静电感应场效应晶体管属于《中国图书分类法》中的五级类目，该分类相关的期刊文献有47篇，会议文献有3篇，学位文献有40篇等，静电感应场效应晶体管的主要作者有李思渊、刘肃、刘瑞喜，静电感应场效应晶体管的主要机构有兰州交通大学电子与信息工程学院、兰州大学、兰州大学物理系静电感应器件研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要： 文中介绍一种低成本、不间断、多针头多射流式高压静电场纺丝设备方法。该方法创新性地改进纺丝设备的推进装置,设计新的推进装置并配合STC8A8K64A4S2单片机...
2.[期刊]
摘要： 描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法.首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、灵敏度因子和本征静电增益.从...
3.[期刊]
摘要： 介绍了由有机半导体材料酞菁铜制作的具有 Au/CuPc/Al/CuPc/Au 三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管。根据对该三极管测试,采用适当的数学工...
4.[期刊]
摘要： 静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致I-V特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率。在器件有源...
5.[期刊]
摘要： 研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的I-V曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态.在综合考虑了...
6.[期刊]
摘要： 描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制...
7.[期刊]
驱动一个低噪声、低失真18位、1．6Msps ADC设计要点494
摘要： 引言 LTC2379．18是一款18位、1．6Msps SAR ADC，具有极高的SNR（101dB）和THD（-120dB）。该器件还具有一种独特的数字增益...
8.[期刊]
摘要： 文章提出了用硅硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程...
9.[期刊]
摘要： 针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,...
10.[期刊]
摘要：
11.[期刊]
摘要： 静电感应器件（SID）是一类新型电力半导体器件的总称，它主要包括静电感应器件管SIT、双极型静电感应晶体管BSIT、静电感应晶闸管SITH等三大类。与现用的晶...
12.[期刊]
摘要： 本文主要介绍如何延长电子节能灯的使用寿命和灯的照明发光效率的提高，谈谈正确选用节能灯电子元器件BSIT双极静电感应晶体管的技术性能，既要工作稳定可靠，又要价格...
13.[期刊]
摘要：
14.[期刊]
摘要： 为了在静电放电测试仪中定量研究不同气压对非接触静电放电的影响,以STM32为核心设计了低气压自动控制系统,包含LCD、触摸屏、信号采集、驱动电路等硬件模块.分...
15.[期刊]
摘要： 上海贝岭公司最近推出的电子镇流器专用控制／驱动器芯片BL8305A是BL8301的升级产品。与BL8301相比，BL8305A的功能进一步得到提升。众所周知，...
16.[期刊]
摘要： 这种MOSFET在大多数应用中用作功率转换。55V的OptiMOS-T trench MOSFET允许在一个小面积下大幅度增加沟道密度，使在一个DPAK中电阻...
17.[期刊]
摘要： 英飞凌的新型SPB／|／P80N06S．08芯片(平面型55V／8mΩD2PAK封装或者T0262／220封装)克服了设计者在寻找线。性应用中功率优化MOSF...
18.[期刊]
SuperSo8封装中的用于高效功率转换的OptiMOS2技术
摘要： 英飞凌开发了一种新的MOSFET系列器件，将其业界领先的OptiMOS2 30V技术放在一个高级封装概念中实现。这种与SuperS08封装结合在一起的Opti...
19.[期刊]
摘要： IR2161型集成电路是电子变压器（卤灯转换器）专用智能半桥驱动器，是美国国际整流器（IR）公司推出的一款照明专用IC，该电路具有所有必不可少的保护功能，并可...
20.[期刊]
摘要： 新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层,以降低栅电容,从而改善器件的开关速度,尤其是适用于低压高频领域.通过理论及仿真分析,与无埋氧化层的沟槽...
