接测量,所以,达林顿管瞬态热阻测量仪器的研发一直是一个的难点.从晶...
13.[期刊]
摘要： 微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域.但是,由于硅微波双极功率器件的结比较浅、基区比...
14.[期刊]
摘要： 大功率晶体管是功率驱动电路的核心元件,通常工作在极限参数状态下.本文分析了大功率晶体管的纵向结构,并计算了晶体管的纵向结构尺寸等参数.
15.[期刊]
摘要： 分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基HEMT（High Electron Mobility Transistor）器件进行辐照。实验发现：低注量辐照引...
16.[期刊]
摘要： 对新一代智能化IGBT驱动模块SCALE-2的关键技术与SCALE-1进行了对比分析.重点对其短路保护原理和脉冲丢失检测提出了驱动器的应用要点,并给出内部电路...
17.[期刊]
摘要： The necessity and difficulty of real - time simulation of power electronic devi...
18.[期刊]
摘要： Although Gen-5 IGBT already become the main product dominating the electric ele...
19.[期刊]
摘要： 开发出场截止型IGBT并深入研究了场截止型IGBT的核心技术和关键工艺.相比非穿通型IGBT,通过场截止层的形成,芯片厚度降至105 μm,器件导通压降低于2...
20.[期刊]
摘要： 以400V双极功率集成器件(由BJT与p-i-n二极管以反并联方式集成在同一个芯片上构成)为例,通过仿真和实测分析,建立起基本概念和物理图像,阐明了集成功率器...
浙江工业大学学报
桂林电子科技大学学报
