机译:8 GHz范围的AlN薄膜体声波(BAW)谐振器中的剪切模式耦合和特性色散
Swiss Fed Inst Technol, Dept Mat, Ceram Lab, CH-1015 Lausanne, Switzerland;
CSEM, RF Microelect, CH-2007 Neuchatel, Switzerland;
aluminum nitride; physical vapour deposition (PVD); piezoelectric effect; ALUMINUM NITRIDE; DEPENDENCE;
机译:用于体声波(BAW)谐振器的压电AlN薄膜
机译:BAW谐振器中AlN薄膜的剪切模式耦合和倾斜晶粒生长
机译:用于GHz范围薄膜体声谐振器的Pb(Zr,Ti)O_3基三元钙钛矿化合物的高耦合压电薄膜
机译:由ZnO,SiO_(2)和AL_(3)薄膜组成的1.8-GHz系列膜散装声波谐振器的有效机电耦合系数和质量因子控制。
机译:AlN薄膜体声波谐振器的制作与表征。
机译:基于倾斜c轴AlN膜的剪切模式体声谐振器监测人体止血参数
机译:用于GHz范围薄膜体声谐振器的Pb(Zr,Ti)O-3-基三元钙钛矿化合物的高耦合压电薄膜
机译:微型薄膜BaW(体声波)谐振器及滤波技术的发展进展。