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机译:使用镍作为催化剂的MOCVD在Si(100)衬底上生长β-SiC纳米线
Department of Chemistry and Institute of Basic Science, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea;
β-SiC; nanowires; MOCVD; Ni catalyst; single molecular precursor;
机译:使用二氯甲基乙烯基硅烷和二乙基甲基硅烷通过MOCVD法在镀镍Si(100)衬底上生长3C-SiC纳米线
机译:在Si(100)衬底上沉积3C-SiC上立方GaN的MOCVD生长
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机译:在没有催化剂的情况下通过MOCVD生长的氮化镓纳米线的生长,表征和器件应用。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:INAS和InGaAs纳米线的MBE生长和结构性质,具有不同摩尔分数的Si和强不匹配的SiC / Si(111)基材