プラスチック基板上に堆積した酸化亜鉛系透明導電膜のレーザーアニーリングによる特性改善

摘要

以上の結果から，PLDで成膜したCOP基板上に作製したrnGZO透明導電膜にレーザーアニールを施すことにより以下rnの結果が得られた．rn1）エネルギー密度を変化させてレーザーアニールを施rnした結果，12mJ/cm~2のとき，抵抗率が6.61×10~(-4)Ω?rncmから5.94×10~(-4)Ω?cmへと10%の改善率が得られた．rn2）光学的特性ではレーザーアニールを施すことによりrnキャリア密度の上昇によって，長波長側でプラズマ共rn鳴現象による透過率の低下が見られたが，可視光領域rnにおける平均透過率は85%以上を有していた．%Gallium-doped zinc oxide (GZO) thin films have been deposited on Cyclo-Olefin Polymer (COP) substrates at room temperature by pulsed laser deposition (PLD) using FHG of Nd: YAG laser (λ = 266 nm, 1.6 mJ/cm~2) and then, thin films were annealed by pulsed laser with FHG of Nd: YAG laser (λ = 266 nm, 8～20 mJ/cm~2) at room temperature. As a result, the resistivity was improved from 6.61 × 10~(-4)Ω·cm to 5.94 × 10~(-4)Ω·cm for films annealed at a laser energy density of 12 mJ/cm~2.