机译:衬底温度和偏置电压对RF磁控溅射AIN薄膜中微晶取向的影响
Ecole Polytech Fed Lausanne, FSB IPMC, CH-1015 Lausanne, Switzerland;
aluminium nitride; substrate negative bias; C-axis orientation; reactive sputtering; ALUMINUM NITRIDE FILMS; ALN FILMS; CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATION; VAPOR-DEPOSITION; MICROSTRUCTURE; MORPHOLOGY; EVOLUTION; GROWTH; FLOW;
机译:衬底偏置电压和沉积温度对硅上射频磁控溅射钛膜性能的依赖性(100)
机译:衬底偏置电压和沉积温度对硅上射频磁控溅射钛膜性能的依赖性(100)
机译:衬底偏置对脉冲DC磁控溅射的压电性能的影响溅射AIN薄膜
机译:施加衬底偏置的RF磁控溅射在玻璃衬底上低温直接沉积多晶硅薄膜
机译:射频反应磁控溅射在低温下沉积在硅上的压电氮化铝薄膜的声波器件特性
机译:SC0.09Al0.91N和SC0.18A10.82N的外延生长通过磁控溅射对表面声波应用的磁控溅射薄膜
机译:衬底偏压对射频磁控溅射沉积Ti6A14V薄膜晶体结构和表面成分的影响