机译:用俄歇电子能谱溅射深度分析法测定Si / Al多层体的互扩散系数
Max Planck Institute for Metals Research, Heisenbergstrasse 3, D-70569 Stuttgart, Germany;
AES depth profiling; Si/Al multilayer; interdiffusion; MRI model;
机译:用俄歇电子能谱溅射深度分析法测定薄膜系统的扩散诱导浓度分布和互扩散系数的新方法
机译:俄歇电子能谱,X射线光电子能谱和飞行时间二次离子质谱溅射深度分布技术的深度分辨率评估
机译:使用俄歇电子能谱法定量评估多晶多层材料深度剖析中溅射引起的表面粗糙度
机译:螺旋钻电子光谱深度分析中纳米层结构中的间隔系数的测定
机译:对III-V族化合物半导体的等离子退火(等离子沉积,硅氮化物,离子注入)进行俄歇电子和X射线光电子能谱研究。
机译:聚电解质多层膜中层间扩散的深度分析X射线光电子能谱(XPS)分析
机译:俄歇深度剖析技术在非晶si / Ge多层膜中的相互扩散
机译:俄歇深度剖面分析中电子束位置调制的应用