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机译:W在Al2O3上的W和W上的Al2O3的原子层沉积过程中的形核和生长
Univ Colorado, Dept Chem & Biochem, Boulder, CO 80309 USA;
aluminum oxide; atomic layer deposition; tungsten; BINARY REACTION SEQUENCE; AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY; THIN-FILM GROWTH; SURFACE-CHEMISTRY; TUNGSTEN; DESORPTION; CATALYSTS; KINETICS; SIO2; H2O;
机译:合成多晶MOS2对Al2O3原子层沉积的成核和生长机制
机译:UIO-66-NH2金属有机框架(MOF)在TiO2,ZnO和Al2O3原子层沉积处理的聚合物纤维上:金属氧化物对化学战争的制造和催化水解的作用
机译:Al 2 O 3到Sn掺杂的In 2 O 3上的原子层沉积:在初始生长过程中,没有自限吸附,这是通过从衬底的氧扩散和通过Al2O3的费米能级钉扎进行的带偏移修饰
机译:使用Si掺杂InP / InAlAs肖特基层和原子层沉积Al2O3钝化的100nm栅长GaAs mHEMT,fmax为388.2 GHz
机译:用于高k电介质和存储器应用的原子层沉积Al2O3和TiO2
机译:使用Al2O3势垒层控制原子层沉积的Al2O3 / La2O3 / Al2O3栅堆叠中的硅扩散控制
机译:TiO2,ZnO和Al2O3原子层沉积治疗的聚合物纤维上的UIO-66-NH2金属 - 有机框架(MOF)成核:金属氧化物对化学战争模拟剂的MOF生长和催化水解的作用
机译:al2O3原子层沉积涂层保护聚合物免受原子氧侵蚀