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机译:α-Al_2O_3上外延α-Fe_2O_3的界面失配位错的特征(0001)
Aluminium oxide; Iron oxide; Interfaces; Transmission electron microscopy;
机译:Fe_2O_3 / Al_2O_3单晶界面的位错错配
机译:InN / GaN(0001)界面的三周期部分失配位错:Ⅲ-N材料的新位错核心结构
机译:外延界面的带隙和磁性能工程:α-Fe_2O_3/α-Cr_2O_3(0001)界面处的M_2O_3单层(M = Al,Ga,Sc,Ti,Ni)
机译:基板外延层界面处的错配阵列的稳定性
机译:位于锑化镓/砷化镓界面的周期性错配位错阵列的结构,电学表征和模拟
机译:失配位错能否位于InAs / GaAs(001)外延量子点的界面上方?
机译:失配位错能否位于InAs / GaAs(001)外延量子点的界面上方?
机译:应变外延层中线程位错逮捕的判据及其路径中的界面错配位错