机译:Ge扩散和固相外延生长以在绝缘体结构上形成Si_(1-x)Ge_x / Si和Ge
Silicon Nano Device Lab, Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, 10 Kent Ridge Crescent, Singapore, 117602;
SiGe; GOI; solid phase epitaxy; MOSFET;
机译:固相外延生长Si_(1-_x)Ge_x层中的应变松弛机制影响Si_(1-_x)Ge_x Layeyre生长的成分和生长温度
机译:固相外延生长的Si_(1-x)Ge_x层中的应变弛豫机制:层组成和生长温度的影响
机译:绝缘体上Si_(1-x)Ge_x(x = 0-1)的压痕诱导低温固相结晶
机译:Si_(1-x)Ge_x和Ge / Si_(1-x)Ge_x轴向异质结构纳米线的汽-液-固生长
机译:锗固相外延形成的砷化镓上的铅锗欧姆接触:微观结构研究。
机译:通过控制前体原子密度以进行固相结晶而形成的绝缘体上的高空穴迁移率多晶Ge
机译:通过分子束外延对在(100)Si上生长的Si_(1-x)Ge_x合金进行(2X8)表面重构的观察
机译:固相外延生长应变si(1-x)Gex的原位TEm研究