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机译:扫描扩散电阻显微镜监测4H-SiC中的离子注入损伤退火
Royal Institute of Technology, IMIT-MSP, P.O. Box Electrum 229 SE-164 40 Kista, Sweden;
silicon carbide; SiC; ion implantation; SSRM; acceptor doping;
机译:在独立硅纳米结构中注入硼的二维扩散的扫描扩展电阻显微镜
机译:聚焦离子束诱导损伤对扫描扩散显微镜的影响?测量
机译:扫描扩散电阻显微镜分析局部阻塞的植入部位
机译:低能量注入制备的超浅结的扩散电阻分布图,并结合了尖峰灯和激光退火工艺的扫描扩散电阻显微镜
机译:使用扫描扩展电阻显微镜对III-V型化合物半导体掺杂剂进行分析。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:双镜片电子全息,扫描电容显微镜(SCM),扫描抗膨胀电阻显微镜(SSRM)比较半导体2-D结表征
机译:离子注入4H-siC的固态微波退火;杂志文章