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机译:通过使用不同金属的金属诱导结晶获得的多晶硅
Faculty of Science and Technology, Materials Science Department/CENIMAT, New University of Lisbon and CEMOP/UNINOVA, Campus da Caparica, 2829-516 Caparica, Portugal;
polycrystalline silicon; metal induced crystallization; annealing;
机译:金属镍引起的非晶硅结晶超出结晶多晶硅区域
机译:重结晶金属诱导的单晶多晶硅薄膜晶体管技术在反射液晶显示器中的应用
机译:金属诱导的横向结晶的多晶硅薄膜晶体管中结合了平面化栅极和重叠/偏移结构的漏电流抑制
机译:有源层厚度对金属诱导的结晶多晶硅薄膜晶体管器件性能和热载流子不稳定性的影响
机译:具有集成放大器的压阻式压力传感器,使用金属感应的横向结晶多晶硅实现。
机译:通过PECVD在镍金属化多孔硅上沉积的非晶硅薄膜的结晶
机译:金属诱导的横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管的应力功率依赖性自热退化