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机译:不同溅射偏压的Zr-Si-N扩散阻挡膜的表征
Xian Jiaotong Univ, State Key Lab Mech Behav Mat, Xian 710049, Peoples R China;
copper; metallization; Zr-Si-N films; sputtering; structural properties; THIN-FILMS; SILICON; COPPER; CU; MICROSTRUCTURE; METALLIZATION; NITRIDE; TIN;
机译:偏置电压对磁控溅射Zr-Si-N纳米复合薄膜微观结构和物理性能的影响
机译:溅射偏压对Zr-Ge-N扩散阻挡膜结构和性能的影响
机译:偏压对ZR-SI-N纳米复合薄膜的微观结构和物理性能的作用
机译:基材偏置对反应性溅射ZR-Al-N扩散阻挡膜的影响
机译:用于VLSI阻挡层的溅射耐火膜的结构和表面轮廓的仿真和建模。
机译:SiNx扩散阻挡层厚度对溶胶-凝胶浸涂和反应磁控溅射获得的TiO2薄膜的结构性能和光催化活性的影响
机译:Ga掺杂的ZnO薄膜特性对不同溅射工艺参数的依赖性:衬底温度,溅射压力和偏置电压
机译:反应溅射W-N薄膜作为Gaas金属化中的扩散障碍