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机译:三(二乙氨基)氯硅烷和氨气低压化学气相沉积氮化硅薄膜的制备与表征
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;
low pressure chemical vapor deposition; silicon nitride; characterization; liquid precursor;
机译:三(二乙氨基)氯硅烷的化学气相沉积氮化硅薄膜
机译:由原硅酸四乙酯,二氯硅烷和氨气混合物形成的低压化学气相沉积氮氧化硅膜的热力学研究和表征
机译:低压化学气相沉积氮化硅薄膜在高达650°C的温度下的电性能
机译:低压化学气相沉积法在III族氮化物薄膜上合成VO
机译:使用低压化学气相沉积对III-氮化物薄膜的合成与表征III族氮化物薄膜传感应用
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:siH4-NH3-N2系低压化学气相沉积法制备氮化硅薄膜