半导体统计学属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有17篇,会议文献有1篇,学位文献有5篇等,半导体统计学的主要作者有关玉琴、赵春旺、陈余,半导体统计学的主要机构有内蒙古工业大学、内蒙古工业大学理学院、广东开放大学等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 用费米分布函数对HBT结构中载流子的分布进行了计算,与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析。同时在热场发射-扩散模型的基础上,用两种方法得到的载...
2.[期刊]
摘要: 考虑到非简并半导体中载流子的能量是温度的函数,给出了非简并半导体中汤姆孙系数、汤姆孙电动势和汤姆孙热的更附合实际的量子统计表示,揭示了半导体中汤姆孙效应的微观...
3.[期刊]
摘要: 利用电中性条件,导出了掺单一杂质半导体费米能级的普适公式。
4.[期刊]
摘要: 用纯数值技术计算了77K硅中杂质的电离率,考虑了Fermi-Dirac统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响,计算结果比简化模型精确,而且可...
5.[期刊]
摘要: 研究在外部驱动力作用下穿过一维无序随机力介质而传播的粒子的运动规律,并求出其直流响应,研究发现:在无序系统演化的初始阶段,直流极化率可验证极化率-频率关系的反...
6.[期刊]
摘要: 介绍一种分析a-Si掺杂效率的新方法。该法能够很好地解决a-Si全掺杂范围内掺杂浓度和掺杂效率的计算问题,简便易行,为a-Si掺杂性能研究和器件设计制造提供可...
7.[期刊]
摘要: 本文用化学反应动的质量作用定律及阿累乌尼斯定律,对金属氧化半导体一些统计公式进行了研究。给出了费米函数、氧空位施主浓度的公式,表面吸附氧的氧原子氧离子浓度公式...
8.[期刊]
摘要: 介绍了测试Si,Ge,GaAS等单晶材料性能参数的一种方法-Van de pauw 法,通过实验和分析,得到了测试过程中电极的制作和测度的最佳条件。
9.[期刊]
摘要: 讨论了半导体器件模拟计算中的掺杂浓度处理方法,比较了Fortran与Matlab两种计算,指出利用Matlab可以避免复杂繁琐的编程,而且调整极为方便.
10.[期刊]
摘要: 分子轨道的空间扩展情况和原子线上电荷布居在实际上决定了分子器件的性质.本文对几种Al金属电极-原子线-Al金属电极体系进行了合理简化,构造出了类似单分子的模型...
11.[期刊]
摘要: 本文利用计算机求解平衡载流子的电中性条件,获得一般情况下杂质半导体载流子的统计分布。综合考虑了晶格振动散射、杂质散射和载流子散射对载流子迁移率的影响,建立了一...
12.[期刊]
摘要: Based on the electrical neutrality of semiconductor,and taking into considerati...
13.[期刊]
摘要: 利用常压介质阻挡放电等离子体对超高分子量聚乙烯和聚丙烯纤维进行表面改性,研究了处理前后聚乙烯纤维的力学性能的变化和纤维束与环氧树脂粘合性能的改善情况,以及等离...
14.[期刊]
摘要: 居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂...
15.[期刊]
摘要: 定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里...
16.[期刊]
摘要: 定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里...
17.[期刊]
摘要: 居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂...
1.[会议]
摘要: 在高密度激发下(10[**]W/cm)观察到77K时GaP∶N中自由激子发光。当激发功率密度增加NN,束缚激子发光强度反而下降,主要是由激子的湮灭和Auge...
1.[学位]
摘要: 该文包含了半导体输运性质及金融物理两部分的研究工作.第一部分,半导体输运性质的研究:1)用流体动力学平衡方程系统地研究了4H-SiC的漂移速度、平均电子能量等...
2.[学位]
摘要: 该论文对量子阱、量子线中的非线性光学效应进行了研究,主要由以下三部分组成.论文的第一部分研究了一种特殊的非对称量子阱中的光学整流效应.首先在有效质量近似下,通...