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机译:在未氢化的SPC多晶硅薄膜中制造的TFT中栅极/漏极偏置引起的退化效应
Institute of Microelectronics, NCSR 'Demokritos', 15310 Aghia Paraskevi, Athens, Greece;
silicon; crystallization; MOS structures; interfaces;
机译:先进SLS ELA多晶硅膜中制造的双栅极TFT的特性
机译:低温N沟道单漏极和轻掺杂漏极多晶硅薄膜晶体管的漏极结附近的热载流子降解以及电场和电子浓度
机译:沟道反型层与金属诱导的横向结晶多晶硅底栅TFT上掺杂的源/漏区之间的直接/间接结
机译:未氢化多晶硅TFT的栅极偏置老化
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:由PLD制成的高导电性和透明AZO膜作为TFT的源/漏电极
机译:通过固相结晶获得的原位掺杂未氢化多晶硅薄膜制造的薄膜晶体管