混合模式器件属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有8篇,会议文献有1篇,学位文献有2篇等,混合模式器件的主要作者有于沂、冉刚、刘星元,混合模式器件的主要机构有哈尔滨工程大学信息与通信工程学院、东南大学、中国科学院激发态物理开放实验室等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路
摘要: 本文介绍采用与CMOS工艺完全相容的双极/MOS混合模式晶体管(BMHMT)构成新型的低温BiCMOS集成电路.理论分析表明该电路与CMOS相比,在电压摆幅相...
2.[期刊]
摘要: 本文研究了含有稀土有机配合物的有机电致发光(OEL)器件。这种器件在改变驱动电压时可获得不同的OEL发射颜色,其中红色成分来自Eu(111)离子的特征发射。在...
3.[期刊]
摘要: 本文采用数值模拟方法,在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上,首次给出GCHT低压工作下(0.8V)的设计容区图,清晰地反映了各效应对...
4.[期刊]
摘要: 第3代电流传送器CCⅢ是继电流传送器的第1代和第2代的发展之后出现的新型的电流模式器件.本文面向实际电路,应用1.2μm CMOS工艺参数,对CCⅢ元件进行P...
5.[期刊]
摘要: 半导体桥( SCB,Semiconductor Bridge)易受到外界复杂环境的干扰导致误爆,所以防护电路的设计对其应用显得尤为重要.传统的防护电路由于吸收...
6.[期刊]
摘要: 横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C - LIGBT)、3μm外延层上的Trench ...
7.[期刊]
摘要: 为增强器件的反向耐压能力,降低器件的漏电功耗,采用Silvaco TCAD对沟槽底部具有Si02间隔的结势垒肖特基二极管(TSOB)的器件特性进行了仿真研究....
8.[期刊]
摘要: 集成门极换向晶闸管(IGCT)是一种新开发的用于功率变换的新型大功率开关器件,由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术,因而使动态损耗降低了约50%,另外,此类器...
1.[会议]
摘要: 基于弯曲波导模式耦合理论,采用相位重匹配技术,通过数值计算设计了一款工作频率为35GHz的双圆弧结构且同向传输的TM01-TE11双弯过模圆波导模式变换器.通...
1.[学位]
Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结温估测及热电性能优化控制
摘要: SiIGBT/SiCMOSFET混合器件的出现打破了碳化硅(Silicon Carbide, SiC)基器件所处的困境,有力地推动了SiC基器件的发展和应用,...
2.[学位]
摘要: 随着中国经济的进一步发展,人民生活水平的日益提高,检测技术的应用越来越广泛,快速开发一套适应需求的检测系统,是许多开发人员的一个重要目标.该论文以典型的测控系...