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机译:使用四甲基硅烷+ H_2的离子增强等离子体化学气相沉积法沉积SiC膜
Hokkaido Polytechnic College, Zenibako 3-190, Otaru 047-0292, Japan;
silicon carbide (SiC); chemical vapor deposition (CVD); ion-enhanced triode plasma CVD; low temperature plasma processing;
机译:螺旋波等离子体增强化学气相沉积法低温沉积氢化纳米晶SiC薄膜
机译:微波等离子体辅助化学气相沉积法沉积金刚石/β-SiC梯度复合膜
机译:在In0.82Al0.18As上通过电感耦合等离子体化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积生长的氮化硅膜的界面特性
机译:螺旋波等离子体增强化学气相沉积法沉积纳米SiC薄膜
机译:通过铝的物理气相沉积和等离子体增强的三甲基硅烷化学气相沉积产生的薄膜的原位X射线光电子能谱分析。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:通过TM的等离子体化学气相沉积多晶SiC薄膜