机译:通过CBD和SILAR方法实现宽带隙p型窗口
Department of Solar Energy Research, Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Strasse 100, D-14109 Berlin, Germany;
thin films; chemical methods; p-type; wide band gap;
机译:在p型GaN,p型AlN和n型金刚石中制备低电阻率宽带隙半导体的共掺杂方法:预测与实验
机译:宽带隙氧化物衬底对连续离子层吸附和反应(SILAR)法生长的CdS纳米粒子的光电化学性质和结构无序的影响
机译:(Zn,Mg,Be)O宽禁带半导体合金的带隙弯曲和p型掺杂:第一性原理研究
机译:宽带隙p型半导体材料BaCuTeF的能带结构计算
机译:用于异质结器件的p型宽带隙透明氧化物的表征。
机译:宽带隙氧化物衬底对通过连续离子层吸附和反应(SILAR)法生长的CdS纳米粒子的光电化学性质和结构无序的影响
机译:宽带隙氧化物衬底对通过连续离子层吸附和反应(SILAR)法生长的CdS纳米粒子的光电化学性质和结构无序的影响