机译:使用低k介电甲基硅倍半氧烷与蒸发的铝和铜栅极表征金属氧化物半导体电容器的结构
School of Applied Physics, University Science of Malaysia, Penang 11800, Malaysia;
methylsilsesquioxane; low dielectric constant; copper ion injection;
机译:通过水蒸气退火抑制高k栅极介电常数的Ge金属氧化物半导体电容器中不稳定的低k GeO_x中间层的生长
机译:具有HfLaO和HfZrLaO超薄栅极电介质的金属氧化物半导体电容器的时间相关介电击穿(TDDB)特性
机译:具有高k电介质的顶栅二硫化钼金属氧化物半导体电容器的电学特性
机译:改进了多层分离结构的性能作为InGaAs金属氧化物半导体电容器的栅极电介质
机译:倒装芯片封装的铜/低k互连结构中低k电介质的界面粘附和亚临界剥离。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:对偶模型描述了蒸发的金属栅极对金属氧化物半导体电容器结构中低k介电甲基倍半硅氧烷的影响