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机译:在Si(111)上生长的GaSe外延层上观察到高度取向的星形图案
Departamento de Fisica, Universidade Federal do Parana, 81531-990 Curitiba PR, Brazil;
gallium selenide; atomic force microscopy; nucleation and growth; stacking faults;
机译:GaAs(111)B上生长的GaSe外延层中的铁聚集
机译:在6H-SiC上通过VLS生长的(111)3C-SiC种子上LPE生长的SiC外延层中的缺陷诱导多型转变
机译:通过MOCVD研究在GaAs(001)上生长的c-GaN外延层的{111} A和{111} B平面
机译:在6H-SiC上通过VLS生长的(111)3C-SiC种子上的LPE生长的SiC外延层中的缺陷诱导多型转变
机译:在4H-碳化硅PVT生长的块状晶体,CVD生长的外延层和器件中的缺陷研究。
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:硅(111)衬底上异质外延生长的碳化硅中取向不正当的外延层倾斜和应力分布
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层