机译:B掺杂Si1-xGex外延膜的ECR氯等离子体刻蚀中的表面反应和B原子偏析
Tohoku Univ, Elect Commun Res Inst, Lab Nanoelect & Spintron, Aoba Ku, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
electron-cyclotron-resonance chlorine plasma; plasma etching; B-doped Si1-xGex; radical dominant etching; segregation; FIELD-EFFECT TRANSISTOR; SILICON; ALLOYS; GERMANIUM;
机译:N_2和H_2等离子体蚀刻有机低k膜期间的表面反应
机译:纳米复合Si1-xGex薄膜高温退火过程中Ge原子的偏析与解吸
机译:氯原子束硅刻蚀过程中通过紫外线辐照增强表面反应
机译:通过低能量ECR Ar等离子CVD在没有衬底加热的情况下在Si(100)上外延生长B掺杂的Si和Ge薄膜
机译:在电子回旋共振(ECR)等离子体反应器中对硅进行六氟化硫蚀刻时的表面反应特性。
机译:臭氧水氯二氧化氯季铵盐化合物和过氧乙酸对聚苯乙烯表面单核细胞增生李斯特菌生物膜的功效
机译:通过多波长拉曼光谱在快速热退火过程中非接触式监测硅衬底上B掺杂外延si1-xGex双层中的Ge和B扩散